根源：天風(fēng)證券

第 一 期

主講貴賓：和巍巍，深圳基礎(chǔ)半半導(dǎo)體有限公司總司理，國(guó)度萬人安置大師，華夏半半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)理事。2007年結(jié)業(yè)于清華東軍政大學(xué)學(xué)電機(jī)系，2014年結(jié)業(yè)于劍橋大學(xué)獲風(fēng)力電子專科碩士學(xué)位。重要接洽目標(biāo)為功率半半導(dǎo)體器件IGBT及碳化硅MOSFET的仿真、安排、創(chuàng)造及運(yùn)用，在國(guó)際馳名期刊和聚會(huì)上公布多篇輿論，在功率半半導(dǎo)體器件和運(yùn)用范圍具有專利二十余項(xiàng)。

把持人：陳豪杰，天風(fēng)證券接洽所電子高檔領(lǐng)會(huì)師。曾先后就任于ADI， Fairchild， Teradyne 等美國(guó)資金半半導(dǎo)體公司，具有充分的半半導(dǎo)體工作體味。

本期中心：第三代半半導(dǎo)體——碳化硅功率器件本領(lǐng)及運(yùn)用

時(shí) 間：3月5日（周四）下晝15:30-17:00

觀 點(diǎn) 精 要

● 碳化硅功率器件具備高頻、 高效、 高溫、 高壓等上風(fēng)，是下一代功率器件的興盛目標(biāo)。

●受高效電源、電動(dòng)公共汽車等行業(yè)的需要啟動(dòng)，碳化硅功率器件將來商場(chǎng)含量將以勝過30％的年復(fù)合延長(zhǎng)率興盛，估計(jì)2027年商場(chǎng)含量到達(dá)120億美元。

●電動(dòng)車公有四個(gè)元件不妨用到碳化硅，辨別是車載充氣器OBC、DC-DC的變幻器，以及DC-AC主逆變器。

●外延的成長(zhǎng)步驟碳化硅須要的溫度更高，退火的步驟也須要溫度更高，摻雜的濃淡、粒子濃淡也會(huì)有少許各別，這是碳化硅本領(lǐng)的難點(diǎn)。

●本年小米頒布氮化鎵的充氣器激勵(lì)了大師的關(guān)切，客歲寰球有300萬、500萬臺(tái)運(yùn)用氮化鎵快充的產(chǎn)物，本年猜測(cè)會(huì)到達(dá)1500萬臺(tái)安排的量級(jí)。

和巍巍&陳豪杰圓臺(tái)對(duì)話精選

以新動(dòng)力車為代辦，碳化硅MOSFET未來代替IGBT，本錢端何時(shí)可低沉到一致程度，得以大范圍鋪開？

海內(nèi)幾個(gè)步驟與海內(nèi)比擬，哪個(gè)差異最大？

行業(yè)能否會(huì)展示求過于供的情景？能否有提高價(jià)格趨向？

A股有哪些碳化硅的掛牌公司？

會(huì) 議 實(shí) 錄

【陳豪杰】：諸位入股人大師好，我是天風(fēng)半半導(dǎo)體領(lǐng)會(huì)師陳豪杰，即日有幸加入由力合本錢和天風(fēng)證券接洽所一道主持的震動(dòng)，咱們主假如在二級(jí)商場(chǎng)上做入股領(lǐng)會(huì)，從二級(jí)商場(chǎng)觀點(diǎn)動(dòng)身，對(duì)于任何一個(gè)新興的目標(biāo)城市特殊關(guān)心。半半導(dǎo)體的觀點(diǎn)，咱們覺得從勝過摩爾定理這條道路上去看，將來跟著卑劣的器件高壓、高頻等百般本能訴求漸漸的提高，新資料利害常有出息的目標(biāo)，重要囊括三代復(fù)合物：碳化硅、氮化鎵，咱們漸漸看到那些產(chǎn)物、資料、器件在寰球范疇內(nèi)漸漸實(shí)行。

