充氣頭網(wǎng)得悉，近期珠海鎵將來高科技對準華夏國家標準強迫規(guī)則GB 20943以及歐洲電工規(guī)范化委員會IEC 61000-3-2的訴求，沿用自行研制的G1N65R150TA和G1N65R050TB兩款低動靜內(nèi)阻Cascode氮化鎵器件，搭配瞻芯電子IVCC1102芯片，率先實行了700W智能攙和旗號無橋圖騰柱 PFC +LLC量產(chǎn)電源處置計劃，其滿載功效高達96.72%， 適合80PLUS鈦金能效。

氮化鎵用來圖騰柱PFC

動作簡直完備的高功率因子通路，安排職員運用4顆MOSFET匯合了整組和PFC的功效，將元器件數(shù)目縮小的同聲，也將整組步驟功效提高。然而，保守Super Junction MOSFET管生存寄生三極管， 當DV/DT過高時，易使寄生三極管導(dǎo)通，惹起雪崩擊穿。

同聲Super Junction MOSFET生存體二極管反向回復(fù)帶來的直通交流電和耗費題目，以是當主管在大交流電趕快打開的功夫，副管的反向恢來電荷Qrr形成的瞬態(tài)交流電能徑直把MOS廢棄。而為領(lǐng)會決這個題目，只能沿用非貫串的CRM形式，讓交流電降為0的功夫再打開，價格即是平衡交流電、功率惟有從來的一半。

而GaNext GaN就不妨完備處置之上題目。GaN導(dǎo)熱道理是經(jīng)過氮化鎵和鋁鎵氮兩層之間的壓電效效力產(chǎn)生的二維電子氣導(dǎo)熱的，不只沒有體二極管和寄生三極管，不會爆發(fā)DV/DT作廢形式， 并且具備其余出色的本能。在之上表中不妨看到，跟Super Junction MOSFET比擬，氮化鎵的Qg和輸入庫容都是其五分之一。

GaN的Qrr是Super Junction MOSFET的200分之一！哪怕是跟特意用來快回復(fù)的Super Junction MOSFET比擬，Qrr本能也是要好10倍之上。這表示著GaN 使得圖騰柱PFC不妨處事在貫串交流電形式普及功效的同聲維持高功率密度，實行逼近理念變換功效。

珠海鎵將來高科技沿用GaN器件無橋圖騰柱PFC計劃，安排上去除去輸出整組橋固有的Vf耗費，處置了保守FPC線路功效沒轍提高的題目。同聲經(jīng)過Cascode GaN的運用，處置圖騰柱PFC MOSFET反向恢來電荷Qrr過高的只能沿用CRM處事形式的題目。用具備極低等效Qrr的Cascode GaN器件，使得PFC不妨處事在貫串交流電形式普及功效的同聲也不喪失功率密度，實行高達99.1%的變換功效。

鎵將來700W GaN電源要害參數(shù)

鎵將來這套700W GaN電源計劃功率密度可達14.7W/in3，符合處事在0-40℃溫度情況下，扶助90-264V~50/60Hz寰球?qū)挿懂犽妷狠敵?，可?0V-56V調(diào)壓輸入，最大恒流13A，最大輸入功率700W。滿載功效≥96.72%，輸入電壓紋波＜300mV。

其余電源沿用三腳插口，做了接地處置制止用戶觸點，提高運用領(lǐng)會；三圍尺寸（帶塑料外殼）僅260mm X 75mm X 40mm，外表溫升低于50℃，適合IEC 62368-1規(guī)范，EMI規(guī)范適合EN55032 CE & RE Class B，扶助TSD、OLP、OVP、OCP、SCP、Open Loop等養(yǎng)護。

鎵將來700W GaN電源整性能效比較市情上普遍在售SI MOS產(chǎn)物，半載嘗試下普及了逼近2%的變換功效，在滿載情景下普及了逼近1.3%的變換功效。節(jié)約能源提高了38.72%，估計不妨為每臺單電源擺設(shè)年儉樸80-120度電。

之上為鎵將來700W GaN電源通路拓撲圖示，供大師參考。

溫升嘗試

上海圖書館為鎵將來700W GaN電源計劃在無散熱片情景下，25℃情況溫度下 110V/60Hz裸機貫串運轉(zhuǎn)1 鐘點的熱成像圖。不妨看出，成績于GaNext崇高的GaN器件本能以及老練的真實性安排計劃。700W GaN LED啟動電源裸板反面的最大實地測量溫度僅為88.8℃。

