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1. 半半導(dǎo)體資料是財(cái)產(chǎn)興盛的基石半半導(dǎo)體資料是創(chuàng)造半半導(dǎo)體器件和集成通路的電子資料，也是所有半半導(dǎo)體產(chǎn) 業(yè)的普通，其完備半半導(dǎo)體性，導(dǎo)熱本領(lǐng)介于半導(dǎo)體與非導(dǎo)體之間。

1.1.第一代半半導(dǎo)體資料

第一代半半導(dǎo)體資料主假如指硅(Si)、鍺(Ge)半半導(dǎo)體資料，興盛于二十 世紀(jì)五十歲月，啟發(fā)了以集成通路為中心的微電子財(cái)產(chǎn)的趕快興盛，被普遍的 運(yùn)用于耗費(fèi)電子、通訊、光伏、軍事以及宇航航天等多個(gè)范圍。在上世紀(jì) 90 歲月之前，硅資料吞噬了一致主宰位置，暫時(shí)大普遍的半半導(dǎo)體器件及集成通路 產(chǎn)物仍舊運(yùn)用硅晶圓來(lái)創(chuàng)造，硅器件占到了寰球出賣(mài)的半半導(dǎo)體產(chǎn)物的 95%之上。

而寰球上第一只晶體管是由鍺消費(fèi)出來(lái)的，對(duì)立于硅，鍺最外層電子能級(jí) 較高，以是完備更好的導(dǎo)熱本能，然而對(duì)立會(huì)爆發(fā)更多不需要的熱量，其余硅 產(chǎn)物完備更低的價(jià)錢(qián)以及更多的儲(chǔ)量，所以最后硅代替了鍺。

1.2.第二代半半導(dǎo)體資料

第二代半半導(dǎo)體資料是以砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)為主的復(fù)合物半 半導(dǎo)體，其重要被用來(lái)創(chuàng)造高頻、高速以及大功率元器件，在衛(wèi)星通信、挪動(dòng) 通信以及光通信等范圍有較為普遍的運(yùn)用。砷化鎵和磷化銦半半導(dǎo)體萊塞變成 光通訊體例中的要害器件，同聲砷化鎵高速器件也開(kāi)辟了光導(dǎo)纖維及挪動(dòng)通訊的新 財(cái)產(chǎn)。

1.3.第三代半半導(dǎo)體資料本能上風(fēng)鮮明

第三代半半導(dǎo)體資料囊括了以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代辦的寬禁帶復(fù)合物半半導(dǎo)體。第一二代半半導(dǎo)體資料工藝仍舊漸漸逼近物理極限，在微電子 范圍的摩爾定理發(fā)端漸漸作廢，而第三代半半導(dǎo)體是不妨勝過(guò)摩爾定理的。

比擬于第一代及第二代半半導(dǎo)體資料，第三代半半導(dǎo)體資料在高溫、高耐壓以 及接受大交流電等多個(gè)上面完備鮮明的上風(fēng)，所以更符合于創(chuàng)造高溫、高頻、抗 輻射及大功率器件。

在器件的本能比較上，GaN 資料以及 SiC 資料在通態(tài)電阻以及擊穿電壓方 面都完備較大的上風(fēng)。

第三代半半導(dǎo)體資料運(yùn)用不妨分為微電子以及光電子范圍，簡(jiǎn)直不妨細(xì)分為 風(fēng)力元器件、微波發(fā)射電波頻率、看來(lái)光通訊、太陽(yáng)能、半半導(dǎo)體照明、紫外光保存、 激光表露以及紫外探測(cè)器等范圍，希望沖破保守半半導(dǎo)體本領(lǐng)的瓶頸，與第一代、 第二代半半導(dǎo)體本領(lǐng)互補(bǔ)，對(duì)節(jié)約能源減排、財(cái)產(chǎn)轉(zhuǎn)型晉級(jí)、催產(chǎn)新的財(cái)經(jīng)延長(zhǎng)點(diǎn)將表現(xiàn)要害效率。