碳化硅這個(gè)器件來看，從第一代碳化硅的SBD，漸漸到此刻的碳化硅MOSFET，也體驗(yàn)了大約二十有年的開拓過程。

咱們也看到碳化硅那些器件漸漸在各個(gè)范圍上獲得了特殊普遍的運(yùn)用，不妨說利害常有后勁、興盛的商場(chǎng)，更加是在高壓風(fēng)力的這塊運(yùn)用場(chǎng)景上，不管是海內(nèi)仍舊海內(nèi)，中心的龍頭公司都紛繁在構(gòu)造，像ST、CREE都對(duì)碳化硅的構(gòu)造做得特殊透。海內(nèi)也有很多的公司，比方泰科天潤(rùn)也漸漸切入如許的范圍，囊括今天性享的基礎(chǔ)半半導(dǎo)體都在往這個(gè)目標(biāo)做。

行業(yè)的層面上去說，咱們覺得2020年此后看，行業(yè)復(fù)合增長(zhǎng)速度在40％安排，暫時(shí)寰球商場(chǎng)是在5.5億美金安排，年年以40％的速率在延長(zhǎng)，這利害常有后勁和增長(zhǎng)速度的商場(chǎng)。

咱們也看到Model3發(fā)端用到碳化硅MOSFET，咱們感觸碳化硅的資料跟著商場(chǎng)關(guān)心度及運(yùn)用的趨向，更加是在新動(dòng)力車的啟動(dòng)下，將來會(huì)有特殊大的延長(zhǎng)空間。

不管是寰球仍舊海內(nèi)大師都是朝這個(gè)目標(biāo)開拓和全力，咱們覺得這條道路在本錢商場(chǎng)上去看也利害常有遠(yuǎn)景的，本錢商場(chǎng)或是二級(jí)商場(chǎng)上有些掛牌公司也發(fā)端切入這塊范圍，給的估值也是對(duì)立比擬高的，這塊的商場(chǎng)遠(yuǎn)景利害常輝煌的，決定性趨向比擬強(qiáng)，咱們特殊看好碳化硅，以碳化硅為代辦的第三代復(fù)合物的遠(yuǎn)景。

我這邊長(zhǎng)途電話短說，接下來把功夫交給和總。和老是深圳基礎(chǔ)半半導(dǎo)體引導(dǎo)，主假如以碳化硅器件開拓、功率器件開拓為主，和總有特殊充分的財(cái)產(chǎn)體味，他的瓜分確定會(huì)給咱們帶來特殊大的成果，接下來請(qǐng)和總講一下關(guān)至今天的瓜分中心，感謝大師！

【和巍巍】：大師好！我是深圳基礎(chǔ)半半導(dǎo)體的和巍巍，即日特殊欣喜和大師瓜分一下第三代半半導(dǎo)體碳化硅功率器件本領(lǐng)和運(yùn)用的題目。

即日我跟大師瓜分一下碳化硅功率器件的實(shí)質(zhì)，重要分為四個(gè)局部：一是大略引見一下財(cái)產(chǎn)的情景；二是碳化硅三種典范的運(yùn)用；三是最新的本領(lǐng)發(fā)達(dá)，資料、器件、封裝、啟動(dòng)四個(gè)目標(biāo)引見；四是對(duì)咱們公司的引見。

| 財(cái)產(chǎn)情景：資料上風(fēng)、財(cái)產(chǎn)后臺(tái)

開始給大師引見一下碳化硅的上風(fēng)，它的禁帶寬窄、臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)，碳化硅出色于硅2-10倍，比擬符合高頻的運(yùn)用，IGBT處事頻次在20K，碳化硅100K赫茲不妨高效的運(yùn)轉(zhuǎn)。他的電門耗費(fèi)、導(dǎo)通耗費(fèi)小，處事溫度比擬高，硅的處事結(jié)溫是150度到200度，碳化硅表面上不妨勝過200度。它再有一個(gè)個(gè)性是不妨做少許比擬高壓的器件，不妨做10kV之上的器件。

因?yàn)樗行涡紊纳巷L(fēng)，暫時(shí)在600伏之上的風(fēng)力電子范圍，比方說FPC電源、光伏逆變器、新動(dòng)力公共汽車的電機(jī)遏制器、車載充氣機(jī)、DC-DC及充氣樁有很多的運(yùn)用，跟著價(jià)錢的低沉，在白色家用電器、軌跡交通、調(diào)理擺設(shè)、主力軍工也會(huì)獲得比擬多的運(yùn)用。

