根源：天風證券

第 一 期

主講貴賓：和巍巍，深圳基礎(chǔ)半半導體有限公司總司理，國度萬人安置大師，華夏半半導體行業(yè)協(xié)會理事。2007年結(jié)業(yè)于清華東軍政大學學電機系，2014年結(jié)業(yè)于劍橋大學獲風力電子?？拼T士學位。重要接洽目標為功率半半導體器件IGBT及碳化硅MOSFET的仿真、安排、創(chuàng)造及運用，在國際馳名期刊和聚會上公布多篇輿論，在功率半半導體器件和運用范圍具有專利二十余項。

把持人：陳豪杰，天風證券接洽所電子高檔領(lǐng)會師。曾先后就任于ADI， Fairchild， Teradyne 等美國資金半半導體公司，具有充分的半半導體工作體味。

本期中心：第三代半半導體——碳化硅功率器件本領(lǐng)及運用

時 間：3月5日（周四）下晝15:30-17:00

觀 點 精 要

● 碳化硅功率器件具備高頻、 高效、 高溫、 高壓等上風，是下一代功率器件的興盛目標。

●受高效電源、電動公共汽車等行業(yè)的需要啟動，碳化硅功率器件將來商場含量將以勝過30％的年復合延長率興盛，估計2027年商場含量到達120億美元。

●電動車公有四個元件不妨用到碳化硅，辨別是車載充氣器OBC、DC-DC的變幻器，以及DC-AC主逆變器。

●外延的成長步驟碳化硅須要的溫度更高，退火的步驟也須要溫度更高，摻雜的濃淡、粒子濃淡也會有少許各別，這是碳化硅本領(lǐng)的難點。

●本年小米頒布氮化鎵的充氣器激勵了大師的關(guān)切，客歲寰球有300萬、500萬臺運用氮化鎵快充的產(chǎn)物，本年猜測會到達1500萬臺安排的量級。

和巍巍&陳豪杰圓臺對話精選

以新動力車為代辦，碳化硅MOSFET未來代替IGBT，本錢端何時可低沉到一致程度，得以大范圍鋪開？

海內(nèi)幾個步驟與海內(nèi)比擬，哪個差異最大？

行業(yè)能否會展示求過于供的情景？能否有提高價格趨向？

A股有哪些碳化硅的掛牌公司？

會 議 實 錄

【陳豪杰】：諸位入股人大師好，我是天風半半導體領(lǐng)會師陳豪杰，即日有幸加入由力合本錢和天風證券接洽所一道主持的震動，咱們主假如在二級商場上做入股領(lǐng)會，從二級商場觀點動身，對于任何一個新興的目標城市特殊關(guān)心。半半導體的觀點，咱們覺得從勝過摩爾定理這條道路上去看，將來跟著卑劣的器件高壓、高頻等百般本能訴求漸漸的提高，新資料利害常有出息的目標，重要囊括三代復合物：碳化硅、氮化鎵，咱們漸漸看到那些產(chǎn)物、資料、器件在寰球范疇內(nèi)漸漸實行。

碳化硅這個器件來看，從第一代碳化硅的SBD，漸漸到此刻的碳化硅MOSFET，也體驗了大約二十有年的開拓過程。

咱們也看到碳化硅那些器件漸漸在各個范圍上獲得了特殊普遍的運用，不妨說利害常有后勁、興盛的商場，更加是在高壓風力的這塊運用場景上，不管是海內(nèi)仍舊海內(nèi)，中心的龍頭公司都紛繁在構(gòu)造，像ST、CREE都對碳化硅的構(gòu)造做得特殊透。海內(nèi)也有很多的公司，比方泰科天潤也漸漸切入如許的范圍，囊括今天性享的基礎(chǔ)半半導體都在往這個目標做。

行業(yè)的層面上去說，咱們覺得2020年此后看，行業(yè)復合增長速度在40％安排，暫時寰球商場是在5.5億美金安排，年年以40％的速率在延長，這利害常有后勁和增長速度的商場。

