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掃描電子顯微鏡,是自上世紀(jì)60歲月動作商用水鏡面市此后趕快興盛起來的一種新式的電子光學(xué)儀器,被普遍地運用于化學(xué)、底棲生物、醫(yī)術(shù)、冶金、資料、半導(dǎo)機制造、微通路查看等各個接洽范圍和產(chǎn)業(yè)部分。
圖1.掃描電子顯微鏡表面圖
一、特性
制樣大略、夸大倍數(shù)可調(diào)范疇寬、圖像的辨別率高、景深圳大學(xué)、保真度高、有如實的三維效力等,對于導(dǎo)熱資料,可徑直放入樣本室舉行領(lǐng)會,對于導(dǎo)熱性差或絕緣的樣本則須要噴鍍導(dǎo)熱層。
二、基礎(chǔ)構(gòu)造
從構(gòu)造上看,如圖2所示,掃描電子顯微鏡重要由七大體例構(gòu)成,即電子光學(xué)體例、旗號探測處置和表露體例、圖像記載體例、樣本室、真空體例、冷卻輪回水體例、電源需要體例。
圖2:掃描電子顯微鏡構(gòu)造圖(圖片根源:西南火油大學(xué)動力資料試驗熏陶重心)
個中最要害的三個體例是電子光學(xué)體例、旗號探測處置和表露體例以及真空體例。
1、電子光學(xué)體例
電子光學(xué)體例囊括電子槍、電磁鏡片、掃描線圈、樣本室等,重要用來爆發(fā)一束能量散布極窄的、電子能量決定的電子束用以掃描成象。
電子槍:用來爆發(fā)電子,重要分門別類如次:
圖3.掃描電子顯微鏡電子槍分門別類比較圖
電磁鏡片:熱放射電子須要電磁鏡片來成束,以是在用熱放射電子槍的掃描電子顯微鏡上,電磁鏡片必不行少。常常會安裝兩組:集聚鏡片和物鏡,集聚鏡片只是用來集聚電子束,與成象會焦無干;物鏡控制將電子束的中心集聚到樣本外表。
掃描線圈的效率是使電子束偏轉(zhuǎn),并在樣本外表作有準(zhǔn)則的掃動,電子束在樣本上的掃描舉措和顯像管上的掃描舉措維持莊重同步,由于它們是由同一掃描爆發(fā)器遏制的。
樣本室內(nèi)除安置樣本外,還安排旗號探測器。
2、旗號探測處置和表露體例
電子過程一系列電磁鏡片成束后,打到樣本上與樣本彼此效率,會爆發(fā)二次電子、背散射電子、俄歇電子以及X射線等一系列旗號。以是須要各別的探測器比方二次電子探測器、X射線能譜領(lǐng)會儀等來辨別那些旗號以贏得所須要的消息。固然X射線旗號不許用來成象,但風(fēng)氣上,仍舊將X射線領(lǐng)會體例分別到成象體例中。
有些探測器造價高貴,比方Robinsons式背散射電子探測器,這時候,不妨運用二次電子探測器包辦,但須要設(shè)定一個偏壓磁場以篩除二次電子。
3、真空體例
真空體例重要囊括真空泵和真空柱兩局部。
真空柱是一個密封的柱刻畫器。真空泵用來在真空柱內(nèi)爆發(fā)真空。有板滯泵、油分散泵以及渦輪分子泵三大類,板滯泵加油分散泵的拉攏不妨滿意擺設(shè)鎢真絲槍的掃描電子顯微鏡的真空訴求,但對于安裝了場致放射槍或六硼化鑭及六硼化鈰槍的掃描電子顯微鏡,則須要板滯泵加渦輪分子泵的拉攏。成象體例和電子束體例均內(nèi)置在真空柱中。真空柱底端即為右圖所示的樣本室,用來安置樣本。
須要真空的因為囊括:一是電子束體例中的真絲在普遍大氣中會趕快氧化而作廢,以是須要抽真空。二是為了增大電子的平衡自在程,進而使得用來成象的電子更多。
四、成像道理