商場(chǎng)方才陳總也引見了，商場(chǎng)含量是5億美元安排，跟著電動(dòng)公共汽車行業(yè)的需要啟動(dòng)，此刻的延長(zhǎng)速率勝過30％，也有的說40％到50％，總的來說延長(zhǎng)的速率比擬快，有一個(gè)組織猜測(cè)到2027年碳化硅的功率器件的商場(chǎng)含量不妨到達(dá)120億，仍舊比擬可觀的數(shù)字。

引見一下寰球碳化硅財(cái)產(chǎn)鏈上的公司，這個(gè)財(cái)產(chǎn)鏈分為幾個(gè)步驟，從SiC、外延、安排、工藝、封裝以及體例的集成。不妨按每個(gè)公司超過幾個(gè)財(cái)產(chǎn)鏈的步驟分為幾種：IDM公司，比方說典范的CREE旗下的Wolfspeed，和阿曼的ROHM，她們超過所有財(cái)產(chǎn)鏈。

也有少許公司只做內(nèi)里的某少許步驟，襯底步驟除去CREE公司做得比擬好除外，再有美利堅(jiān)合眾國(guó)的道康寧，再有美利堅(jiān)合眾國(guó)的Ⅱ-Ⅵ，海內(nèi)做得比擬好的有山東天岳（華為的哈勃入股2019年入股了山東天岳），其余再有一家北京的天科合達(dá)，再有瑞典的NORSTEL，它被ST公司全資采購。

外延上面做得比擬好的是阿曼企業(yè)和臺(tái)灣嘉晶，海內(nèi)有瀚每天成和東莞天域做外延比擬好。器件安排行業(yè)的公司比擬多，國(guó)際上逼近20家公司，海內(nèi)咱們覺得做得比擬好的有泰科天潤(rùn)、基礎(chǔ)半半導(dǎo)體，再有中央電影企業(yè)股份有限公司13所、55所的接洽所也在做，這是財(cái)產(chǎn)鏈大約的引見。

海內(nèi)的情景還算不錯(cuò)，一個(gè)國(guó)度不妨完備的做第三代半半導(dǎo)體碳化硅所有財(cái)產(chǎn)鏈的也沒有幾個(gè)國(guó)度，也即是阿曼、美利堅(jiān)合眾國(guó)、華夏，咱們國(guó)度是所有財(cái)產(chǎn)鏈都能做，財(cái)產(chǎn)鏈每個(gè)步驟和國(guó)際進(jìn)步的程度再有少許分別，比方說襯底步驟，國(guó)際上仍舊做到8寸的襯底，海內(nèi)只能做到6寸。

器件的步驟，MOSFET惟有咱們公司量產(chǎn)碳化硅的MOSFET，海內(nèi)其余的公司大概還在工程樣本的階段。海內(nèi)對(duì)碳化硅特殊關(guān)心，當(dāng)局和民間都加入了洪量的資源，將來會(huì)減少和海外的差異。

國(guó)際上的大公司對(duì)這個(gè)行業(yè)也利害?？粗械模鼛啄昙尤刖揞~資金來減少對(duì)這個(gè)行業(yè)的加入，舉個(gè)例子，比方說美利堅(jiān)合眾國(guó)的CREE公司，頒布入股10億美元，生產(chǎn)能力將來五年夸大十倍。阿曼的羅姆入股45億群眾幣，生產(chǎn)能力夸大16倍。韓國(guó)的SKSiltron做8寸、12寸的硅片比擬好，她們也把交易范圍以采購的辦法夸大到碳化硅的范圍，其余少許公司像英飛凌、昭和電工也有比擬大的入股動(dòng)作，證明海內(nèi)和海外都利害?？春眠@個(gè)行業(yè)的。

