充氣頭網(wǎng)得悉，近期珠海鎵將來高科技對準華夏國家標準強迫規(guī)則GB 20943以及歐洲電工規(guī)范化委員會IEC 61000-3-2的訴求，沿用自行研制的G1N65R150TA和G1N65R050TB兩款低動靜內(nèi)阻Cascode氮化鎵器件，搭配瞻芯電子IVCC1102芯片，率先實行了700W智能攙和旗號無橋圖騰柱 PFC +LLC量產(chǎn)電源處置計劃，其滿載功效高達96.72%， 適合80PLUS鈦金能效。

氮化鎵用來圖騰柱PFC

動作簡直完備的高功率因子通路，安排職員運用4顆MOSFET匯合了整組和PFC的功效，將元器件數(shù)目縮小的同聲，也將整組步驟功效提高。然而，保守Super Junction MOSFET管生存寄生三極管， 當DV/DT過高時，易使寄生三極管導通，惹起雪崩擊穿。

同聲Super Junction MOSFET生存體二極管反向回復帶來的直通交流電和耗費題目，以是當主管在大交流電趕快打開的功夫，副管的反向恢來電荷Qrr形成的瞬態(tài)交流電能徑直把MOS廢棄。而為領會決這個題目，只能沿用非貫串的CRM形式，讓交流電降為0的功夫再打開，價格即是平衡交流電、功率惟有從來的一半。

而GaNext GaN就不妨完備處置之上題目。GaN導熱道理是經(jīng)過氮化鎵和鋁鎵氮兩層之間的壓電效效力產(chǎn)生的二維電子氣導熱的，不只沒有體二極管和寄生三極管，不會爆發(fā)DV/DT作廢形式， 并且具備其余出色的本能。在之上表中不妨看到，跟Super Junction MOSFET比擬，氮化鎵的Qg和輸入庫容都是其五分之一。

GaN的Qrr是Super Junction MOSFET的200分之一！哪怕是跟特意用來快回復的Super Junction MOSFET比擬，Qrr本能也是要好10倍之上。這表示著GaN 使得圖騰柱PFC不妨處事在貫串交流電形式普及功效的同聲維持高功率密度，實行逼近理念變換功效。

珠海鎵將來高科技沿用GaN器件無橋圖騰柱PFC計劃，安排上去除去輸出整組橋固有的Vf耗費，處置了保守FPC線路功效沒轍提高的題目。同聲經(jīng)過Cascode GaN的運用，處置圖騰柱PFC MOSFET反向恢來電荷Qrr過高的只能沿用CRM處事形式的題目。用具備極低等效Qrr的Cascode GaN器件，使得PFC不妨處事在貫串交流電形式普及功效的同聲也不喪失功率密度，實行高達99.1%的變換功效。

鎵將來700W GaN電源要害參數(shù)

鎵將來這套700W GaN電源計劃功率密度可達14.7W/in3，符合處事在0-40℃溫度情況下，扶助90-264V~50/60Hz寰球寬范疇電壓輸出，可在40V-56V調壓輸入，最大恒流13A，最大輸入功率700W。滿載功效≥96.72%，輸入電壓紋波＜300mV。

其余電源沿用三腳插口，做了接地處置制止用戶觸點，提高運用領會；三圍尺寸（帶塑料外殼）僅260mm X 75mm X 40mm，外表溫升低于50℃，適合IEC 62368-1規(guī)范，EMI規(guī)范適合EN55032 CE & RE Class B，扶助TSD、OLP、OVP、OCP、SCP、Open Loop等養(yǎng)護。

鎵將來700W GaN電源整性能效比較市情上普遍在售SI MOS產(chǎn)物，半載嘗試下普及了逼近2%的變換功效，在滿載情景下普及了逼近1.3%的變換功效。節(jié)約能源提高了38.72%，估計不妨為每臺單電源擺設年儉樸80-120度電。