咱們也看到Model3發(fā)端用到碳化硅MOSFET，咱們感觸碳化硅的資料跟著商場關(guān)心度及運用的趨向，更加是在新動力車的啟動下，將來會有特殊大的延長空間。

不管是寰球仍舊海內(nèi)大師都是朝這個目標開拓和全力，咱們覺得這條道路在本錢商場上去看也利害常有遠景的，本錢商場或是二級商場上有些掛牌公司也發(fā)端切入這塊范圍，給的估值也是對立比擬高的，這塊的商場遠景利害常輝煌的，決定性趨向比擬強，咱們特殊看好碳化硅，以碳化硅為代辦的第三代復合物的遠景。

我這邊長途電話短說，接下來把功夫交給和總。和老是深圳基礎(chǔ)半半導體引導，主假如以碳化硅器件開拓、功率器件開拓為主，和總有特殊充分的財產(chǎn)體味，他的瓜分確定會給咱們帶來特殊大的成果，接下來請和總講一下關(guān)至今天的瓜分中心，感謝大師！

【和巍巍】：大師好！我是深圳基礎(chǔ)半半導體的和巍巍，即日特殊欣喜和大師瓜分一下第三代半半導體碳化硅功率器件本領(lǐng)和運用的題目。

即日我跟大師瓜分一下碳化硅功率器件的實質(zhì)，重要分為四個局部：一是大略引見一下財產(chǎn)的情景；二是碳化硅三種典范的運用；三是最新的本領(lǐng)發(fā)達，資料、器件、封裝、啟動四個目標引見；四是對咱們公司的引見。

| 財產(chǎn)情景：資料上風、財產(chǎn)后臺

開始給大師引見一下碳化硅的上風，它的禁帶寬窄、臨界擊穿場強，碳化硅出色于硅2-10倍，比擬符合高頻的運用，IGBT處事頻次在20K，碳化硅100K赫茲不妨高效的運轉(zhuǎn)。他的電門耗費、導通耗費小，處事溫度比擬高，硅的處事結(jié)溫是150度到200度，碳化硅表面上不妨勝過200度。它再有一個個性是不妨做少許比擬高壓的器件，不妨做10kV之上的器件。

因為它有形形色色的上風，暫時在600伏之上的風力電子范圍，比方說FPC電源、光伏逆變器、新動力公共汽車的電機遏制器、車載充氣機、DC-DC及充氣樁有很多的運用，跟著價錢的低沉，在白色家用電器、軌跡交通、調(diào)理擺設、主力軍工也會獲得比擬多的運用。

商場方才陳總也引見了，商場含量是5億美元安排，跟著電動公共汽車行業(yè)的需要啟動，此刻的延長速率勝過30％，也有的說40％到50％，總的來說延長的速率比擬快，有一個組織猜測到2027年碳化硅的功率器件的商場含量不妨到達120億，仍舊比擬可觀的數(shù)字。

引見一下寰球碳化硅財產(chǎn)鏈上的公司，這個財產(chǎn)鏈分為幾個步驟，從SiC、外延、安排、工藝、封裝以及體例的集成。不妨按每個公司超過幾個財產(chǎn)鏈的步驟分為幾種：IDM公司，比方說典范的CREE旗下的Wolfspeed，和阿曼的ROHM，她們超過所有財產(chǎn)鏈。

也有少許公司只做內(nèi)里的某少許步驟，襯底步驟除去CREE公司做得比擬好除外，再有美利堅合眾國的道康寧，再有美利堅合眾國的Ⅱ-Ⅵ，海內(nèi)做得比擬好的有山東天岳（華為的哈勃入股2019年入股了山東天岳），其余再有一家北京的天科合達，再有瑞典的NORSTEL，它被ST公司全資采購。

外延上面做得比擬好的是阿曼企業(yè)和臺灣嘉晶，海內(nèi)有瀚每天成和東莞天域做外延比擬好。器件安排行業(yè)的公司比擬多，國際上逼近20家公司，海內(nèi)咱們覺得做得比擬好的有泰科天潤、基礎(chǔ)半半導體，再有中央電影企業(yè)股份有限公司13所、55所的接洽所也在做，這是財產(chǎn)鏈大約的引見。