掃描電子顯微鏡是運用資料外表微區(qū)的特性(如形貌、亞原子底數(shù)、化學(xué)因素、或晶體構(gòu)造等)的分別,在電子束效率下經(jīng)過試樣各別地區(qū)爆發(fā)各別的亮度分別,進而贏得具備確定襯度的圖像。成像旗號是二次電子、背散射電子或接收電子,個中二次電子是最重要的成像旗號。圖3為其成像道理圖,高能電子束轟擊樣本外表,激勵出樣本外表的百般物理旗號,再運用各別的旗號探測器接收物理旗號變換成圖像消息。
圖3:掃描電子顯微鏡成像道理圖(圖片根源:西南火油大學(xué)動力資料試驗熏陶重心)
掃描電子顯微鏡除能檢驗和測定二次電子圖像除外,還能檢驗和測定背散射電子、透射電子、特性x射線、負極發(fā)亮等旗號圖像。其成像道理與二次電子像溝通。在舉行掃描電子顯微鏡查看前,要對樣本作相映的處置。
五、對樣本的訴求
1、不會被電子束領(lǐng)會
2、在電子束掃描下熱寧靜性要好
3、能供給導(dǎo)熱和導(dǎo)熱通道
4、巨細與厚薄要適于樣本臺的安置
5、查看面該當(dāng)純潔,無傳染物
6、舉行微區(qū)因素領(lǐng)會的外表應(yīng)平坦
7、磁性試樣要預(yù)先去磁,免得查看時電子束遭到磁場的感化
六、關(guān)系運用
掃描電子顯微鏡是一種多功效的儀器、具備很多出色的本能、是用處最為普遍的一種儀器.它不妨舉行如次基天職析:
1、查看納米資料:其具備很高的辨別率,不妨查看構(gòu)成資料的顆?;蛭⒕С叽缭?.1-100nm范疇內(nèi),在維持外表純潔的前提下加壓成型而獲得的液體資料。
2、資料斷口的領(lǐng)會:其景深圳大學(xué),圖象富立體感,具備三維樣式,不妨從斷口形貌表露資料斷裂的實質(zhì),在資料斷裂因為的領(lǐng)會、事變因為的領(lǐng)會以及工藝有理性的判決等上面是一個強有力的本領(lǐng)。
3、徑直查看大試樣的原始外表:它不妨徑直查看直徑100mm,高50mm,或更大尺寸的試樣,對試樣的形勢沒有任何控制,精細外表也能查看,這便受命了制備樣本的煩惱,并且能如實查看試樣品身物資因素各別的襯度(背散射電子象)。
4、查看厚試樣:其在查看厚試樣時,能獲得高的辨別率和最如實的形貌。
5、查看試樣的各個地區(qū)的詳細:試樣在樣本室中可動的范疇特殊大,不妨在三度空間內(nèi)有6個自在度疏通(即三度空間平移、三度空間回旋),這對查看不準(zhǔn)則形勢試樣的各個地區(qū)帶來極大的簡單。
6、在大視場、低夸大倍數(shù)下查看樣本,用掃描電子顯微鏡查看試樣的視場大:大視場、低倍數(shù)查看樣本的形貌對有些范圍是很需要的,如刑事觀察和高新科技。
7、舉行從高倍到低倍的貫串查看:掃描電子顯微鏡的夸大倍數(shù)范疇很寬(從5到20萬倍貫串可調(diào)),且一次聚焦好后即可從高倍到低倍、從低倍到高倍貫串查看,不必從新聚焦,這對舉行領(lǐng)會更加簡單。
8、查看底棲生物試樣:因為電子映照面爆發(fā)試樣的傷害和傳染水平很小,這一點對查看少許底棲生物試樣更加要害。
9、進動作態(tài)查看:即使在樣本室內(nèi)裝有加熱、冷卻、委曲、拉伸和離子刻蝕等附屬類小部件,則不妨查看相變、斷烈等動靜的變革進程。
10、從試樣外表形貌贏得多上面材料:由于掃描電子象不是同聲記載的,它是領(lǐng)會為近百萬個逐級依此記載形成的。使得掃描電子顯微鏡除去查看外表形貌外還能舉行因素和元素的領(lǐng)會,以及經(jīng)過電子通道把戲舉行結(jié)晶學(xué)領(lǐng)會,選區(qū)尺寸不妨從10μm到3μm。