之上為鎵將來700W GaN電源通路拓撲圖示，供大師參考。

溫升嘗試

上海圖書館為鎵將來700W GaN電源計劃在無散熱片情景下，25℃情況溫度下 110V/60Hz裸機貫串運轉1 鐘點的熱成像圖。不妨看出，成績于GaNext崇高的GaN器件本能以及老練的真實性安排計劃。700W GaN LED啟動電源裸板反面的最大實地測量溫度僅為88.8℃。

鎵將來GaN器件上風

珠海鎵將來高科技G1N65R150TA和G1N65R050TB，兼容SuperJunction啟動，在25℃情況溫度下動靜內(nèi)阻不勝過150mohm和50mohm，供給TO-220、TO-247插件封裝。以其健康的抗干預本領和簡略的啟動辦法，助力用戶實行簡略高效的150W-1500W電源計劃。

更低動靜電阻，普及變換功效

在高壓運用中，縱然氮化鎵器件不妨大大貶低電門耗費，但常常生存一個對導通耗費倒霉的個性，稱為動靜內(nèi)阻。從高壓阻斷狀況變革成導通狀況后的第一小學段功夫，氮化鎵器件不許連忙處事到長功夫導通的內(nèi)阻狀況（靜態(tài)內(nèi)阻），此時的阻值高于靜態(tài)內(nèi)阻。

市情上普遍鞏固型氮化鎵器件動靜內(nèi)阻比靜態(tài)上浮30%安排，更加是在150℃結溫時，動靜內(nèi)阻常常高達25℃結溫時靜態(tài)內(nèi)阻的250%。G1N65R150TA和G1N65R050TB沿用特出工藝，動靜內(nèi)阻獲得貶低，25℃結溫時動靜內(nèi)阻為標稱值150mohm和50mohm，150℃結溫時僅為25℃結溫時的1.5倍，靈驗的貶低了導通耗費，滿意了150W-3600W電源的刻薄散熱訴求。

更高電極耐壓，平靜應付多種遏制器計劃

相別于普遍鞏固型氮化鎵功率器件不勝過7.5V的電極耐壓，鎵將來的一切氮化鎵產(chǎn)物電極不妨耐受的極限制用電壓高達20V，這就不妨兼容用來啟動超結器件的遏制器。那些遏制器的啟動電壓常常為12V，即使用來啟動普遍鞏固型氮化鎵器件，須要減少分壓阻容搜集和鉗位齊納二極管，啟動線路多達8個器件。而沿用鎵將來的氮化鎵器件，啟動線路僅需一個電阻和一個磁珠，或3個電阻及一個二極管，與保守硅超結器件溝通，簡略的外層通路靈驗貶低了占用的PCB表面積，更加符合小尺寸的快充安排。

更高閾值電壓，制止誤導通

普遍鞏固型氮化鎵的閾值電壓常常為1.5V，這與硅超結器件（典范值普遍在3V安排）比擬，其抗噪聲干預本領貶低，減少了誤導通的危害了。所以產(chǎn)物封裝和Layout處置起來對立比擬煩惱，須要盡大概縮小源極寄生電子感應的感化。G1N65R150TA和G1N65R050TB將開明閾值電壓普及到了3.5V, 不妨靈驗貶低電極噪音帶來的誤導透風險，電源產(chǎn)物安排更為簡單。

歸納

珠海鎵將來高科技是海內(nèi)超過的氮化鎵功率器件消費企業(yè)，全力于高本能級結合構氮化鎵產(chǎn)物的研制和消費，運用特出的集成本領貫串了硅器件的易用性和氮化鎵器件的高頻次高功效的特性，實行十瓦至萬瓦級高功率密度電源處置計劃。

據(jù)悉，鎵將來G1N65R150TA和G1N65R050TB仍舊正式量產(chǎn)，鑒于這兩款器件開拓的700W氮化鎵器智能攙和旗號無橋圖騰柱 PFC +LLC 電源量產(chǎn)計劃，可實行了80PLUS鈦金能效，滿載變換功效高達96.72%。

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