1.4.國(guó)度連接推出策略扶助第三代半半導(dǎo)體財(cái)產(chǎn)興盛

國(guó)度對(duì)于第三代半半導(dǎo)體財(cái)產(chǎn)興盛供給了連接連接的策略上面的扶助，2016 年，國(guó)務(wù)院推出了《國(guó)務(wù)院對(duì)于照發(fā)“十三五”國(guó)度高科技革新籌備的報(bào)告》， 個(gè)中初次提到要加速第三代半半導(dǎo)體芯片本領(lǐng)與器件的研制;2019 年 6 月商務(wù)部 及發(fā)改委在激動(dòng)官商入股名單中減少了扶助引進(jìn) SiC 超細(xì)粉體官商企業(yè);2019 年 11 月工信部照發(fā)《中心新資料首批次運(yùn)用演示引導(dǎo)目次》，個(gè)中 GaN 單晶襯 底、功率器件用 GaN 外延片、SiC 外延片，SiC 單晶襯底等第三代半半導(dǎo)體產(chǎn)物 加入目次;2019 年 12 月國(guó)務(wù)院在《長(zhǎng)江三角洲地區(qū)—體化興盛籌備大綱》中 精確訴求加速培養(yǎng)構(gòu)造第三代半半導(dǎo)體財(cái)產(chǎn)，激動(dòng)創(chuàng)造業(yè)高品質(zhì)興盛。

除去行業(yè)策略激動(dòng)，在財(cái)政與稅收策略上面，第三代半半導(dǎo)體同屬于集成通路財(cái)產(chǎn)， 同樣享用國(guó)度對(duì)集成通路企業(yè)所得稅優(yōu)惠策略，先后囊括 2019 年 5 月財(cái)務(wù)部 及稅務(wù)總局照發(fā)的《對(duì)于集成通路安排和軟硬件財(cái)產(chǎn)企業(yè)所得稅策略的公布》， 對(duì)準(zhǔn)照章創(chuàng)造且適合前提的集成通路安排企業(yè)和軟硬件企業(yè)，在 2018 年 12 月 31 日前自收獲年度起計(jì)劃優(yōu)惠期，第一年至第二年免征企業(yè)所得稅，第三年至第 五年依照 25%的法定稅收的比率折半征收企業(yè)所得稅，并享用至期滿為止;并在 2020 年 7 月再次推出《新功夫激動(dòng)集成通路財(cái)產(chǎn)和軟硬件財(cái)產(chǎn)高品質(zhì)興盛的幾何策略》， 對(duì)于國(guó)度激動(dòng)的集成通路安排、裝置、資料、封裝、嘗試企業(yè)和軟硬件企業(yè)，自 收獲年度起，第一年至第二年免征企業(yè)所得稅，第三年至第六年依照 25%的法 定稅收的比率折半征收企業(yè)所得稅。

除去國(guó)度層面包車(chē)型的士扶助策略外，據(jù) CASA 統(tǒng)計(jì)表露，2019 年我國(guó)場(chǎng)合各級(jí)政 府合計(jì)出場(chǎng) 32 項(xiàng)策略，進(jìn)一步扶助第三代半半導(dǎo)體財(cái)產(chǎn)的興盛，扶助的上面包 括集群培養(yǎng)、科學(xué)研究贊美、人才培養(yǎng)以及名目招標(biāo)等，2019 年各地經(jīng)過(guò)策略將實(shí) 質(zhì)性的人、財(cái)、物質(zhì)源注入，激動(dòng)著各地財(cái)產(chǎn)積聚加快。

在十三五功夫，高科技部經(jīng)過(guò)“國(guó)度中心研制本領(lǐng)”扶助了勝過(guò) 30 項(xiàng)第三 代半半導(dǎo)體關(guān)系的研制名目，經(jīng)過(guò)對(duì)普通前沿本領(lǐng)的接洽，對(duì)財(cái)產(chǎn)興盛起到了持 續(xù)助力的效率。

2019 年對(duì)準(zhǔn)第三代半半導(dǎo)體的財(cái)產(chǎn)投資本額逐年提高，按照 CASA 統(tǒng)計(jì)，2019 年投資本額合計(jì) 265.8 億元，完全比擬 2018 年投資本額飛騰 54.53%，個(gè)中 SiC 名目金額 220.8 億元，占比 83.07%，GaN 名目金額 45 億元。