此刻掃描電子顯微鏡已普遍用來資料科學(xué)(非金屬資料、非非金屬資料、納米資料)、冶金、底棲生物學(xué)、醫(yī)術(shù)、半半導(dǎo)體資料與器件、地質(zhì)勘測、病蟲害的防疫、災(zāi)禍(火警、作廢領(lǐng)會)審定、刑事觀察、寶石審定、產(chǎn)業(yè)消費中的產(chǎn)品德量審定及消費工藝遏制等。
45個常識點掃除文盲
1. 光學(xué)顯微鏡以看來光為介質(zhì),電子顯微鏡以電子束為介質(zhì),因為電子束波深刻較看來光小,故電子顯微鏡辨別率遠比光學(xué)顯微鏡高。光學(xué)顯微鏡夸大倍率最高惟有約1500倍,掃描式顯微鏡可夸大到10000倍之上。
2. 按照de Broglie振動表面,電子的射程僅與加快電壓相關(guān):
λe=h / mv= h / (2qmV)1/2=12.2 / (V)1/2 (?)
在 10 KV 的加快電壓之下,電子的射程僅為0.12?,遠低于看來光的4000 - 7000?,以是電子顯微鏡辨別率天然比光學(xué)顯微鏡出色很多,然而掃描式電子顯微鏡的電子束直徑大多在50-100?之間,電子與亞原子核的彈性散射 (Elastic Scattering) 與非彈性散射 (Inelastic Scattering) 的反饋體積又會比原有的電子束直徑增大,所以普遍穿透式電子顯微鏡的辨別率比掃描式電子顯微鏡高。
3. 掃描式顯微鏡有一要害特性是具備超大的景深(depth of field),約為光學(xué)顯微鏡的300倍,使得掃描式顯微鏡比光學(xué)顯微鏡更符合查看外表震動水平較大的樣本。
4. 掃描式電子顯微鏡,其體例安排由上而下,由電子槍 (Electron Gun) 放射電子束,過程一組磁鏡片聚焦 (Condenser Lens) 聚焦后,用隱蔽孔徑 (Condenser Aperture) 采用電子束的尺寸(Beam Size)后,經(jīng)過一組遏制電子束的掃描線圈,再透過物鏡 (Objective Lens) 聚焦,打在樣本上,在樣本的上側(cè)裝有訊號接受器,用以擇取二次電子 (Secondary Electron) 或背向散射電子 (Backscattered Electron) 成像。
5. 電子槍的需要個性是亮度要高、電子能量傳播 (Energy Spread) 要小,暫時常用的品種計有三種,鎢(W)真絲、六硼化鑭(LaB6)真絲、場放射 (Field Emission),各別的真絲在電子源巨細、交流電量、交流電寧靜度及電子源壽命等均有分別。
6. 熱游離辦法電子槍有鎢(W)真絲及六硼化鑭(LaB6)真絲兩種,它是運用高溫使電子具備充滿的能量去克復(fù)電子槍資料的功因變量(work function)能障而逃出。對放射交流電密度有宏大感化的變量是溫度和功因變量,但因操縱電子槍時均蓄意能以最低的溫度來操縱,以縮小資料的蒸發(fā),以是在操縱溫度不普及的情景下,就需沿用低功因變量的資料來普及放射交流電密度。
7. 價格最廉價運用最一致的是鎢真絲,以熱游離 (Thermionization) 式來放射電子,電子能量傳播為 2 eV,鎢的功因變量約為4.5eV,鎢真絲系從來徑約100μm,委曲成V形的細線,操縱溫度約2700K,交流電密度為1.75A/cm2,在運用中真絲的直徑跟著鎢絲的揮發(fā)變小,運用壽命約為40~80鐘點。
