充氣頭網(wǎng)得悉，近期珠海鎵將來(lái)高科技對(duì)準(zhǔn)華夏國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)強(qiáng)迫規(guī)則GB 20943以及歐洲電工規(guī)范化委員會(huì)IEC 61000-3-2的訴求，沿用自行研制的G1N65R150TA和G1N65R050TB兩款低動(dòng)靜內(nèi)阻Cascode氮化鎵器件，搭配瞻芯電子IVCC1102芯片，率先實(shí)行了700W智能攙和旗號(hào)無(wú)橋圖騰柱 PFC +LLC量產(chǎn)電源處置計(jì)劃，其滿載功效高達(dá)96.72%， 適合80PLUS鈦金能效。

氮化鎵用來(lái)圖騰柱PFC

動(dòng)作簡(jiǎn)直完備的高功率因子通路，安排職員運(yùn)用4顆MOSFET匯合了整組和PFC的功效，將元器件數(shù)目縮小的同聲，也將整組步驟功效提高。然而，保守Super Junction MOSFET管生存寄生三極管， 當(dāng)DV/DT過(guò)高時(shí)，易使寄生三極管導(dǎo)通，惹起雪崩擊穿。

同聲Super Junction MOSFET生存體二極管反向回復(fù)帶來(lái)的直通交流電和耗費(fèi)題目，以是當(dāng)主管在大交流電趕快打開(kāi)的功夫，副管的反向恢來(lái)電荷Qrr形成的瞬態(tài)交流電能徑直把MOS廢棄。而為領(lǐng)會(huì)決這個(gè)題目，只能沿用非貫串的CRM形式，讓交流電降為0的功夫再打開(kāi)，價(jià)格即是平衡交流電、功率惟有從來(lái)的一半。

而GaNext GaN就不妨完備處置之上題目。GaN導(dǎo)熱道理是經(jīng)過(guò)氮化鎵和鋁鎵氮兩層之間的壓電效效力產(chǎn)生的二維電子氣導(dǎo)熱的，不只沒(méi)有體二極管和寄生三極管，不會(huì)爆發(fā)DV/DT作廢形式， 并且具備其余出色的本能。在之上表中不妨看到，跟Super Junction MOSFET比擬，氮化鎵的Qg和輸入庫(kù)容都是其五分之一。

GaN的Qrr是Super Junction MOSFET的200分之一！哪怕是跟特意用來(lái)快回復(fù)的Super Junction MOSFET比擬，Qrr本能也是要好10倍之上。這表示著GaN 使得圖騰柱PFC不妨處事在貫串交流電形式普及功效的同聲維持高功率密度，實(shí)行逼近理念變換功效。

珠海鎵將來(lái)高科技沿用GaN器件無(wú)橋圖騰柱PFC計(jì)劃，安排上去除去輸出整組橋固有的Vf耗費(fèi)，處置了保守FPC線路功效沒(méi)轍提高的題目。同聲經(jīng)過(guò)Cascode GaN的運(yùn)用，處置圖騰柱PFC MOSFET反向恢來(lái)電荷Qrr過(guò)高的只能沿用CRM處事形式的題目。用具備極低等效Qrr的Cascode GaN器件，使得PFC不妨處事在貫串交流電形式普及功效的同聲也不喪失功率密度，實(shí)行高達(dá)99.1%的變換功效。

鎵將來(lái)700W GaN電源要害參數(shù)

鎵將來(lái)這套700W GaN電源計(jì)劃功率密度可達(dá)14.7W/in3，符合處事在0-40℃溫度情況下，扶助90-264V~50/60Hz寰球?qū)挿懂犽妷狠敵?，可?0V-56V調(diào)壓輸入，最大恒流13A，最大輸入功率700W。滿載功效≥96.72%，輸入電壓紋波＜300mV。

其余電源沿用三腳插口，做了接地處置制止用戶觸點(diǎn)，提高運(yùn)用領(lǐng)會(huì)；三圍尺寸（帶塑料外殼）僅260mm X 75mm X 40mm，外表溫升低于50℃，適合IEC 62368-1規(guī)范，EMI規(guī)范適合EN55032 CE & RE Class B，扶助TSD、OLP、OVP、OCP、SCP、Open Loop等養(yǎng)護(hù)。

鎵將來(lái)700W GaN電源整性能效比較市情上普遍在售SI MOS產(chǎn)物，半載嘗試下普及了逼近2%的變換功效，在滿載情景下普及了逼近1.3%的變換功效。節(jié)約能源提高了38.72%，估計(jì)不妨為每臺(tái)單電源擺設(shè)年儉樸80-120度電。

之上為鎵將來(lái)700W GaN電源通路拓?fù)鋱D示，供大師參考。

溫升嘗試

上海圖書(shū)館為鎵將來(lái)700W GaN電源計(jì)劃在無(wú)散熱片情景下，25℃情況溫度下 110V/60Hz裸機(jī)貫串運(yùn)轉(zhuǎn)1 鐘點(diǎn)的熱成像圖。不妨看出，成績(jī)于GaNext崇高的GaN器件本能以及老練的真實(shí)性安排計(jì)劃。700W GaN LED啟動(dòng)電源裸板反面的最大實(shí)地測(cè)量溫度僅為88.8℃。