1.5.國(guó)表里第三代半半導(dǎo)體財(cái)產(chǎn)鏈日益完備

第三代半半導(dǎo)體財(cái)產(chǎn)鏈與普遍半半導(dǎo)體財(cái)產(chǎn)鏈形式相一致，普遍分為襯底、外 延成長(zhǎng)、安排、創(chuàng)造以及封裝這五個(gè)過(guò)程，同樣也生存 IDM 形式，實(shí)行了安排 創(chuàng)造的一體化。

從氮化鎵財(cái)產(chǎn)鏈公司來(lái)看，海外公司在本領(lǐng)勢(shì)力以及生產(chǎn)能力上維持較大的領(lǐng) 先。GaN 龍頭企業(yè)以 IDM 形式為主，個(gè)中 Qorvo 具有自己的晶圓代工場(chǎng)以及封 測(cè)廠，在國(guó)防以及 5G 發(fā)射電波頻率芯片范圍完備較大上風(fēng)，在 2017 年 Qorvo 最早推出39Ghz 雙通道 GaNFET，并在 2018 年推出行業(yè)內(nèi)部最強(qiáng) GaN-on-SiC 晶體管;Infineon 則是潛心于功率半半導(dǎo)體范圍，重要產(chǎn)物會(huì)合在 6 英尺 GaN 產(chǎn)線上，8 英尺產(chǎn)線 也在籌備傍邊，公司是商場(chǎng)上獨(dú)一不妨供給氮化鎵等全系列功率產(chǎn)物的公司。 海內(nèi)廠商囊括蘇州能華、華功半半導(dǎo)體以及英諾賽科等，個(gè)中英諾賽科建交華夏首條 8 英尺硅基氮化鎵外延與芯片大范圍量產(chǎn)消費(fèi)線，公司產(chǎn)物在氮化鎵快充范圍完備國(guó)際超過(guò)的本領(lǐng)勢(shì)力。GaN 襯底商場(chǎng)重要由阿曼住友電工、三菱化學(xué)也以及新越化學(xué)主宰，其商場(chǎng)份額占到 90%之上，不妨老練供給 4 英尺以及 6 英尺 GaN 襯底，海內(nèi)廠商品郵遞包裹 括蘇州納維以及東莞中鎵，暫時(shí)仍舊實(shí)行 2 英尺氮化鎵襯底產(chǎn)物量產(chǎn)，對(duì)于 4 英尺氮化鎵仍居于研制及試消費(fèi)階段，與國(guó)際超過(guò)廠商本領(lǐng)還生存確定差異。

商場(chǎng)上合流的 GaN 外延片供給商囊括阿曼 NTTAT，其不妨供給用來(lái)大功率 集成通路及高頻次通訊范圍的高品德氮化鎵外延片;比利時(shí)公司 EpiGaN 可提 供 4、6 英尺氮化鎵外延晶圓，普遍用來(lái) 5G 通信、高效風(fēng)力電子、發(fā)射電波頻率功率、 傳感器等范圍，暫時(shí)公司仍舊率先實(shí)行了 8 英尺硅基氮化鎵晶圓量產(chǎn)，消費(fèi)工 藝居于行業(yè)進(jìn)步程度。海內(nèi)廠商囊括晶湛半半導(dǎo)體、蘇州能華以及華功半半導(dǎo)體等， 個(gè)中晶湛仍舊建交了年產(chǎn) 1 萬(wàn)片 6 英尺氮化鎵外延片消費(fèi)線，在寰球具有勝過(guò) 150 家馳名半半導(dǎo)體存戶，本領(lǐng)勢(shì)力仍舊向國(guó)際超過(guò)程度鄰近。

從事 GaN 芯片安排廠商囊括 EPC、GaN Sys 以及 Navitas 等公司，其重要 是面向功率器件安排，安譜隆以及 RFHIC 重要面向發(fā)射電波頻率關(guān)系范圍，個(gè)中安譜隆 在 2018 年被華夏本錢(qián)以 18 億歐元采購(gòu)，極大提高了我國(guó)在 GaN 器件安排范圍 的勢(shì)力。

為安排公司供給晶圓代工的廠商囊括穩(wěn)懋、TSMC、富士通、寰球進(jìn)步、Cree 等，海內(nèi)海威華芯、三安集成等新興代工場(chǎng)也完備 GaN 晶圓代工本領(lǐng)。