| 典范運(yùn)用：電動(dòng)公共汽車、主力軍工、軌跡交通

1、電動(dòng)公共汽車，所有有四個(gè)元件不妨用到碳化硅，車上的有三個(gè)，辨別是車載充氣器OBC、DC-DC的變幻器，以及DC-AC主逆變器，前方兩個(gè)元件洪量運(yùn)用碳化硅的二極管和碳化硅的MOSFET，比亞迪和一汽新動(dòng)力仍舊在用了，DC-AC主逆變器做得比擬早的是豐田，她們2010年發(fā)端試用碳化硅的主逆變器，反面的興盛大概是由于少許本領(lǐng)和財(cái)產(chǎn)的題目，沒有大范圍的上。第一個(gè)上的是特斯拉Model3，他是用了24個(gè)小的器件做串聯(lián)，每個(gè)用的是小的單管的器件。干什么在車?yán)?，那些車企承諾用碳化硅的器件，它不妨減小逆變器的體積、減小分量，它不妨提高所有功效，耗費(fèi)會(huì)小少許。

這是2017年、2018年意法半半導(dǎo)體碳化硅和硅的本能比較，跟著本領(lǐng)的超過，此刻普遍最新的接洽覺得，碳化硅不妨普及三到八個(gè)百分點(diǎn)的功效，對(duì)公共汽車來說，同樣的續(xù)航歷程下不妨減小3到8個(gè)百分點(diǎn)的干電池耗費(fèi)，大師領(lǐng)會(huì)干電池是比擬貴的，完全的體例本錢大概是保持平衡大概是低沉的。

很多的公司安置在2022年或是2023年發(fā)端洪量運(yùn)用碳化硅的器件。車規(guī)半半導(dǎo)體有少許特殊的特性，比方說產(chǎn)物開拓周期長(zhǎng)、行業(yè)壁壘高，最低的訴求是要有16949體制的訴求，對(duì)簡(jiǎn)直的器件，分立器件有AEC-Q101的訴求，模塊有ISO26262的訴求，各別的車廠有各別的訴求。芯片的考證功夫起碼須要兩三年本領(lǐng)實(shí)行車規(guī)認(rèn)證而且加入到整車的供給鏈，功夫周期是比擬長(zhǎng)的。一旦加入整車的供給鏈，供貨周期也會(huì)比擬長(zhǎng)，車型的人命周期大概有五到十年，不妨比擬寧靜的供貨，有寧靜的協(xié)作聯(lián)系。

2、主力軍工，比方說高能兵戈、全電坦克車的電源、鐵鳥和艦載的電源，再有雷達(dá)電子、衛(wèi)星也是不妨用到碳化硅的器件。

3、軌跡交通，阿曼的《朝陽消息》通訊，本年阿曼新主線最新的型號(hào)N700S在牽引逆變器，主逆變器常常功率特殊大，常常到達(dá)兆瓦級(jí)別，她們會(huì)用碳化硅的器件動(dòng)作中心的功率器件，不妨縮小分量、體積，功效還不妨普及。海內(nèi)的中車在發(fā)展相映的接洽，我看到仍舊有通訊說，她們用了攙和型的模塊，電門器件用IGBT，串聯(lián)的碳化硅二極管在云南的地下鐵路線路上試運(yùn)轉(zhuǎn)，海內(nèi)也有這上面的接洽。

| 本領(lǐng)發(fā)達(dá)：資料、器件、封裝、啟動(dòng)

給大師引見少許財(cái)產(chǎn)鏈的觀念，開始是高純的粉末，粉末在單晶爐里，這個(gè)火爐和藍(lán)寶石消費(fèi)的單晶爐比擬像，須要高溫的情況，單晶爐里消費(fèi)成碳化硅的晶錠，經(jīng)過切、磨、拋三道大的歲序獲得碳化硅的襯底，襯底再拿到碳化硅的外延爐長(zhǎng)碳化硅的外延，獲得外延片此后拿到晶圓廠做光刻、離子注入、非金屬鈍化、退火等。做完前道再做后道，獲得一顆一顆小的芯片，芯片再送給封裝廠，封裝因素立器件，結(jié)果再把器件送給擺設(shè)廠商，集成到形形色色的擺設(shè)運(yùn)用里，這是碳化硅財(cái)產(chǎn)鏈的制備進(jìn)程。

開始引見一下襯底，襯底是邇來幾年興盛得比擬快，很多合流廠商加入到6英尺襯底的消費(fèi)步驟，最新的像科銳公司仍舊展現(xiàn)了她們8英尺的襯底樣本和加工好的晶圓樣本，她們是在2022年、2023年安排發(fā)展8英尺的消費(fèi)，走得真實(shí)是比擬靠前的。