8. 六硼化鑭(LaB6)真絲的功因變量為2.4eV,較鎢絲為低,所以同樣的交流電密度,運用LaB6只有在1500K即可到達,并且亮度更高,所以運用壽命便比鎢絲高出很多,電子能量傳播為 1 eV,比鎢絲要好。但因LaB6在加熱時活性很強,以是必需在較好的真空情況下操縱,所以儀器的購買用度較高。
9. 場放射式電子槍則比鎢真絲和六硼化鑭真絲的亮度又辨別高出 10 - 100 倍,同聲電子能量傳播僅為 0.2 - 0.3 eV,以是暫時市場銷售的高辨別率掃描式電子顯微鏡都采用途放射式電子槍,其辨別率可高達 1nm 以次。
10. 場放射電子槍可細分紅三種:冷場放射式(cold field emission , FE),熱場放射式(thermal field emission ,TF),及蕭基放射式(Schottky emission ,SE)
11. 當(dāng)在真空間的非金屬外表遭到108V/cm巨細的電子加快磁場時,會有可觀數(shù)目的電子放射出來,此進程叫作場放射,其道理是高磁場使電子的電位妨礙爆發(fā) Schottky效力,亦縱然能障寬窄變窄,莫大變低,所以電子可徑直"穿隧"經(jīng)過此渺小能障并擺脫負極。場放射電子系從很鋒利的負極頂端所放射出來,所以可得極細而又具高交流電密度的電子束,其亮度可達熱游離電子槍的數(shù)百倍,或以至千倍。
12. 場放射電子槍所采用的負極資料必定是高強度資料,以能接受高電場合加諸在負極頂端的高板滯應(yīng)力,鎢即因高強度而變成較佳的負極資料。場放射槍常常以左右一組陽極來爆發(fā)接收電子、聚焦、及加快電子等功效。運用陽極的特出形狀所爆發(fā)的靜磁場,能對電子爆發(fā)聚焦功效,以是不復(fù)須要韋氏罩或電極。第一(上)陽極主假如變換場放射的拔出電壓(extraction voltage),以遏制針尖場放射的交流電強度,而第二(下)陽極主假如確定加快電壓,以將電子加快至所須要的能量。
13. 要從極細的鎢針尖場放射電子,非金屬外表必定實足純潔,無任何外路資料的亞原子或分子在其外表,縱然惟有一個外路亞原子落在外表亦會貶低電子的場放射,以是場放射電子槍必定維持超高真空度,來提防鎢負極外表積聚亞原子。因為超高真空擺設(shè)價錢極為振奮,以是普遍只有須要高辨別率SEM,要不較少采用途放射電子槍。
14. 冷場放射式最大的便宜為電子束直徑最小,亮度最高,所以印象辨別率最優(yōu)。能量傳播最小,故能革新在低電壓操縱的功效。為制止針尖被外路氣體吸附,而貶低場放射交流電,并使放射交流電不寧靜,冷場放射式電子槍必定在10-10 torr的真空度下操縱,固然如許,仍舊須要準(zhǔn)時短促加熱針尖至2500K(此進程叫作flashing),以去除所吸附的氣體亞原子。它的另一缺陷是放射的總交流電最小。
15. 熱場發(fā)式電子槍是在1800K溫度下操縱,制止了大部份的氣體分子吸附在針尖外表,以是受命了針尖flashing的須要。熱式能保護較佳的放射交流電寧靜度,并能在較差的真空度下(10-9 torr)操縱。固然亮度與冷式相一致,但其電子能量傳播卻比冷式大3~5倍,印象辨別率較差,常常較不常運用。
16. 蕭基放射式的操縱溫度為1800K,它系在鎢(100)單晶上鍍ZrO掩蓋層,ZrO將功因變量從純鎢的4.5eV降至2.8eV,而附加高磁場更使電位障壁變窄變低,使得電子很簡單以熱量的辦法跳過能障(并非穿隧效力),逃出針尖外表,所需真空度約10-8~10-9torr。其放射交流電寧靜度佳,并且放射的總交流電也大。而其電子能量傳播很小,僅稍遜于冷場放射式電子槍。其電子源直徑比冷式大,以是印象辨別率也比冷場放射式稍差一點。