海內(nèi)的情景還算不錯，一個國度不妨完備的做第三代半半導體碳化硅所有財產(chǎn)鏈的也沒有幾個國度，也即是阿曼、美利堅合眾國、華夏，咱們國度是所有財產(chǎn)鏈都能做，財產(chǎn)鏈每個步驟和國際進步的程度再有少許分別，比方說襯底步驟，國際上仍舊做到8寸的襯底，海內(nèi)只能做到6寸。

器件的步驟，MOSFET惟有咱們公司量產(chǎn)碳化硅的MOSFET，海內(nèi)其余的公司大概還在工程樣本的階段。海內(nèi)對碳化硅特殊關(guān)心，當局和民間都加入了洪量的資源，將來會減少和海外的差異。

國際上的大公司對這個行業(yè)也利害?？粗械模鼛啄昙尤刖揞~資金來減少對這個行業(yè)的加入，舉個例子，比方說美利堅合眾國的CREE公司，頒布入股10億美元，生產(chǎn)能力將來五年夸大十倍。阿曼的羅姆入股45億群眾幣，生產(chǎn)能力夸大16倍。韓國的SKSiltron做8寸、12寸的硅片比擬好，她們也把交易范圍以采購的辦法夸大到碳化硅的范圍，其余少許公司像英飛凌、昭和電工也有比擬大的入股動作，證明海內(nèi)和海外都利害常看好這個行業(yè)的。

| 典范運用：電動公共汽車、主力軍工、軌跡交通

1、電動公共汽車，所有有四個元件不妨用到碳化硅，車上的有三個，辨別是車載充氣器OBC、DC-DC的變幻器，以及DC-AC主逆變器，前方兩個元件洪量運用碳化硅的二極管和碳化硅的MOSFET，比亞迪和一汽新動力仍舊在用了，DC-AC主逆變器做得比擬早的是豐田，她們2010年發(fā)端試用碳化硅的主逆變器，反面的興盛大概是由于少許本領(lǐng)和財產(chǎn)的題目，沒有大范圍的上。第一個上的是特斯拉Model3，他是用了24個小的器件做串聯(lián)，每個用的是小的單管的器件。干什么在車里，那些車企承諾用碳化硅的器件，它不妨減小逆變器的體積、減小分量，它不妨提高所有功效，耗費會小少許。

這是2017年、2018年意法半半導體碳化硅和硅的本能比較，跟著本領(lǐng)的超過，此刻普遍最新的接洽覺得，碳化硅不妨普及三到八個百分點的功效，對公共汽車來說，同樣的續(xù)航歷程下不妨減小3到8個百分點的干電池耗費，大師領(lǐng)會干電池是比擬貴的，完全的體例本錢大概是保持平衡大概是低沉的。

很多的公司安置在2022年或是2023年發(fā)端洪量運用碳化硅的器件。車規(guī)半半導體有少許特殊的特性，比方說產(chǎn)物開拓周期長、行業(yè)壁壘高，最低的訴求是要有16949體制的訴求，對簡直的器件，分立器件有AEC-Q101的訴求，模塊有ISO26262的訴求，各別的車廠有各別的訴求。芯片的考證功夫起碼須要兩三年本領(lǐng)實行車規(guī)認證而且加入到整車的供給鏈，功夫周期是比擬長的。一旦加入整車的供給鏈，供貨周期也會比擬長，車型的人命周期大概有五到十年，不妨比擬寧靜的供貨，有寧靜的協(xié)作聯(lián)系。