SiC 財(cái)產(chǎn)鏈同樣以 IDM 形式為主，重要的商場(chǎng)份額被 Infineon、Cree、羅姆以及意法半半導(dǎo)體吞噬。Cree 子公司 Wolfspeed 掩蓋了 SiC 全財(cái)產(chǎn)鏈消費(fèi)本領(lǐng)， 在商場(chǎng)上吞噬了主宰位置，在 SiC 器件范圍商場(chǎng)份額到達(dá)了 62%;Infineon 在 SiC 范圍的功率器件同樣也完備較多的本領(lǐng)積聚，于 1992 年發(fā)端 SiC 范圍研制，2001 年推出寰球首個(gè)貿(mào)易化 SiC 二極管，2006 年推出寰球首個(gè)沿用 SiC 組件 的商用水源模塊，暫時(shí)仍舊興盛至第六代。與國(guó)際權(quán)威比擬，海內(nèi) IDM 廠商泰 科天潤(rùn)、瑞能半半導(dǎo)體以及華潤(rùn)微再有較大差異。

SiC 襯底龍頭為美利堅(jiān)合眾國(guó) Cree，吞噬了商場(chǎng)約 40%的份額，其余還囊括道康寧、 II-VI 以及 Rohm 等公司，商場(chǎng)份額勝過(guò) 90%。海內(nèi)廠商囊括山東天岳、天科合 達(dá)以及河北同光等，個(gè)中天科合達(dá)完備數(shù)十年的出賣(mài)體驗(yàn)，在 2019 年出賣(mài)金 額仍舊到達(dá)了 1.55 億元，凈成本為三萬(wàn)萬(wàn)，功績(jī)連接飛騰;其次是山東天岳， 其在 2020 年也獲得了華為的入股扶助，將來(lái)有較大的延長(zhǎng)空間。

在外延片步驟，重要份額被 Cree、道康寧、Rohm 等吞噬，海內(nèi)瀚每天成 也完備 3 英尺、4 英尺及 6 英尺碳化硅外延片的消費(fèi)本領(lǐng)，是海內(nèi)排名第一的 碳化硅外延片消費(fèi)商，寰球存戶勝過(guò) 100 家。

因?yàn)檠赜?IDM 形式完備較好的本錢(qián)上風(fēng)，SiC 芯片安排企業(yè)數(shù)目較少，海外重要囊括 USCi、Bruckewell 等，海內(nèi)主假如瞻芯電子、蘇州鍇威特以及基 本半半導(dǎo)體。代工場(chǎng)商海內(nèi)囊括三安集成，其余地域囊括 SUNY Poly、離子束、 X-fab 等公司。

2. 寰球第三代半半導(dǎo)體商場(chǎng)振奮興盛2.1.SiC 及 GaN 在運(yùn)用范圍上上風(fēng)互補(bǔ)

GaN 和 SiC 在資料本能上各有是非，所以在運(yùn)用范圍上各有偏重和互補(bǔ)。 SiC 與 GaN 比擬，對(duì)準(zhǔn) SiC 資料的接洽功夫更長(zhǎng)，對(duì)立本領(lǐng)老練度更高，其在 導(dǎo)熱率上完備更多的上風(fēng)，所以在高功率運(yùn)用，比方高速鐵路、輸變電、新動(dòng)力汽 車(chē)以及產(chǎn)業(yè)遏制等范圍吞噬主本地位;GaN 資料的上風(fēng)在乎具有更高的電子遷 移率，所以會(huì)比 SiC 和 Si 有更高的電門(mén)速率，在高頻次范圍完備上風(fēng)，比方 微波發(fā)射電波頻率以及數(shù)據(jù)重心等運(yùn)用場(chǎng)景。

2.2.GaN 在發(fā)射電波頻率及快充范圍展現(xiàn)亮眼

按照 Yole 統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2018 年 GaN 完全商場(chǎng)范圍為 6.45 億美元，個(gè)中無(wú)線 通信運(yùn)用范圍為 3.04 億美元，軍事運(yùn)用范圍為 2.7 億美元，將來(lái)在郵電通信普通 辦法以及國(guó)防兩大運(yùn)用的激動(dòng)下，估計(jì)到 2024 年，GaN 商場(chǎng)范圍將延長(zhǎng)至 20.01 億美元，年復(fù)合延長(zhǎng)率為 21%，個(gè)中無(wú)線通信運(yùn)用范圍將到達(dá) 7.52 億美元，同 比延長(zhǎng) 147.43%，發(fā)射電波頻率關(guān)系運(yùn)用范圍從 200 萬(wàn)美元大幅延長(zhǎng)至 1.04 億元，延長(zhǎng) 近 50 倍。

