此刻電子封裝基板的品種很多，常用的基板重要分為塑料封裝基板、非金屬封裝基板和陶瓷封裝基板。塑料封裝資料常常導(dǎo)熱率低、真實(shí)性差，不符合高的訴求。非金屬封裝資料導(dǎo)熱系數(shù)高，但普遍熱伸展系數(shù)不配合，價(jià)錢高。

dpc陶瓷基板

重要陶瓷基板常用來電子封裝與塑料基板和非金屬基板比擬，陶瓷基板具備以次便宜：

1）絕緣線本能好，真實(shí)性高；

2）介電系數(shù)低，高頻本能好；

3）熱伸展系數(shù)低，導(dǎo)熱系數(shù)高；

4）氣密性好，化學(xué)本能寧靜，對(duì)電子體例起到很強(qiáng)的養(yǎng)護(hù)效率；

所以陶瓷基板，它實(shí)用于宇航、航天和軍事工程高真實(shí)性、高頻耐高溫、氣密性的產(chǎn)物包裝。超袖珍貼片電子元件普遍運(yùn)用于挪動(dòng)通信、計(jì)劃?rùn)C(jī)、家電和公共汽車電子等范圍，其載體資料常沿用陶瓷基板封裝。

暫時(shí)幾種常用的電子封裝陶瓷基板資料有氧化鐵、氮化鋁、氮化硅、碳化硅、氮化硼、氧化鈹。

1、氧化鐵陶瓷基板

氧化鐵陶瓷基板普遍是指以氧化鐵為重要材料，重要為氧化鐵晶相，氧化鐵含量在各類陶瓷中的75%之上，材料根源充分，本錢低、板滯強(qiáng)度和硬度高，絕緣本能好并具備熱報(bào)復(fù)本能好、耐化學(xué)侵蝕、尺寸精度高、與非金屬附效力好等便宜，是一種歸納本能較好的陶瓷基板資料。氧化鐵陶瓷基板普遍運(yùn)用于電子產(chǎn)業(yè)，占陶瓷基板總量的90%，已變成電子產(chǎn)業(yè)不行缺乏的資料。

氧化鐵陶瓷基板

氧化鐵陶瓷基板固然產(chǎn)量大運(yùn)用普遍，但因?yàn)槠鋵?dǎo)熱率比單晶硅高，在高頻、大功率和超大范圍集成通路的運(yùn)用上遭到控制。

2、氮化鋁陶瓷基板

氮化鋁陶瓷基板是一種新式基板資料，氮化鋁晶體的晶格常數(shù)為a=0.3110nm，c=0.4890nm，六方晶系，鑒于氮化鋁四周體構(gòu)造單位的釬鋅礦共價(jià)鍵復(fù)合物，具備杰出的導(dǎo)熱性、真實(shí)的電絕緣性、低介電常數(shù)和介電耗費(fèi)、無毒、與硅的熱伸展系數(shù)相配合等一系列崇高個(gè)性，被覺得是新一代高集成度半半導(dǎo)體基板和電子封裝的理念采用資料。

氮化鋁陶瓷基板

氮化鋁陶瓷基板中心材料氮化鋁粉的制備工藝攙雜、能源消耗高、周期長(zhǎng)、本錢高。高本錢控制了氮化鋁陶瓷基板的普遍運(yùn)用，所以氮化鋁陶瓷基板重要運(yùn)用于高端行業(yè)。

3、氮化硅陶瓷基板

氮化硅具備三種晶體構(gòu)造，個(gè)中氮化硅最罕見的樣式，均為六方構(gòu)造。氮化硅具備硬度大、強(qiáng)度高、熱伸展系數(shù)小、抗氧化性好、熱侵蝕本能好、沖突系數(shù)小等很多崇高本能。單晶氮化硅的表面熱導(dǎo)率高達(dá)400W/（m.k），具備變成高熱導(dǎo)率襯底的后勁。其余，氮化硅的熱伸展系數(shù)約為3.0x10-6℃，與Si、SiC、GaAs等資料具備杰出的配合性，使氮化硅陶瓷基板變成特殊有吸吸力的高強(qiáng)度高導(dǎo)熱元器件基板資料。