17. 場放射夸大倍率由25倍到650000倍,在運用加快電壓15kV時,辨別率可到達1nm,加快電壓1kV時,辨別率可到達2.2nm。普遍鎢絲型的掃描式電子顯微鏡儀器上的夸大倍率可到200000倍,本質(zhì)操縱時,大部份均在20000倍時印象便不領(lǐng)會了,但即使樣本的外表形貌及導(dǎo)熱度符合,最大倍率 650000倍是不妨完畢的。
18. 因為對真空的訴求較高,有些儀器在電子槍及磁鏡片部份裝備了3組離子泵(ion pump),在樣本室中,擺設(shè)了2組分散泵(diffusion pump),在肌體外,以1組板滯泵控制粗抽,以是有6組巨細各別的真空泵來完畢超高真空的訴求,其余在樣本另有以液態(tài)氮冷卻的冷阱(cold trap),扶助維持樣本室的真空度。
19. 平常操縱,若要將樣本室真空亦維持在10-8pa(10-10torr),則抽真空的功夫?qū)⒆冮L而貶低儀器的便當(dāng)性,更減少儀器購買本錢,所以少許儀器安排了階段式真空(step vacuum),亦縱然電子槍、磁鏡片及樣本室的真空度依序貶低,并分紅三個部份來讀取真空計讀數(shù),如許可將樣本維持在真空度10-5pa的情況下即可操縱。平常待機或調(diào)換樣本時,為提防電子槍傳染,皆運用真空閥(gun valve)將電子槍及磁鏡片部份與樣本室分隔,本質(zhì)查看時再翻開使電子束經(jīng)過而妨礙到樣本。
20. 場放射式電子槍的電子爆發(fā)率與真空度有出色的聯(lián)系,其運用壽命也隨真空度變差而急遽減少,所以在樣本制備上必需特殊提防水氣,或恒定用的碳膠或銀膠能否烤干,免得在查看的進程中,真空遽然變差而感化真絲壽命,以至體例當(dāng)機。
21. 在電子顯微鏡中須商量到的像差(aberration)囊括:衍射像差(diffraction aberration)、球面像差(spherical aberration)、散光像差(astigmatism)及射程傳播像差(即色散像差,chromatic aberration)。
22. 面像差為物鏡中重要缺點,不易矯正,因偏離鏡片光軸之電子束偏折較大,其成像點較沿軸電子束成像之高斯成像平面(Gauss image plane)距鏡片為近。
23. 散光像差由鏡片磁場不對稱而來,使電子束在二彼此筆直平面之聚焦落在各別點上。散光像差普遍用散光像差積累器(stigmator)爆發(fā)與散光像差巨細溝通、目標(biāo)差異的像差矯正,暫時電子顯微鏡其聚光鏡及物鏡各有一組散光像差積累器。
24. 光圈衍射像差(Aperture diffraction):因為電子束經(jīng)過小光圈電子束爆發(fā)衍射局面,運用大光圈不妨革新。
25. 色散像差(Chromatic aberration):因經(jīng)過鏡片電子束能量分別,使得電子束聚焦后并不在同一點上。
26. 電子束和樣本效率體積(interaction volume),效率體積約罕見個忽米(μm)深,其深度大過寬窄而形勢一致梨子。此形勢乃源于彈性和非彈性碰撞的截止。低亞原子量的資料,非彈性碰撞較大概,電子較易穿進資料里面,較少向邊側(cè)碰撞,而產(chǎn)生梨子的頸部,當(dāng)穿透的電子流失能量形成較拙劣量時,彈性碰撞較大概,截止電子前進目標(biāo)偏差側(cè)邊而產(chǎn)生較大的梨形地區(qū)。