碳化硅對(duì)立來說晶格的構(gòu)造更精致少許，沒方法用硅拉單晶的本領(lǐng)，惟有在高壓和高溫的情況中本領(lǐng)成長(zhǎng)，合流的PVT本領(lǐng)，大師不妨看這幅圖（見PPT），單晶爐里，一致一個(gè)健將樣的貨色放在上頭，底下是碳化硅的粉末，在高溫的情況下升華，升華此后凍結(jié)在上頭，結(jié)果越長(zhǎng)越大，結(jié)果長(zhǎng)大晶錠，結(jié)果再加工成一片一片的襯底，這是暫時(shí)合流的成長(zhǎng)本領(lǐng)，很多大公司用這種本領(lǐng)。

外延爐里經(jīng)過反饋堆，襯底會(huì)有小的斜切，會(huì)一層一層外延遲上去，長(zhǎng)大須要的厚薄，須要經(jīng)過遏制氣體的比率遏制摻雜的濃淡，結(jié)果獲得碳化硅的外延片。

襯底和外延的成長(zhǎng)進(jìn)程中，會(huì)有比擬多的缺點(diǎn)，這種成長(zhǎng)本領(lǐng)對(duì)立是比擬攙雜的，硅的拉單晶本領(lǐng)不妨做的純度特殊高，6個(gè)9以至更高，碳化硅會(huì)有幾個(gè)重要缺點(diǎn)，Dowfall、Mcropipe、Carrot、Triagle。

即使一個(gè)器件包括一個(gè)缺點(diǎn)，這個(gè)器件大概即是不對(duì)格的，完全的良率會(huì)貶低，資料供給商想形形色色的工藝方法縮小資料上的缺點(diǎn)，結(jié)果做出的器件本能更好、良率也會(huì)更高。

碳化硅器件的工藝開拓過程，大略不妨分為三個(gè)大的辦法：模仿仿真、工藝開拓、嘗試領(lǐng)會(huì)。開始在仿真軟硬件里就構(gòu)造做模仿仿真，定出幅員安排，安排好的幅員舉行真實(shí)的工藝實(shí)行，先是長(zhǎng)外延再唱工藝的加工光刻等一系列的辦法，結(jié)果獲得碳化硅的晶圓片，再做幾種嘗試，CP嘗試，再劃片嘗試電本能，再做老化等真實(shí)性的嘗試，結(jié)果還要做少許妨害性的嘗試，高溫、高壓的情景下，長(zhǎng)功夫的運(yùn)轉(zhuǎn)，領(lǐng)會(huì)薄缺點(diǎn)在何處，再把一切嘗試的截止反應(yīng)給模仿仿真舉行優(yōu)化，優(yōu)化好的截止再做一次工藝實(shí)行和領(lǐng)會(huì)，幾個(gè)輪回做起來，普遍不妨獲得適合訴求的器件。

工藝實(shí)行的進(jìn)程中，碳化硅也有少許各別，硅是不通明，碳化硅是半通明，基臺(tái)要做處置和安排。外延的成長(zhǎng)步驟碳化硅須要的溫度更高，退火的步驟也須要溫度更高，摻雜的濃淡、粒子濃淡也會(huì)有少許各別，這是碳化硅本領(lǐng)的難點(diǎn)。

器件的構(gòu)造來看，碳化硅的器件構(gòu)造和硅的構(gòu)造利害常近的，一切硅不妨做的器件，碳化硅用特殊逼近、特殊一致以至一律的構(gòu)造也是不妨做的，像二極管、MOSFET、IGBT等，構(gòu)造上基礎(chǔ)是一律的。然而也有少許辨別，電壓的辨別，碳化硅的資料耐壓本能比擬好，同樣的構(gòu)造，碳化硅做出的電壓更高，對(duì)1200伏等第來說，是用大功率器件比擬多的等第。