2、主力軍工，比方說高能兵戈、全電坦克車的電源、鐵鳥和艦載的電源，再有雷達電子、衛(wèi)星也是不妨用到碳化硅的器件。

3、軌跡交通，阿曼的《朝陽消息》通訊，本年阿曼新主線最新的型號N700S在牽引逆變器，主逆變器常常功率特殊大，常常到達兆瓦級別，她們會用碳化硅的器件動作中心的功率器件，不妨縮小分量、體積，功效還不妨普及。海內(nèi)的中車在發(fā)展相映的接洽，我看到仍舊有通訊說，她們用了攙和型的模塊，電門器件用IGBT，串聯(lián)的碳化硅二極管在云南的地下鐵路線路上試運轉(zhuǎn)，海內(nèi)也有這上面的接洽。

| 本領(lǐng)發(fā)達：資料、器件、封裝、啟動

給大師引見少許財產(chǎn)鏈的觀念，開始是高純的粉末，粉末在單晶爐里，這個火爐和藍寶石消費的單晶爐比擬像，須要高溫的情況，單晶爐里消費成碳化硅的晶錠，經(jīng)過切、磨、拋三道大的歲序獲得碳化硅的襯底，襯底再拿到碳化硅的外延爐長碳化硅的外延，獲得外延片此后拿到晶圓廠做光刻、離子注入、非金屬鈍化、退火等。做完前道再做后道，獲得一顆一顆小的芯片，芯片再送給封裝廠，封裝因素立器件，結(jié)果再把器件送給擺設廠商，集成到形形色色的擺設運用里，這是碳化硅財產(chǎn)鏈的制備進程。

開始引見一下襯底，襯底是邇來幾年興盛得比擬快，很多合流廠商加入到6英尺襯底的消費步驟，最新的像科銳公司仍舊展現(xiàn)了她們8英尺的襯底樣本和加工好的晶圓樣本，她們是在2022年、2023年安排發(fā)展8英尺的消費，走得真實是比擬靠前的。

碳化硅對立來說晶格的構(gòu)造更精致少許，沒方法用硅拉單晶的本領(lǐng)，惟有在高壓和高溫的情況中本領(lǐng)成長，合流的PVT本領(lǐng)，大師不妨看這幅圖（見PPT），單晶爐里，一致一個健將樣的貨色放在上頭，底下是碳化硅的粉末，在高溫的情況下升華，升華此后凍結(jié)在上頭，結(jié)果越長越大，結(jié)果長大晶錠，結(jié)果再加工成一片一片的襯底，這是暫時合流的成長本領(lǐng)，很多大公司用這種本領(lǐng)。

外延爐里經(jīng)過反饋堆，襯底會有小的斜切，會一層一層外延遲上去，長大須要的厚薄，須要經(jīng)過遏制氣體的比率遏制摻雜的濃淡，結(jié)果獲得碳化硅的外延片。

襯底和外延的成長進程中，會有比擬多的缺點，這種成長本領(lǐng)對立是比擬攙雜的，硅的拉單晶本領(lǐng)不妨做的純度特殊高，6個9以至更高，碳化硅會有幾個重要缺點，Dowfall、Mcropipe、Carrot、Triagle。

即使一個器件包括一個缺點，這個器件大概即是不對格的，完全的良率會貶低，資料供給商想形形色色的工藝方法縮小資料上的缺點，結(jié)果做出的器件本能更好、良率也會更高。

碳化硅器件的工藝開拓過程，大略不妨分為三個大的辦法：模仿仿真、工藝開拓、嘗試領(lǐng)會。開始在仿真軟硬件里就構(gòu)造做模仿仿真，定出幅員安排，安排好的幅員舉行真實的工藝實行，先是長外延再唱工藝的加工光刻等一系列的辦法，結(jié)果獲得碳化硅的晶圓片，再做幾種嘗試，CP嘗試，再劃片嘗試電本能，再做老化等真實性的嘗試，結(jié)果還要做少許妨害性的嘗試，高溫、高壓的情景下，長功夫的運轉(zhuǎn)，領(lǐng)會薄缺點在何處，再把一切嘗試的截止反應給模仿仿真舉行優(yōu)化，優(yōu)化好的截止再做一次工藝實行和領(lǐng)會，幾個輪回做起來，普遍不妨獲得適合訴求的器件。