通信基站動(dòng)作 GaN 延長(zhǎng)激動(dòng)要害的卑劣之一，按照 Qorvo 估測(cè)計(jì)算，寰球 4G 及 5G 基站潛伏商場(chǎng)在 2022 年估計(jì)將到達(dá) 16 億美元。

5G 發(fā)射電波頻率體例因?yàn)橐\(yùn)用到高頻載波會(huì)合以及高頻帶等多種新本領(lǐng)，整體制 統(tǒng)攙雜度大幅普及，所以運(yùn)用 GaN 等新本領(lǐng)將大幅削減體例功耗，下圖中左側(cè) 為鍺化硅基 MIMO 地線，其由 1024 個(gè)元件形成，裸部分積為 4096 平方毫米，輻射功率為 65dBm，即使沿用 GaN 資料來(lái)創(chuàng)造，完全元件數(shù)目將縮小至 192 個(gè)， 裸部分積僅為 250 平方毫米，仍能維持輻射功率靜止，固然價(jià)錢(qián)有確定水平的 普及，然而功耗貶低了 40%，本錢(qián)不妨貶低 80%。

商場(chǎng)上 GaN 器件創(chuàng)造工藝分為 GaN-on-SiC、GaN-on-Si 以及 GaN-on-Diamond，個(gè)中前兩種較為合流。因?yàn)?GaN-on-SiC 在功效、散熱性以 及尺寸等上面完備上風(fēng)，所以吞噬了商場(chǎng)上較多的商場(chǎng)份額。按照 Yole 猜測(cè)， 將來(lái)跟著 GaN-on-Si 的本領(lǐng)老練，并在智高手機(jī)中文大學(xué)范圍運(yùn)用，希望啟發(fā) GaN-on-Si 商場(chǎng)范圍的大幅提高，并在 2030 年安排勝過(guò) GaN-on-SiC。

趕快充氣范圍也將是 GaN 將來(lái)要害的延長(zhǎng)點(diǎn)。充氣器體驗(yàn)了袖珍化以及高 功率興盛趨向，從早期的重達(dá) 300g-700g 的充氣器，到暫時(shí)仍舊減少至 100g 以內(nèi)，充氣功率也普及至 100w 之上，完全體積展示了特殊鮮明的減小。GaN 快 充在現(xiàn)有的快充本領(lǐng)的普通上，經(jīng)過(guò)將中心器件調(diào)換至 GaN，使順利機(jī)趕快充 電器不妨做到大功率、小體積。

快充功率連年來(lái)表露連接飛騰的態(tài)勢(shì)，暫時(shí)最高的充氣功率仍舊勝過(guò)了 100W，并跟著充氣功率的提高，對(duì) GaN 器件的偏好也將漸漸提高，在 100W 以 上的充氣功率，GaN 資料將吞噬一致的超過(guò)位置。在快充范圍海內(nèi)廠商小米、 OPPO 以及 VIVO 走在了行業(yè)前者，將來(lái)跟著本領(lǐng)的漸漸老練，其余大哥大廠商也 將趕快跟進(jìn)，按照 yole 對(duì)關(guān)系數(shù)據(jù)的猜測(cè)，在平常情景下，到 2024 年完全快 充商場(chǎng)范圍將到達(dá) 3.5 億美元，在達(dá)觀假如下，完全商場(chǎng)范圍將勝過(guò) 7.5 億美 元。

2020 年 2 月 13 日，小米頒布了 65W 氮化鎵充氣器，據(jù)小米首席實(shí)行官雷 軍引見(jiàn)，該款充氣器具備玲瓏、高效、發(fā)燒低等特性，對(duì)一塊 4500mAH 的超大 干電池從 0%充氣至 100%僅需 45 秒鐘，小米就此也變成了第一家將氮化鎵 USB PD快充獨(dú)立零賣(mài)的品牌大哥大企業(yè)，而且 149 元的零賣(mài)價(jià)更是創(chuàng)下行業(yè)新低，激勵(lì) 業(yè)渾家士莫大關(guān)心。小米 GaN 充氣器 Type-C 65W 內(nèi)置智能辨別芯片，不妨兼 容市情上合流智高手機(jī)、Type-C 接口的條記本電腦及其它電子擺設(shè)。