硅器件來說普遍是IGBT的構(gòu)造，對(duì)碳化硅器件普遍是MOSFET的構(gòu)造，有平面包車型的士DMOSFET，也有TrenchMOSFET。全寰球有差不離逼近20家公司不妨消費(fèi)碳化硅二極管，MOSFET略微少一點(diǎn)，加起來有十家，個(gè)中平面包車型的士MOSFET對(duì)立更老練少許，溝槽的MOSFET對(duì)立難度更高少許，其余幾種情勢(shì)的器件還不是合流的器件，此刻做的人不是更加多。

碳化硅二極管興盛的情景，二極管興盛比擬老練，第一個(gè)貿(mào)易化運(yùn)用是在2001年英飛凌的碳化硅二極管，差不離二十年的功夫，此刻英飛凌的產(chǎn)物仍舊發(fā)到第六代，沿用MPS、裂片、溝槽等本領(lǐng)，功率密度、交流電密度不妨做得比擬高，電壓此刻也從600伏興盛到3300伏等多個(gè)系列。

MOSFET興盛情景，市情上重要的仍舊以平面MOSFET為主，羅姆和英飛凌做溝槽的MOSFET，溝槽的MOSFET有一個(gè)上風(fēng)，阻抗更小，同樣的交流電密度尺寸不妨更小，芯片的產(chǎn)量不妨更高、本錢會(huì)低少許，咱們覺得溝槽也是將來的一個(gè)興盛目標(biāo)。

碳化硅器件還能做雙極型的器件，硅的IGBT此刻貿(mào)易化高的是6.5千伏，碳化硅表面上不妨做到16千伏以至更高的電壓，試驗(yàn)室報(bào)最多的是25千伏的IGBT，重要運(yùn)用在電力網(wǎng)里。

此刻很多電力網(wǎng)系是從交談?shì)旊娡绷麟娸旊娮儞Q，變換成800千伏，1000千伏的直流電輸電，直流電輸電須要在輸電纜的兩頭建換流閥，此刻用MMC級(jí)聯(lián)、串聯(lián)的辦法，由于6.5千伏須要的器件數(shù)目特殊多，器件數(shù)目一多，體例的真實(shí)性會(huì)差少許，須要做很多的旁路和養(yǎng)護(hù)。

即使有高壓的碳化硅器件，比方說有18千伏，高科技部和國(guó)度電力網(wǎng)在做18千伏碳化硅IGBT的名目，名目勝利不妨把器件數(shù)目減小從來1/3，體例的真實(shí)性會(huì)普及，這也是將來比擬有遠(yuǎn)景的目標(biāo)，一個(gè)換流閥須要用十幾億的IGBT器件，年年城市建幾條線，一個(gè)商場(chǎng)大概有幾億美元的商場(chǎng)，利害?？捎^的。

碳化硅的功率模塊的興盛情景，暫時(shí)市情上合流的仍舊舊式的封裝，仍舊用很有年的62毫米的規(guī)范封裝，EconoDual封裝用得比擬多，那些都是為硅的器件開拓的，她們沒有方法把碳化硅的個(gè)性，比方說高溫、高頻充溢表現(xiàn)出來，很多廠家都在開拓專用的碳化硅器件，這個(gè)是特斯拉里用的ST的本領(lǐng)，比方說用了銀燒結(jié)，散熱的功效好，芯片又舉行了少許優(yōu)化，處事的溫度不妨做得比擬高，這是少許新的封裝。咱們公司本人也在開拓面向新動(dòng)力公共汽車的碳化硅功率模塊。

碳化硅的本領(lǐng)里，其余有一個(gè)比擬要害的是啟動(dòng)器，MOSFET有源的器件都是須要啟動(dòng)器舉措，MOSFET又有少許舉措的特性，比方說預(yù)置電壓比擬低，此刻在3伏安排，還相關(guān)斷和開明的電壓和硅不一律，再有短路耐受偏低，大約在5微秒安排，IGBT不妨接受10個(gè)微秒短路的功夫，在安排碳化硅啟用的功夫須要有更高的開明關(guān)斷的速率，延時(shí)要小，采用符合的開明關(guān)斷的電壓。

短路養(yǎng)護(hù)的相應(yīng)和舉措的功夫都要比擬短，本領(lǐng)養(yǎng)護(hù)住器件，這是啟動(dòng)器比擬要害的上面，啟動(dòng)器和器件兩個(gè)貫串起來共同本領(lǐng)把器件用好。

| 氮化鎵器件簡(jiǎn)介

收到把持人的恭請(qǐng)，讓我引見一下氮化鎵上面的處事，也是第三代半半導(dǎo)體，我偶爾歸納了少許實(shí)質(zhì)，給大師引見引見，我對(duì)這上面也不是更加熟。

