珠海鎵將來高科技是海內(nèi)超過的氮化鎵功率器件消費(fèi)企業(yè)，全力于Cascode構(gòu)造氮化鎵產(chǎn)物的研制和消費(fèi)，該構(gòu)造貫串了硅器件的易用性和氮化鎵器件的高頻次高功效的特性，不妨實(shí)行高達(dá)10千瓦的高功率密度電源處置計劃。

1、商場痛點(diǎn)：

大哥大、條記本電腦、枯燥電腦、switch以及百般身上穿著擺設(shè)吞噬了咱們生存中的方上面面。在摩爾定理的感化下，電子產(chǎn)物的本能連接提高，其所對應(yīng)的電源適配重功率的訴求也在連接普及。往常的300W之上的大功率電源適配重，出于體積和干預(yù)的考慮衡量。用保守PFC線路的4個二極管構(gòu)成輸出整組橋。但因?yàn)槎O管的Vf簡直恒定，不管串聯(lián)幾何顆二極管，輸出整組橋的耗費(fèi)簡直沒有方法獲得革新，以是保守電源適配重功效難以提高。輸出整組橋所帶來的耗費(fèi)也使得適配重在處事傍邊發(fā)燒重要。進(jìn)而形成為領(lǐng)會決散熱而增大適配重體積的惡性輪回。

為領(lǐng)會決這一系列的題目，圖騰柱PFC應(yīng)運(yùn)而生。安排職員運(yùn)用4顆MOSFET匯合了整組和PFC的功效，將元器件數(shù)目縮小的同聲，也將整組橋功效提高。但保守COOLMOS管存寄生三極管， 當(dāng)DV/DT過高時，易使寄生三極管導(dǎo)通，爆發(fā)雪崩擊穿。同聲COOLMOS生存體二極管反向回復(fù)帶來的直通交流電和耗費(fèi)題目，以是當(dāng)下管turn on的功夫，Qrr形成的交流電能徑直把MOS廢棄。而為領(lǐng)會決這個題目，只能沿用CRM形式，讓交流電降為0的功夫再打開，價格即是平衡交流電、功率惟有從來的一半。

而GaNext GaN就不妨完備處置之上題目。GaN導(dǎo)熱道理是經(jīng)過氮化鎵和鋁鎵氮兩層之間的壓電效效力產(chǎn)生的二維電子氣導(dǎo)熱的，以是GaN沒有體二極管和寄生三極管，不會爆發(fā)DV/DT作廢形式。同聲咱們在圖中不妨看到，跟CoolMOS比擬，氮化鎵的Qg和輸入庫容都是其五分之一。GaN的Qrr是CoolMOS的200分之一！哪怕是跟特意用來快回復(fù)的CoolMOS比擬， Qrr本能也是要好10倍之上。這表示著GaN 使得圖騰柱PFC不妨處事在貫串交流電形式普及功效的同聲也不喪失功率密度，用更小的電子感應(yīng)實(shí)行99.1%的變換功效。

珠海鎵將來高科技沿用GaN器件無橋圖騰柱PFC計劃，安排上去除去輸出整組橋局部沒轍制止的耗費(fèi)，處置了保守FPC線路功效沒轍提高的題目。同聲經(jīng)過Cascode GaN的運(yùn)用，處置圖騰柱PFC MOSFET反向恢來電荷Qrr過高的只能沿用CRM處事形式的題目。用具備極低等效Qrr的Cascode GaN器件，使得PFC不妨處事在貫串交流電形式普及功效的同聲也不喪失功率密度，用更小的電子感應(yīng)實(shí)行高達(dá)99.1%的變換功效。

Totem-pole Bridgeless圖示：

2、 Ganext-規(guī)格特性：

近期，對準(zhǔn)華夏國家標(biāo)準(zhǔn)強(qiáng)迫規(guī)則GB 20943以及歐洲電工規(guī)范化委員會IEC 61000-3-2的訴求。珠海鎵將來沿用G1N65R150PB和G0N65R070PB兩款低動靜內(nèi)阻Cascode氮化鎵器件，搭配安森美NCP1680，率先實(shí)行了330W鑒于氮化鎵器件的智能攙和旗號無橋圖騰柱 PFC +LLC 96.3% 電源能效量產(chǎn)處置計劃。