工藝實行的進程中，碳化硅也有少許各別，硅是不通明，碳化硅是半通明，基臺要做處置和安排。外延的成長步驟碳化硅須要的溫度更高，退火的步驟也須要溫度更高，摻雜的濃淡、粒子濃淡也會有少許各別，這是碳化硅本領(lǐng)的難點。

器件的構(gòu)造來看，碳化硅的器件構(gòu)造和硅的構(gòu)造利害常近的，一切硅不妨做的器件，碳化硅用特殊逼近、特殊一致以至一律的構(gòu)造也是不妨做的，像二極管、MOSFET、IGBT等，構(gòu)造上基礎(chǔ)是一律的。然而也有少許辨別，電壓的辨別，碳化硅的資料耐壓本能比擬好，同樣的構(gòu)造，碳化硅做出的電壓更高，對1200伏等第來說，是用大功率器件比擬多的等第。

硅器件來說普遍是IGBT的構(gòu)造，對碳化硅器件普遍是MOSFET的構(gòu)造，有平面包車型的士DMOSFET，也有TrenchMOSFET。全寰球有差不離逼近20家公司不妨消費碳化硅二極管，MOSFET略微少一點，加起來有十家，個中平面包車型的士MOSFET對立更老練少許，溝槽的MOSFET對立難度更高少許，其余幾種情勢的器件還不是合流的器件，此刻做的人不是更加多。

碳化硅二極管興盛的情景，二極管興盛比擬老練，第一個貿(mào)易化運用是在2001年英飛凌的碳化硅二極管，差不離二十年的功夫，此刻英飛凌的產(chǎn)物仍舊發(fā)到第六代，沿用MPS、裂片、溝槽等本領(lǐng)，功率密度、交流電密度不妨做得比擬高，電壓此刻也從600伏興盛到3300伏等多個系列。

MOSFET興盛情景，市情上重要的仍舊以平面MOSFET為主，羅姆和英飛凌做溝槽的MOSFET，溝槽的MOSFET有一個上風，阻抗更小，同樣的交流電密度尺寸不妨更小，芯片的產(chǎn)量不妨更高、本錢會低少許，咱們覺得溝槽也是將來的一個興盛目標。

碳化硅器件還能做雙極型的器件，硅的IGBT此刻貿(mào)易化高的是6.5千伏，碳化硅表面上不妨做到16千伏以至更高的電壓，試驗室報最多的是25千伏的IGBT，重要運用在電力網(wǎng)里。

此刻很多電力網(wǎng)系是從交談輸電往直流電輸電變換，變換成800千伏，1000千伏的直流電輸電，直流電輸電須要在輸電纜的兩頭建換流閥，此刻用MMC級聯(lián)、串聯(lián)的辦法，由于6.5千伏須要的器件數(shù)目特殊多，器件數(shù)目一多，體例的真實性會差少許，須要做很多的旁路和養(yǎng)護。

即使有高壓的碳化硅器件，比方說有18千伏，高科技部和國度電力網(wǎng)在做18千伏碳化硅IGBT的名目，名目勝利不妨把器件數(shù)目減小從來1/3，體例的真實性會普及，這也是將來比擬有遠景的目標，一個換流閥須要用十幾億的IGBT器件，年年城市建幾條線，一個商場大概有幾億美元的商場，利害?？捎^的。

碳化硅的功率模塊的興盛情景，暫時市情上合流的仍舊舊式的封裝，仍舊用很有年的62毫米的規(guī)范封裝，EconoDual封裝用得比擬多，那些都是為硅的器件開拓的，她們沒有方法把碳化硅的個性，比方說高溫、高頻充溢表現(xiàn)出來，很多廠家都在開拓專用的碳化硅器件，這個是特斯拉里用的ST的本領(lǐng)，比方說用了銀燒結(jié)，散熱的功效好，芯片又舉行了少許優(yōu)化，處事的溫度不妨做得比擬高，這是少許新的封裝。咱們公司本人也在開拓面向新動力公共汽車的碳化硅功率模塊。