氮化鎵也是第三代半半導(dǎo)體，和碳化硅一律，第一代主假如硅和Ge，第二代是GaAs和InP，第三代半半導(dǎo)體運(yùn)用范圍更廣，氮化鎵不妨用來功率器件，其余不妨用來發(fā)射電波頻率器件，氮化鎵再有一個(gè)運(yùn)用是不妨用來LED，此刻用來比擬普遍，巨獎(jiǎng)即是氮化鎵藍(lán)光LED。功率器件氮化鎵也做二極管和場(chǎng)效力晶體管。發(fā)射電波頻率功夫不妨做PA、LNA等用在基站和雷達(dá)里。

功率器件來看，氮化鎵和碳化硅有少許分界限，功率來看，氮化鎵比擬符合650V以次的電壓器件，和他的器件構(gòu)造是相關(guān)系的，氮化鎵普遍是平面型的器件，也即是說電壓主假如在平面上走，不是像碳化硅一律筆直性的。其余不妨從功率上去分，氮化鎵普遍是做1000W、3000W以次的小功率運(yùn)用，比方說充氣頭、耗費(fèi)類的，大約惟有幾十瓦，氮化鎵比擬符合的，碳化硅是大功率，軌跡交通上兆瓦的運(yùn)用都是有的，這是運(yùn)用上做的少許辨別。

所有商場(chǎng)，氮化鎵的商場(chǎng)暫時(shí)不是更加大，2019年在7000多萬美元的量級(jí)，它的延長(zhǎng)速率很快，2019年此后快充商場(chǎng)暴發(fā)此后，氮化鎵的延長(zhǎng)速率比擬快，來歲大約1.65億的數(shù)字，這是yole的數(shù)據(jù)。

氮化鎵的發(fā)射電波頻率器件延長(zhǎng)特殊快，從來4G里很多用LDMOS做發(fā)射電波頻率器件，氮化鎵里是不妨在6G赫茲的宏基站都不妨運(yùn)用到，將來的運(yùn)用場(chǎng)景利害常鮮明的。仍舊有很多在安置的基站里運(yùn)用。

本領(lǐng)上去看，純氮化鎵的襯底做到2寸，大概是4英尺小批量的進(jìn)程，海內(nèi)也有少許公司，蘇州有一家公司做襯底。外延又分幾種，碳化硅襯底長(zhǎng)氮化鎵，此刻4寸往6寸轉(zhuǎn)。再有硅基氮化鎵，硅的襯底上長(zhǎng)氮化鎵的外延做功率器件，此刻量產(chǎn)是臺(tái)積電6寸的比擬多，也有少許在做8寸的硅基氮化鎵的研制和消費(fèi)。

發(fā)射電波頻率器件，650V及以次的硅基氮化鎵功率器件已消費(fèi)，最大的功率不妨到達(dá)1800W。

這邊陳列的氮化鎵財(cái)產(chǎn)鏈上的重要公司，我就不做更加精細(xì)的引見，大師不妨看一下。

引見一下邇來更加火的氮化鎵運(yùn)用即是快充，客歲有30多家公司頒布的鑒于氮化鎵的快充，倍思也有相映的產(chǎn)物，本年小米頒布氮化鎵的充氣器，一下子把大師的關(guān)切激勵(lì)出來。她們用氮化鎵的幾個(gè)長(zhǎng)處，電門頻次不妨很高，從來用硅的器件時(shí)，電門頻次大約是200兆赫茲，用到氮化鎵不妨到達(dá)500兆赫茲，電子感應(yīng)被迫的元件不妨減少尺寸，它的耗費(fèi)更小，散熱訴求會(huì)再貶低少許，充氣器的尺寸就會(huì)更小。我看到少許商場(chǎng)調(diào)查研究的匯報(bào)，客歲寰球有300萬、500萬臺(tái)運(yùn)用氮化鎵快充的產(chǎn)物，本年會(huì)延長(zhǎng)更快少許，猜測(cè)會(huì)到達(dá)1500萬臺(tái)安排的量級(jí)，延長(zhǎng)利害?？斓?，氮化鎵也是很有遠(yuǎn)景的行業(yè)。