27. 在恒定電子能量時,效率體積和亞原子序成反比,乃因彈性碰撞之截表面積和亞原子序成正比,以至電子較易偏離從來道路而不許深刻樣本。
28. 電子束能量越大,彈性碰撞截表面積越小,電子行走路途目標(biāo)曲線而可深刻樣本,效率體積變大。
29. 電子束和樣本的效率有兩類,一為彈性碰撞,簡直沒有丟失能量,另一為非彈性碰撞,入射電子束會將部份能量傳給樣本,而爆發(fā)二次電子、背向散射電子、俄歇電子、X光、中波電磁噴射、電子-空隙平等。那些旗號可供SEM應(yīng)用者有二次電子、背向散射電子、X光、負極發(fā)亮、接收電子及電子束惹起交流電(EBIC) 等。
30. 二次電子(Secondary Electrons):電子束和樣本效率,可將傳導(dǎo)能帶(conduction band)的電子擊出,此即為二次電子,其能量約 < 50eV。因為是拙劣量電子,以是惟有在隔絕樣本外表約50~500?深度范疇內(nèi)所爆發(fā)之二次電子,才有時機逃出樣本外表而被偵測到。因為二次電子爆發(fā)的數(shù)目,會遭到樣本外表震動情景感化,以是二次電子印象不妨查看出樣本外表之形貌特性。
31. 背向散射電子(Backscattered Electrons):入射電子與樣本子爆發(fā)彈性碰撞,而逃出樣本外表的高能量電子,其電能即是或略小于入射電子的能量。背向散射電子爆發(fā)的數(shù)目,會因樣本元素品種各別而有分別,樣本中平衡亞原子序越高的地區(qū),開釋出來的背向散射電子越多,背向散射電子印象也就越亮,所以背向散射電子印象偶爾又稱為亞原子序比較印象。因為背向散射電子爆發(fā)于距樣本外表約5000?的深度范疇內(nèi),因為入射電子加入樣本里面較深,電子束已被散射飛來,所以背向散射電子印象辨別率不迭二次電子印象。
32. X光:入射電子和樣本舉行非彈性碰撞可爆發(fā)貫串X光和特性X光,前者系入射電子放慢所放出的貫串光譜,產(chǎn)生后臺確定最少領(lǐng)會之量,后者系一定能階間之能量差,可藉以領(lǐng)會因素元素。
33. 電子束引致交流電(Electron-beam induced Current , EBIC):當(dāng)一個p-n接面(Junction)經(jīng)電子束映照后,會爆發(fā)過多的電子-空隙對,那些載子分散時被p-n接面包車型的士磁場搜集,附加線路時即會爆發(fā)交流電。
34. 負極發(fā)亮(Cathodoluminescence):當(dāng)電子束爆發(fā)之電子-空隙對再貫串時,會放出百般射程電磁波,此為負極發(fā)亮(CL),各別資料發(fā)出各別臉色之光。
35. 樣本交流電(Specimen Current):電子束射到樣本上時,一部份爆發(fā)二次電子及背向散射電子,另一部份則留在樣本里,當(dāng)樣本接地時即爆發(fā)樣本交流電。
36. 電子偵測器有兩種,一種是閃耀計數(shù)器偵測器(Scintillator),常用來偵測能量較低的二次電子,另一種是固態(tài)偵測器(solid state detector),則用來偵測能量較高的曲射電子。
37. 感化電子顯微鏡印象品德的成分:
A. 電子槍的品種:運用場放射、LaB6或鎢絲的電子槍。
B. 電磁鏡片的完備度。