碳化硅的本領(lǐng)里，其余有一個比擬要害的是啟動器，MOSFET有源的器件都是須要啟動器舉措，MOSFET又有少許舉措的特性，比方說預置電壓比擬低，此刻在3伏安排，還相關(guān)斷和開明的電壓和硅不一律，再有短路耐受偏低，大約在5微秒安排，IGBT不妨接受10個微秒短路的功夫，在安排碳化硅啟用的功夫須要有更高的開明關(guān)斷的速率，延時要小，采用符合的開明關(guān)斷的電壓。

短路養(yǎng)護的相應和舉措的功夫都要比擬短，本領(lǐng)養(yǎng)護住器件，這是啟動器比擬要害的上面，啟動器和器件兩個貫串起來共同本領(lǐng)把器件用好。

| 氮化鎵器件簡介

收到把持人的恭請，讓我引見一下氮化鎵上面的處事，也是第三代半半導體，我偶爾歸納了少許實質(zhì)，給大師引見引見，我對這上面也不是更加熟。

氮化鎵也是第三代半半導體，和碳化硅一律，第一代主假如硅和Ge，第二代是GaAs和InP，第三代半半導體運用范圍更廣，氮化鎵不妨用來功率器件，其余不妨用來發(fā)射電波頻率器件，氮化鎵再有一個運用是不妨用來LED，此刻用來比擬普遍，巨獎即是氮化鎵藍光LED。功率器件氮化鎵也做二極管和場效力晶體管。發(fā)射電波頻率功夫不妨做PA、LNA等用在基站和雷達里。

功率器件來看，氮化鎵和碳化硅有少許分界限，功率來看，氮化鎵比擬符合650V以次的電壓器件，和他的器件構(gòu)造是相關(guān)系的，氮化鎵普遍是平面型的器件，也即是說電壓主假如在平面上走，不是像碳化硅一律筆直性的。其余不妨從功率上去分，氮化鎵普遍是做1000W、3000W以次的小功率運用，比方說充氣頭、耗費類的，大約惟有幾十瓦，氮化鎵比擬符合的，碳化硅是大功率，軌跡交通上兆瓦的運用都是有的，這是運用上做的少許辨別。

所有商場，氮化鎵的商場暫時不是更加大，2019年在7000多萬美元的量級，它的延長速率很快，2019年此后快充商場暴發(fā)此后，氮化鎵的延長速率比擬快，來歲大約1.65億的數(shù)字，這是yole的數(shù)據(jù)。

氮化鎵的發(fā)射電波頻率器件延長特殊快，從來4G里很多用LDMOS做發(fā)射電波頻率器件，氮化鎵里是不妨在6G赫茲的宏基站都不妨運用到，將來的運用場景利害常鮮明的。仍舊有很多在安置的基站里運用。

本領(lǐng)上去看，純氮化鎵的襯底做到2寸，大概是4英尺小批量的進程，海內(nèi)也有少許公司，蘇州有一家公司做襯底。外延又分幾種，碳化硅襯底長氮化鎵，此刻4寸往6寸轉(zhuǎn)。再有硅基氮化鎵，硅的襯底上長氮化鎵的外延做功率器件，此刻量產(chǎn)是臺積電6寸的比擬多，也有少許在做8寸的硅基氮化鎵的研制和消費。

發(fā)射電波頻率器件，650V及以次的硅基氮化鎵功率器件已消費，最大的功率不妨到達1800W。

這邊陳列的氮化鎵財產(chǎn)鏈上的重要公司，我就不做更加精細的引見，大師不妨看一下。

引見一下邇來更加火的氮化鎵運用即是快充，客歲有30多家公司頒布的鑒于氮化鎵的快充，倍思也有相映的產(chǎn)物，本年小米頒布氮化鎵的充氣器，一下子把大師的關(guān)切激勵出來。她們用氮化鎵的幾個長處，電門頻次不妨很高，從來用硅的器件時，電門頻次大約是200兆赫茲，用到氮化鎵不妨到達500兆赫茲，電子感應被迫的元件不妨減少尺寸，它的耗費更小，散熱訴求會再貶低少許，充氣器的尺寸就會更小。我看到少許商場調(diào)查研究的匯報，客歲寰球有300萬、500萬臺運用氮化鎵快充的產(chǎn)物，本年會延長更快少許，猜測會到達1500萬臺安排的量級，延長利害?？斓模壱彩呛苡羞h景的行業(yè)。