暫時(shí) GaN 快充氣源重要沿用的是 650V 氮化鎵功率芯片(GaNFET)包辦傳 統(tǒng) MOSFET 動(dòng)作功率電門(mén)，因?yàn)閯?chuàng)造工藝上具備較大的難度，現(xiàn)階段寰球完備 老練 GaN 充氣器的廠商格外有限，重要囊括美利堅(jiān)合眾國(guó) PI、納微半半導(dǎo)體以及華夏的英 諾賽科。

按照充氣頭網(wǎng)統(tǒng)計(jì)，暫時(shí)商場(chǎng)上仍舊展示了數(shù)十款各品牌的 GaN 快充充氣 器，囊括 Anker、Baseus、MI、OPPO 等著名品牌，價(jià)錢(qián)基礎(chǔ)上在 200 元安排， 將來(lái)跟著氮化鎵快充發(fā)端浸透大哥大和條記本等電子擺設(shè)的配件商場(chǎng)，商場(chǎng)含量 希望趕快夸大。

2.3.SiC 中心運(yùn)用于電動(dòng)公共汽車(chē)范圍

按照 Yole 關(guān)系匯報(bào)，SiC 器件商場(chǎng)范圍在 2018 年為 4.3 億美元安排，到 2019 年延長(zhǎng)至 5.64 億美元，將來(lái)仍將維持穩(wěn)步延長(zhǎng)，估計(jì)在 2025 年完全商場(chǎng) 范圍將到達(dá) 32 億美元安排，每年平均復(fù)合延長(zhǎng)率維持在 30%之上。

從 SiC 卑劣運(yùn)用占比來(lái)看，暫時(shí)電動(dòng)公共汽車(chē)范圍吞噬了重要商場(chǎng)，將來(lái)跟著 SiC 車(chē)用逆變器的大范圍沿用，公共汽車(chē)商場(chǎng)占比還將連接飛騰，變成 SiC 商場(chǎng)增 長(zhǎng)的重要激動(dòng)力。SiC 用在車(chē)用逆變器上，不妨大幅度貶低逆變器尺寸和分量， 做到輕量化與節(jié)約能源。在溝通功率等第下，全 SiC 模塊的封裝尺寸明顯小于硅模 塊，同聲也不妨使電門(mén)耗費(fèi)貶低 75%(芯片溫度為 150°C)。在溝通封裝下， 全 SiC 模塊完備更高的交流電輸入本領(lǐng)，扶助逆變器到達(dá)更高功率。

獨(dú)立看車(chē)用 SiC 商場(chǎng)，2018 年至 2019 年電動(dòng)公共汽車(chē)商場(chǎng)對(duì)碳化硅逆變器的 作風(fēng)展示了極大的變化，特斯拉行家行業(yè)內(nèi)部率先運(yùn)用 SiC 本領(lǐng)，Model 3 沿用了 意法半半導(dǎo)體和英飛凌的 SiC 逆變器，是第一家在主逆變器中集玉成 SiC 功率模 塊的車(chē)企，其余廠商也發(fā)端商量碳化硅產(chǎn)物的運(yùn)用題目，繼特斯拉之后，比亞 迪也在 2019 年小批量的運(yùn)用了碳化硅逆變器，個(gè)中比亞迪漢 EV，是海內(nèi)首款 運(yùn)用自決研制 SiC 模塊的電動(dòng)公共汽車(chē)，這不只是自決運(yùn)用第三代半半導(dǎo)體資料的開(kāi) 始，更是 SiC 加入中高端量產(chǎn)車(chē)的發(fā)端。

據(jù) Cree 估測(cè)計(jì)算，SiC 逆變器不妨提高 5-10%的續(xù)航，儉樸 400-800 美元的電 池本錢(qián)，與新增 200 美元的 SiC 器件本錢(qián)對(duì)消后，不妨實(shí)行起碼 200 美元的單 車(chē)本錢(qián)低沉。據(jù)羅姆估測(cè)計(jì)算，估計(jì)到 2026 年簡(jiǎn)直一切搭載 800V 能源干電池的車(chē)型 都將沿用 SiC 計(jì)劃。

