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電力電子常見(jiàn)的igbt種類的簡(jiǎn)單介紹

類別:電子電器回收 作者:jackchao 發(fā)布時(shí)間:2021-12-03 瀏覽人次:1633

2 開關(guān)器件在導(dǎo)通時(shí)的損耗器件具體損耗要看手冊(cè)并且根據(jù)提供者給出的軟件仿真測(cè)試3 除了開關(guān)器件,電力二極管在導(dǎo)通和恢復(fù)過(guò)程中也有很大的能量損耗 4 開關(guān)器件IGBT mosfet什么的的電容和電感能量轉(zhuǎn)化造成的;常用全控型電力電子器件門極可關(guān)斷晶閘管電壓控制型器件電力晶體管絕緣柵雙極晶體管電流控制型器件電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管單相橋式整流電路中,晶閘管承受的最大正向電壓和反向電壓分別為sqrt2U2和sqrt2U按照。

IGBTInsulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT雙極型三極管和MOS絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)IGBT的開關(guān);它的主要參數(shù)是最大電流ICM最高反壓VcesIGBT是電壓觸發(fā)型器件,工作原理是在柵極“G”上加上一個(gè)高于射極“E”的電壓,那么集電極“C”和射極“E”之間變成低阻導(dǎo)通狀態(tài)如果柵極“G”的電壓小于或。

MOSFET 開關(guān)速度快,輸入阻抗高,熱穩(wěn)定性好,所需驅(qū)動(dòng)功率小且驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單,工作頻率高,不存在二次擊穿問(wèn)題 電流容量小,耐壓低,一般只適用于功率不超過(guò)10kW的電力電子裝置IGBT絕緣柵雙極晶體管它綜合了GTR和mosfet的。

1常用的電力電子器件有SCR普通晶閘管,雙向SCR雙向晶閘管,GTR高功率晶體管,MOSFET功率場(chǎng)效應(yīng)管,IGBT絕緣柵門控雙極型晶體管,GTO可關(guān)斷晶閘管,IGCT換流關(guān)斷晶閘管等第一章電力電子;這個(gè)只能比較大多數(shù)情況, IGBT因?yàn)橛型衔铂F(xiàn)象所以一般頻率不如MOS管,超過(guò)100KHz就算很高了,而VMOS就可以更高 SCR頻率就低了一般也就幾百Hz,GTO比SCR高不了多少,GTR稍高可到幾K最多幾十K 所以SCRltGTOltGTRlt。

1電壓驅(qū)動(dòng)型器件,例如IGBTMOSFETSITH靜電感應(yīng)晶閘管2電流驅(qū)動(dòng)型器件,例如晶閘管GTOGTR三根據(jù)驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的有效信號(hào)波形分類1脈沖觸發(fā)型,例如晶閘管GTO2電子;3不可控器件,例如電力二極管二按照驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號(hào)的性質(zhì)分類1電壓驅(qū)動(dòng)型器件,例如IGBTMOSFETSITH靜電感應(yīng)晶閘管2電流驅(qū)動(dòng)型器件,例如晶閘管GTOGTR三根據(jù)驅(qū)動(dòng)。

為了防止電力系統(tǒng)內(nèi)部和外部過(guò)電壓對(duì)變電站造成的安全事故,變電站中通常會(huì)安裝避雷器避雷針接地網(wǎng)等過(guò)電壓保護(hù)裝置而作為重要防雷裝置之一的避雷器,在變電站的防護(hù)中是非常常見(jiàn)的今天,鈞和電子為您分享變電站應(yīng)用的;IGBT模塊具有節(jié)能安裝維修方便散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)當(dāng)前市場(chǎng)上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品,一般所說(shuō)的IGBT也指IGBT模塊隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn),此類產(chǎn)品在市場(chǎng)上將越來(lái)越多見(jiàn)IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?,俗稱電力電子。

又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn),其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi),在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用,在較高頻率的大中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位IGBT絕緣柵;IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是電力晶體管和場(chǎng)效應(yīng)管復(fù)合件,兼具兩者性能。

電壓驅(qū)動(dòng)型器件,例如IGBTPower MOSFETSITH靜電感應(yīng)晶閘管電流驅(qū)動(dòng)型器件,例如晶閘管GTOGTR3根據(jù)驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的有效信號(hào)波形分類脈沖觸發(fā)型,例如晶閘管GTO電子控制型;屬容性負(fù)載,一般在2~4nF之間功率消耗甚微,但是為了得快速的上升下降邊沿,驅(qū)動(dòng)需要一定的功率儲(chǔ)備。

用得最多的是MOSFET和IGBT,其次還有GTO,GTR等,可以分為電壓驅(qū)動(dòng)型和電流驅(qū)動(dòng)型,單極型和雙極型,可以看王兆安的電力電子書,分類很詳細(xì)。

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