氮化硅陶瓷基板

但是，氮化硅陶瓷介電本能較差（介電常數(shù)為8.3，介電耗費(fèi)為0.001~0.1），消費(fèi)本錢高控制了其動(dòng)作電子封裝陶瓷基板的運(yùn)用。

4、碳化硅陶瓷基板

碳化硅陶瓷基板具備較高的熱導(dǎo)率，在高溫下為100w/(m·k)～400W/(m·k)，是氧化鐵的13倍。抗氧化本能好領(lǐng)會(huì)溫度在2500℃之上，在1600℃的氧化氛圍中仍可運(yùn)用，并且電絕緣性好，熱伸展系數(shù)低于氧化鐵和氮化鋁，碳化硅陶瓷基板具備強(qiáng)共價(jià)鍵個(gè)性難以燒結(jié)。常常增添小批硼或氧化鐵動(dòng)作燒結(jié)助劑以普及密度。試驗(yàn)表白，鈹、硼、鋁及其復(fù)合物是最靈驗(yàn)的增添劑，可使SiC陶瓷的密度到達(dá)98%之上。

碳化硅陶瓷基板

但碳化硅的介電常數(shù)太高，是氮化鋁的4倍，抗壓強(qiáng)度低，只符合低密度封裝，不符合高密度封裝。除集成通路元件、陣列元件和激光二極管等外，還用來具備導(dǎo)熱性的構(gòu)造件。

5、氧化鈹陶瓷基板

氧化鈹是僅有六方釬鋅礦構(gòu)造的堿土非金屬氧化學(xué)物理，因?yàn)檠趸斁邆淅w鋅礦和強(qiáng)共價(jià)鍵構(gòu)造，對(duì)立分子品質(zhì)低，所以具備較高的熱導(dǎo)率，氧化鈹是氧化鐵的10倍安排，其熱導(dǎo)率在常溫可達(dá)250 w/(m·K)，與非金屬的導(dǎo)熱性好，在高溫、高頻下，其電本能好，耐熱性好，耐熱報(bào)復(fù)性好，化學(xué)寧靜性好。

陶瓷非金屬化

固然氧化鈹有少許杰出的本能，但其沉重的缺陷是其粉末的極其毒性。長(zhǎng)久吸入氧化鈹粉塵會(huì)惹起酸中毒以至危及人命，還會(huì)形成情況傳染，極地面感化氧化鈹陶瓷基板的消費(fèi)和運(yùn)用[5]。其余，氧化鈹消費(fèi)本錢高，控制了其消費(fèi)和運(yùn)用。其用處僅限于以次幾個(gè)上面：大功率晶體管的散熱片、高頻大功率半半導(dǎo)體器件的散熱片、放射管、TWTS、激光管、速調(diào)管等。氧化鈹陶瓷基板偶爾用來宇航電子和衛(wèi)星通訊具備高導(dǎo)熱性和理念的高頻個(gè)性。

6、氮化硼陶瓷基板

氮化硼不妨以兩種各別的情勢(shì)結(jié)晶：六方晶和立方晶。個(gè)中立方晶BN硬度高，耐高溫1500~1600℃，實(shí)用于超硬資料。在精確的熱處置下，六方氮化硼不妨在特殊高的溫度下維持很高的化學(xué)和板滯寧靜性。BN資料具備較高的熱寧靜性、化學(xué)寧靜性和電絕緣性，同聲BN陶瓷的熱導(dǎo)率與常溫不銹鋼十分，介電本能好。BN比大普遍陶瓷脆性好，熱伸展系數(shù)小，抗熱震性強(qiáng)，能接受1500℃之上時(shí)差的急巨變化。

陶瓷基板模塊

立方BN和六方BN都是在高溫高壓下制備的，都是典范的共價(jià)鍵晶體。因?yàn)槠鋵?dǎo)熱系數(shù)高，導(dǎo)熱系數(shù)簡(jiǎn)直不隨溫度變革，介電常數(shù)小，絕緣本能好，BN被運(yùn)用于雷達(dá)窗口、大功率晶體管的管座、管殼、散熱片和微波輸入窗口。但立方BN太貴，不許用來消費(fèi)高導(dǎo)熱陶瓷資料。熱伸展系數(shù)與硅的不配合也控制了它的運(yùn)用。

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