其余，車(chē)載 OBC 和 DC/DC，仍舊發(fā)端沿用 SiC 器件，將 PFC 通路中二極管 切換為了 SiC SBD，大概將 OBC 的 DC/DC 通路 MOSFET 管改為 SiC MOSFET。全 SiC 計(jì)劃也希望從 2021 年發(fā)端量產(chǎn)。

在 2018 年，車(chē)用 SiC 商場(chǎng)范圍為 4.2 億美元安排，占到完全商場(chǎng)份額的 27%，估計(jì)到 2024 年，車(chē)用 SiC 模塊商場(chǎng)范圍將延長(zhǎng)至 19.3 億美元，占到 SiC 商場(chǎng)份額的一半安排，每年平均復(fù)合延長(zhǎng)率高達(dá) 29%。

完全來(lái)看，固然第三代半半導(dǎo)體興盛速率很快，然而暫時(shí)保持居于早期的產(chǎn) 品導(dǎo)出階段，按照華夏電子本領(lǐng)規(guī)范化接洽院以及 yole 數(shù)據(jù)表露，2019 年， 第三代半半導(dǎo)體 SiC 以及 GaN 的浸透率核計(jì)約為 1.77%，估計(jì)到 2023 年不妨提高 至 4.75%安排。

2.4.我國(guó)第三代半半導(dǎo)體商場(chǎng)趨向進(jìn)取

從海內(nèi)商場(chǎng)來(lái)看，第三代半半導(dǎo)體重要運(yùn)用范圍為耗費(fèi)電子、產(chǎn)業(yè)以及新能 源公共汽車(chē)范圍，占比辨別為 28%、26%以及 11%，耗費(fèi)電子范圍中快充為產(chǎn)物翻開(kāi) 了新的運(yùn)用空間;產(chǎn)業(yè)范圍中，新一代半半導(dǎo)體器件不妨明顯貶低電門(mén)耗費(fèi)并提 高電門(mén)頻次，極大普及能量變換功效，到達(dá)節(jié)約能源減排的手段;在新動(dòng)力公共汽車(chē)領(lǐng) 域，特斯拉率先在公共汽車(chē)逆變器模組上沿用了 SiC 資料，指領(lǐng)會(huì)將來(lái)財(cái)產(chǎn)的興盛 目標(biāo)，各大整車(chē)廠也發(fā)端跟進(jìn)，激動(dòng)力第三代半半導(dǎo)體器件在公共汽車(chē)范圍的興盛。

按照 CASA 統(tǒng)計(jì)，2016 年至 2019 年我國(guó)第三代半半導(dǎo)體財(cái)產(chǎn)值表露連接普及 的態(tài)勢(shì)。2019 年，我國(guó) SiC 和 GaN 卑劣財(cái)產(chǎn)囊括風(fēng)力電子以及微波產(chǎn)值合計(jì)達(dá) 到了 64 億元，同期相比延長(zhǎng)了 53.07%，近三年的復(fù)合延長(zhǎng)率高達(dá) 260%。

在風(fēng)力電子范圍，跟著財(cái)產(chǎn)本領(lǐng)的老練，SiC 及 GaN 器件相較于 Si 器件的 本能上風(fēng)愈發(fā)鮮明，第三代功率器件的浸透率漸漸提高，運(yùn)用范圍更加普遍， 除去保守的光伏逆變以及新動(dòng)力公共汽車(chē)范圍，耗費(fèi)電子以及數(shù)據(jù)重心等貿(mào)易電源 商場(chǎng)也變成新的延長(zhǎng)點(diǎn)。按照 CASA 猜測(cè)，到 2024 年我國(guó)第三代半半導(dǎo)體風(fēng)力電 子器件商場(chǎng)范圍將到達(dá) 200 億元安排，每年平均復(fù)合增長(zhǎng)速度勝過(guò) 40%。