| 公司引見：公司簡介、產(chǎn)物引見、興盛籌備

大略引見一下咱們公司，咱們公司2016年景立，咱們公司所有有70多人，大約的目標掩蓋資料制備，主假如外延；芯片安排、創(chuàng)造工藝、封裝嘗試、啟動運用等各上面。創(chuàng)造此后獲得了深圳市和清華東軍政大學學的大舉扶助，力合本錢也是咱們的股東，也給了咱們特殊多的扶助。

咱們的重要產(chǎn)物是碳化硅二極管和MOSFET，個中600伏到1700伏的碳化硅二極管仍舊量產(chǎn)，650伏二極管車規(guī)正在認證中估計一兩個月不妨實行。1200伏的碳化硅MOSFET加入小批量的量產(chǎn)階段，存戶量仍舊不算太小，車規(guī)級碳化硅模塊在客歲第四序度發(fā)端上車嘗試，完全的產(chǎn)品行能仍舊不妨到達國際的一流程度。咱們有少許本人獨占的本領(lǐng)，比方說外延成長的本領(lǐng)，再有少許中心的工藝，比方說溝槽的刻蝕工藝、高溫柵氧工藝，那些本領(lǐng)不妨讓咱們做出來的器件和入口品牌對標。

這是西安功率半半導體嘗試重心的截止（見PPT），這幾項參數(shù)，反向泄電流，正向壓降基礎(chǔ)上和入口產(chǎn)物是在一個程度線上，浪涌交流電比英飛凌差少許，比其余的都好少許，良率也比擬高，二極管不妨做到95％之上，完全的普遍性也做得比擬好。這是少許實地測量參數(shù)的比較，不妨看到和科銳的產(chǎn)物比較，基礎(chǔ)上都是普遍的。

碳化硅的MOSFET，10月第一款1200伏10安160豪歐的MOSFET經(jīng)過一切產(chǎn)業(yè)級的真實性嘗試，是第一家經(jīng)過一切嘗試的，相映的參數(shù)，阻抗、閾值電壓、耐壓和國際著名品牌在一個程度線上，電極過程嘗試壽命也在200年之上，也是適合訴求的。同聲咱們在開拓少許新式的封裝，這是TO-247-4L的封裝，普遍的三極管的普通上，多加了SS級，不妨縮小完全耗費，實地測量的截止不妨貶低耗費15％到21％，這是咱們一切產(chǎn)業(yè)級真實性嘗試的截止。

咱們還在開拓車規(guī)級的模塊，咱們開拓1200伏、200安的名目，咱們和珠海英博爾共同贏得廣東省中心名目，開拓鑒于碳化硅的電驅(qū)體例，咱們和第一汽車公司、一汽、華域、藍海華騰協(xié)作，估計2020年送樣嘗試

咱們還開拓的全碳化硅的逆變器，鑒于本人的模塊和本人安排的啟動器做的800VDC，150kW，簡單存戶舉行趕快的嘗試處事。

引見下咱們的財產(chǎn)構(gòu)造，暫時支部在深圳，深圳坪山國籌建車規(guī)級的器件封裝出發(fā)地。南京江北新區(qū)外延創(chuàng)造出發(fā)地發(fā)端樹立，日真名古屋是車規(guī)級模塊封裝研制重心，瑞典Kista是碳化硅外延研制重心，咱們和海內(nèi)協(xié)作搭檔舉行碳化硅晶圓片創(chuàng)造工場的處事。

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