C. 電磁鏡片的型式: In-lens ,semi in-lens, off-lens
D. 樣本室的純潔度: 制止粉塵、水氣、油氣等傳染。
E. 操縱前提: 加快電壓、處事交流電、儀器安排、樣本處置、真空度。
F. 情況成分: 振蕩、磁場、樂音、接地。
38. 怎樣做好SEM的印象,普遍由樣本的品種和所要的截止來確定查看前提,安排符合的加快電壓、處事隔絕 (WD)、符合的樣本歪斜,采用符合的偵測器、安排符合的電子束交流電。
39. 普遍來說,加快電壓普及,電子束射程越短,表面上,只商量電子束直徑的巨細,加快電壓愈大,可獲得愈小的聚焦電子束,所以普及辨別率,但是普及加快電壓卻有少許不行忽略的缺陷:
A. 沒轍看到樣本外表的渺小構(gòu)造。
B. 會展示不凡是的邊際效力。
C. 電荷積聚的大概性增高。
D. 樣本傷害的大概性增高。
所以符合的加快電壓安排,才可贏得最明顯的印象。
40. 符合的處事隔絕的采用,不妨獲得最佳的印象。較短的處事隔絕,電子訊號接受較佳,不妨獲得較高的辨別率,然而景深減少。較長的處事隔絕,辨別率較差,然而印象景深較長,外表震動較大的樣本可獲得較平均明顯的印象。
41. SEM樣本若為非金屬或?qū)嵝越艹?,則外表不需任何處置,可徑直查看。若為非半導(dǎo)體,則需鍍上一層非金屬膜或碳膜扶助樣本導(dǎo)熱,膜層應(yīng)平均無鮮明特性,以制止干預(yù)樣本外表。非金屬膜較碳膜簡單鍍,實用于SEM印象查看,常常為Au或Au-Pd合金或Pt。而碳膜較適于X光微辨別析,主假如由于碳的亞原子序低,不妨縮小X光接收。
42. SEM樣本制備普遍規(guī)則為:
A. 表露出所欲領(lǐng)會的場所。
B. 外表導(dǎo)熱性杰出,需能廢除電荷。
C. 不得有松動的粉末或碎屑(以制止抽真空時粉末飛騰傳染鏡柱體)。
D. 需耐熱,不得有熔融揮發(fā)的局面。
E. 不許含液狀或膠狀物資,免得蒸發(fā)。
F. 非半導(dǎo)體外表需鍍金(印象查看)或鍍碳(成份領(lǐng)會)。
43. 鍍導(dǎo)熱膜的采用,在夸大倍率低于1000倍時,不妨鍍一層較厚的Au,以普及導(dǎo)熱度??浯蟊堵实陀?0000倍時,不妨鍍一層Au來減少導(dǎo)熱度??浯蟊堵实陀?00000倍時,不妨鍍一層Pt或Au-Pd合金,在勝過100000時,以鍍一層超薄的Pt或Cr膜較佳。
44. 電子束與樣本效率,當(dāng)內(nèi)層電子被擊出后,外層電子掉入亞原子內(nèi)層電子軌跡而放出X光,各別亞原子序,各別能階電子所爆發(fā)的X光各不溝通,稱為特性X光,領(lǐng)會特性X光,可領(lǐng)會樣本元素成份。
45. 領(lǐng)會特性X光的辦法,可領(lǐng)會特性X光的能量散布,稱為EDS,或領(lǐng)會特性X光的射程,稱為WDS。X光能譜的辨別率,在EDS中約有100~200eV的辨別率,在WDS中則有5~10eV的辨別率。因為EDS的辨別率較WDS差,所以在能譜的領(lǐng)會上,較易爆發(fā)重迭的景象。
46. 因為電子束與樣本效率的效率體積(interaction volume)的聯(lián)系,特性X光的爆發(fā)和效率體積的巨細相關(guān),所以在平面包車型的士樣本中,EDS或WDS的空間辨別率,受限于效率體積的巨細。
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