3. 中心關(guān)心公司3.1.華潤(rùn)微

公司是海內(nèi)超過(guò)的功率半導(dǎo)機(jī)制造廠商，完備從芯片安排、創(chuàng)造及封測(cè)的 全財(cái)產(chǎn)鏈本領(lǐng)，公司對(duì)準(zhǔn)第三代半半導(dǎo)體財(cái)產(chǎn)機(jī)會(huì)，主動(dòng)構(gòu)造，暫時(shí)仍舊創(chuàng)造了 世界首條 6 英尺 SiC 商用消費(fèi)線，籌備生產(chǎn)能力 1000 片/月，重要運(yùn)用范圍囊括太 陽(yáng)能逆變器、通信電源、效勞器及儲(chǔ)能擺設(shè)等。

本年公司于慕尼黑上海電子展上召開(kāi)了 SiC 新品頒布會(huì)，向商場(chǎng)正式頒布 了 1200V 及 650V 產(chǎn)業(yè)級(jí)的肖特基二極管產(chǎn)物，同聲也頒布公司 6 英尺 SiC 產(chǎn) 線正式量產(chǎn)，不妨充溢滿意商場(chǎng)需要，將來(lái)公司將視商場(chǎng)情景，運(yùn)用現(xiàn)有擺設(shè) 夸大生產(chǎn)能力。

除去自行建造晶圓產(chǎn)線外，公司還主動(dòng)拓展碳化硅財(cái)產(chǎn)鏈，公司和廈門(mén)瀚每天 成完畢了增資擴(kuò)股和議后，持有了瀚每天成 3.2418%的股權(quán)。瀚每天成創(chuàng)造于 2011 年，是一家集研制、消費(fèi)和出賣(mài)碳化硅外延晶圓為一體的高新技術(shù)本領(lǐng)企業(yè)， 公司經(jīng)過(guò)引進(jìn)寰球最新的碳化硅消費(fèi)線及高端檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè)，不妨供給財(cái)產(chǎn)化 3 英 寸、4 英尺及 6 英尺碳化硅外延片，是國(guó)第一的碳化硅外延片消費(fèi)商，寰球客 戶勝過(guò) 100 家。

公司產(chǎn)物囊括肖特基二極管，MOSFET，JEFT，BJT，IGBT，晶閘管，GTO 等， 實(shí)用于太陽(yáng)能風(fēng)能逆變器、電動(dòng)公共汽車(chē)以及其余新動(dòng)力范圍，不妨滿意 600V 至 6500V 碳化硅風(fēng)力元器件的電壓范疇的訴求。

3.2.三安光電

公司對(duì)準(zhǔn)了復(fù)合物半半導(dǎo)體的宏大后勁，創(chuàng)造了三安集成通路有限公司，并 將其定位為復(fù)合物半半導(dǎo)體研制創(chuàng)造和效勞公司，并于 2014 年發(fā)端樹(shù)立 6 萬(wàn)片/ 年的 GaN 外延片的消費(fèi)線，在 2017 年頒布公司 HBT 工藝經(jīng)過(guò)了中心存戶產(chǎn)物 認(rèn)證，2018 年 12 月推放洋內(nèi)第一家 6 英尺 SiC 晶圓代工制造過(guò)程，且十足工藝鑒 定考查仍舊實(shí)行。

公司不妨供給制造過(guò)程 0.5μm 的 GaN 晶圓代工交易，最高電壓不妨到達(dá) 650V， 目的效勞于耗費(fèi)電子和產(chǎn)業(yè)運(yùn)用，如適配重，效勞器 smp，無(wú)線電源，車(chē)載充 電器等范圍;將來(lái)還將供給 200V 及 100V 實(shí)用于與 POE 直流電變換、HD 音頻、LED前照燈以及電機(jī)變頻器等范圍的晶圓代工效勞。

在 SiC 代工本領(lǐng)上面，暫時(shí)不妨供給 650/1200V SiC JBS 器件代工效勞， 重要運(yùn)用范圍囊括 DC/AC 逆變器、功率因子矯正通路、電門(mén)電源等范圍;將來(lái) 還將推出 SiC MOSFET 代工效勞，不妨運(yùn)用于新動(dòng)力以及電動(dòng)公共汽車(chē)范圍。

重要的代工產(chǎn)物囊括碳化硅肖特基二極管，氮化鎵場(chǎng)效力晶體管等。

……

（匯報(bào)看法屬于原作家，僅供參考。作家：東方財(cái)產(chǎn)證券，危鵬華）

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