| 公司引見：公司簡(jiǎn)介、產(chǎn)物引見、興盛籌備

大略引見一下咱們公司，咱們公司2016年景立，咱們公司所有有70多人，大約的目標(biāo)掩蓋資料制備，主假如外延；芯片安排、創(chuàng)造工藝、封裝嘗試、啟動(dòng)運(yùn)用等各上面。創(chuàng)造此后獲得了深圳市和清華東軍政大學(xué)學(xué)的大舉扶助，力合本錢也是咱們的股東，也給了咱們特殊多的扶助。

咱們的重要產(chǎn)物是碳化硅二極管和MOSFET，個(gè)中600伏到1700伏的碳化硅二極管仍舊量產(chǎn)，650伏二極管車規(guī)正在認(rèn)證中估計(jì)一兩個(gè)月不妨實(shí)行。1200伏的碳化硅MOSFET加入小批量的量產(chǎn)階段，存戶量仍舊不算太小，車規(guī)級(jí)碳化硅模塊在客歲第四序度發(fā)端上車嘗試，完全的產(chǎn)品行能仍舊不妨到達(dá)國(guó)際的一流程度。咱們有少許本人獨(dú)占的本領(lǐng)，比方說外延成長(zhǎng)的本領(lǐng)，再有少許中心的工藝，比方說溝槽的刻蝕工藝、高溫柵氧工藝，那些本領(lǐng)不妨讓咱們做出來的器件和入口品牌對(duì)標(biāo)。

這是西安功率半半導(dǎo)體嘗試重心的截止（見PPT），這幾項(xiàng)參數(shù)，反向泄電流，正向壓降基礎(chǔ)上和入口產(chǎn)物是在一個(gè)程度線上，浪涌交流電比英飛凌差少許，比其余的都好少許，良率也比擬高，二極管不妨做到95％之上，完全的普遍性也做得比擬好。這是少許實(shí)地測(cè)量參數(shù)的比較，不妨看到和科銳的產(chǎn)物比較，基礎(chǔ)上都是普遍的。

碳化硅的MOSFET，10月第一款1200伏10安160豪歐的MOSFET經(jīng)過一切產(chǎn)業(yè)級(jí)的真實(shí)性嘗試，是第一家經(jīng)過一切嘗試的，相映的參數(shù)，阻抗、閾值電壓、耐壓和國(guó)際著名品牌在一個(gè)程度線上，電極過程嘗試壽命也在200年之上，也是適合訴求的。同聲咱們?cè)陂_拓少許新式的封裝，這是TO-247-4L的封裝，普遍的三極管的普通上，多加了SS級(jí)，不妨縮小完全耗費(fèi)，實(shí)地測(cè)量的截止不妨貶低耗費(fèi)15％到21％，這是咱們一切產(chǎn)業(yè)級(jí)真實(shí)性嘗試的截止。

咱們還在開拓車規(guī)級(jí)的模塊，咱們開拓1200伏、200安的名目，咱們和珠海英博爾共同贏得廣東省中心名目，開拓鑒于碳化硅的電驅(qū)體例，咱們和第一汽車公司、一汽、華域、藍(lán)海華騰協(xié)作，估計(jì)2020年送樣嘗試

咱們還開拓的全碳化硅的逆變器，鑒于本人的模塊和本人安排的啟動(dòng)器做的800VDC，150kW，簡(jiǎn)單存戶舉行趕快的嘗試處事。

引見下咱們的財(cái)產(chǎn)構(gòu)造，暫時(shí)支部在深圳，深圳坪山國(guó)籌建車規(guī)級(jí)的器件封裝出發(fā)地。南京江北新區(qū)外延創(chuàng)造出發(fā)地發(fā)端樹立，日真名古屋是車規(guī)級(jí)模塊封裝研制重心，瑞典Kista是碳化硅外延研制重心，咱們和海內(nèi)協(xié)作搭檔舉行碳化硅晶圓片創(chuàng)造工場(chǎng)的處事。

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