鎵將來GaN器件上風(fēng)

珠海鎵將來高科技G1N65R150TA和G1N65R050TB，兼容SuperJunction啟動，在25℃情況溫度下動靜內(nèi)阻不勝過150mohm和50mohm，供給TO-220、TO-247插件封裝。以其健康的抗干預(yù)本領(lǐng)和簡略的啟動辦法，助力用戶實行簡略高效的150W-1500W電源計劃。

更低動靜電阻，普及變換功效

在高壓運用中，縱然氮化鎵器件不妨大大貶低電門耗費，但常常生存一個對導(dǎo)通耗費倒霉的個性，稱為動靜內(nèi)阻。從高壓阻斷狀況變革成導(dǎo)通狀況后的第一小學(xué)段功夫，氮化鎵器件不許連忙處事到長功夫?qū)ǖ膬?nèi)阻狀況（靜態(tài)內(nèi)阻），此時的阻值高于靜態(tài)內(nèi)阻。

市情上普遍鞏固型氮化鎵器件動靜內(nèi)阻比靜態(tài)上浮30%安排，更加是在150℃結(jié)溫時，動靜內(nèi)阻常常高達25℃結(jié)溫時靜態(tài)內(nèi)阻的250%。G1N65R150TA和G1N65R050TB沿用特出工藝，動靜內(nèi)阻獲得貶低，25℃結(jié)溫時動靜內(nèi)阻為標稱值150mohm和50mohm，150℃結(jié)溫時僅為25℃結(jié)溫時的1.5倍，靈驗的貶低了導(dǎo)通耗費，滿意了150W-3600W電源的刻薄散熱訴求。

更高電極耐壓，平靜應(yīng)付多種遏制器計劃

相別于普遍鞏固型氮化鎵功率器件不勝過7.5V的電極耐壓，鎵將來的一切氮化鎵產(chǎn)物電極不妨耐受的極限制用電壓高達20V，這就不妨兼容用來啟動超結(jié)器件的遏制器。那些遏制器的啟動電壓常常為12V，即使用來啟動普遍鞏固型氮化鎵器件，須要減少分壓阻容搜集和鉗位齊納二極管，啟動線路多達8個器件。而沿用鎵將來的氮化鎵器件，啟動線路僅需一個電阻和一個磁珠，或3個電阻及一個二極管，與保守硅超結(jié)器件溝通，簡略的外層通路靈驗貶低了占用的PCB表面積，更加符合小尺寸的快充安排。

更高閾值電壓，制止誤導(dǎo)通

普遍鞏固型氮化鎵的閾值電壓常常為1.5V，這與硅超結(jié)器件（典范值普遍在3V安排）比擬，其抗噪聲干預(yù)本領(lǐng)貶低，減少了誤導(dǎo)通的危害了。所以產(chǎn)物封裝和Layout處置起來對立比擬煩惱，須要盡大概縮小源極寄生電子感應(yīng)的感化。G1N65R150TA和G1N65R050TB將開明閾值電壓普及到了3.5V, 不妨靈驗貶低電極噪音帶來的誤導(dǎo)透風(fēng)險，電源產(chǎn)物安排更為簡單。

歸納

珠海鎵將來高科技是海內(nèi)超過的氮化鎵功率器件消費企業(yè)，全力于高本能級結(jié)合構(gòu)氮化鎵產(chǎn)物的研制和消費，運用特出的集成本領(lǐng)貫串了硅器件的易用性和氮化鎵器件的高頻次高功效的特性，實行十瓦至萬瓦級高功率密度電源處置計劃。

據(jù)悉，鎵將來G1N65R150TA和G1N65R050TB仍舊正式量產(chǎn)，鑒于這兩款器件開拓的700W氮化鎵器智能攙和旗號無橋圖騰柱 PFC +LLC 電源量產(chǎn)計劃，可實行了80PLUS鈦金能效，滿載變換功效高達96.72%。

有需要的搭檔不妨與鎵將來高科技接洽，獲得更多產(chǎn)物精細消息。

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