鎵將來(lái)GaN器件上風(fēng)

珠海鎵將來(lái)高科技G1N65R150TA和G1N65R050TB，兼容SuperJunction啟動(dòng)，在25℃情況溫度下動(dòng)靜內(nèi)阻不勝過(guò)150mohm和50mohm，供給TO-220、TO-247插件封裝。以其健康的抗干預(yù)本領(lǐng)和簡(jiǎn)略的啟動(dòng)辦法，助力用戶實(shí)行簡(jiǎn)略高效的150W-1500W電源計(jì)劃。

更低動(dòng)靜電阻，普及變換功效

在高壓運(yùn)用中，縱然氮化鎵器件不妨大大貶低電門(mén)耗費(fèi)，但常常生存一個(gè)對(duì)導(dǎo)通耗費(fèi)倒霉的個(gè)性，稱(chēng)為動(dòng)靜內(nèi)阻。從高壓阻斷狀況變革成導(dǎo)通狀況后的第一小學(xué)段功夫，氮化鎵器件不許連忙處事到長(zhǎng)功夫?qū)ǖ膬?nèi)阻狀況（靜態(tài)內(nèi)阻），此時(shí)的阻值高于靜態(tài)內(nèi)阻。

市情上普遍鞏固型氮化鎵器件動(dòng)靜內(nèi)阻比靜態(tài)上浮30%安排，更加是在150℃結(jié)溫時(shí)，動(dòng)靜內(nèi)阻常常高達(dá)25℃結(jié)溫時(shí)靜態(tài)內(nèi)阻的250%。G1N65R150TA和G1N65R050TB沿用特出工藝，動(dòng)靜內(nèi)阻獲得貶低，25℃結(jié)溫時(shí)動(dòng)靜內(nèi)阻為標(biāo)稱(chēng)值150mohm和50mohm，150℃結(jié)溫時(shí)僅為25℃結(jié)溫時(shí)的1.5倍，靈驗(yàn)的貶低了導(dǎo)通耗費(fèi)，滿意了150W-3600W電源的刻薄散熱訴求。

更高電極耐壓，平靜應(yīng)付多種遏制器計(jì)劃

相別于普遍鞏固型氮化鎵功率器件不勝過(guò)7.5V的電極耐壓，鎵將來(lái)的一切氮化鎵產(chǎn)物電極不妨耐受的極限制用電壓高達(dá)20V，這就不妨兼容用來(lái)啟動(dòng)超結(jié)器件的遏制器。那些遏制器的啟動(dòng)電壓常常為12V，即使用來(lái)啟動(dòng)普遍鞏固型氮化鎵器件，須要減少分壓阻容搜集和鉗位齊納二極管，啟動(dòng)線路多達(dá)8個(gè)器件。而沿用鎵將來(lái)的氮化鎵器件，啟動(dòng)線路僅需一個(gè)電阻和一個(gè)磁珠，或3個(gè)電阻及一個(gè)二極管，與保守硅超結(jié)器件溝通，簡(jiǎn)略的外層通路靈驗(yàn)貶低了占用的PCB表面積，更加符合小尺寸的快充安排。

更高閾值電壓，制止誤導(dǎo)通

普遍鞏固型氮化鎵的閾值電壓常常為1.5V，這與硅超結(jié)器件（典范值普遍在3V安排）比擬，其抗噪聲干預(yù)本領(lǐng)貶低，減少了誤導(dǎo)通的危害了。所以產(chǎn)物封裝和Layout處置起來(lái)對(duì)立比擬煩惱，須要盡大概縮小源極寄生電子感應(yīng)的感化。G1N65R150TA和G1N65R050TB將開(kāi)明閾值電壓普及到了3.5V, 不妨靈驗(yàn)貶低電極噪音帶來(lái)的誤導(dǎo)透風(fēng)險(xiǎn)，電源產(chǎn)物安排更為簡(jiǎn)單。

歸納

珠海鎵將來(lái)高科技是海內(nèi)超過(guò)的氮化鎵功率器件消費(fèi)企業(yè)，全力于高本能級(jí)結(jié)合構(gòu)氮化鎵產(chǎn)物的研制和消費(fèi)，運(yùn)用特出的集成本領(lǐng)貫串了硅器件的易用性和氮化鎵器件的高頻次高功效的特性，實(shí)行十瓦至萬(wàn)瓦級(jí)高功率密度電源處置計(jì)劃。

據(jù)悉，鎵將來(lái)G1N65R150TA和G1N65R050TB仍舊正式量產(chǎn)，鑒于這兩款器件開(kāi)拓的700W氮化鎵器智能攙和旗號(hào)無(wú)橋圖騰柱 PFC +LLC 電源量產(chǎn)計(jì)劃，可實(shí)行了80PLUS鈦金能效，滿載變換功效高達(dá)96.72%。

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