鎵將來這套計劃功率密度高達(dá)23.1W/in3，符合處事在0-40℃溫度情況下，扶助90-264V~50/60Hz寰球?qū)挿懂犽妷狠敵?，以?0V16.5A輸入，最大輸入功率330W。滿載功效≥96.4%，輸入電壓紋波＜300mV。

其余電源沿用三腳插口，做了接地處置制止用戶觸點(diǎn)，提高運(yùn)用領(lǐng)會；三圍尺寸（帶塑料外殼）僅120*78*25mm，滿載外表溫度低于50℃，適合IEC 62368-1規(guī)范，EMI規(guī)范適合EN55032 CE & RE Class B，扶助TSD、OLP、OVP、OCP、SCP、Open Loop等養(yǎng)護(hù)。

220V功效比較圖示：

相較330W慣例電源，鎵將來這款330W GaN電源在各個輸出電壓情況下能效都要更高。個中在90V輸出電壓情況下，能效高出了約4%；在220V輸出電壓情況下，能效也高出了約2%。

330W GaN通路拓?fù)鋱D示：

3、GaN 器件：

珠海鎵將來高科技G1N65R150PB和G0N65R070PB, 兼容SuperJunction啟動，在25度情況溫度下動靜內(nèi)阻不勝過150mohm和70mohm，供給TO-220插件封裝。以其健康的抗干預(yù)本領(lǐng)和簡略的啟動辦法，助力用戶實(shí)行簡略高效的150W-1500W電源計劃。

更低動靜電阻，普及變換功效

在高壓運(yùn)用中，縱然氮化鎵器件不妨大大貶低電門耗費(fèi)，但生存一個對導(dǎo)通耗費(fèi)倒霉的個性，稱為動靜內(nèi)阻。從高壓阻斷狀況變革成導(dǎo)通狀況后的第一小學(xué)段功夫，氮化鎵器件不許連忙處事到長功夫?qū)ǖ膬?nèi)阻狀況（靜態(tài)內(nèi)阻），此時的阻值高于靜態(tài)內(nèi)阻。普遍鞏固型氮化鎵器件比靜態(tài)上浮30%安排，更加是在150度結(jié)溫時，動靜內(nèi)阻常常高達(dá)25度結(jié)溫時靜態(tài)內(nèi)阻的250%。G1N65R150PB和G0N65R070PB沿用特出工藝，動靜內(nèi)阻獲得貶低，25結(jié)溫時動靜內(nèi)阻僅150mohm和70mohm，150度結(jié)溫時僅為25度結(jié)溫時的1.5倍，極大的貶低了導(dǎo)通耗費(fèi)，滿意了200W~330W適配重的刻薄散熱訴求。

更高電極耐壓，平靜應(yīng)付多種遏制器計劃

相別于普遍鞏固型氮化鎵功率器件不勝過7.5V的電極耐壓，鎵將來的一切氮化鎵產(chǎn)物電極不妨耐受的極限制用電壓高達(dá)20V，這就不妨兼容用來啟動超結(jié)器件的遏制器。那些遏制器的啟動電壓常常為12V，即使用來啟動普遍鞏固型氮化鎵器件，須要減少分壓阻容搜集和鉗位齊納二極管,啟動線路多達(dá)8個器件。而沿用鎵將來的氮化鎵器件，啟動線路僅需3個電阻及一個二極管，與保守硅超結(jié)器件溝通，簡略的外層通路靈驗(yàn)貶低了占用的PCB表面積，更加符合小尺寸的快充安排。

更高閾值電壓，制止誤導(dǎo)通

普遍鞏固型氮化鎵的閾值電壓常常不勝過1.7V，這與硅超結(jié)器件（典范值普遍在3V安排）比擬，其抗噪聲干預(yù)本領(lǐng)貶低，減少了誤導(dǎo)通的危害了。所以產(chǎn)物封裝和Layout處置起來對立比擬煩惱，須要盡大概縮小源極寄生電子感應(yīng)的感化。G1N65R150PB和G0N65R070PB將開明閾值電壓普及到了3.5V, 不妨靈驗(yàn)貶低電極噪音帶來的誤導(dǎo)透風(fēng)險，電源產(chǎn)物安排更為簡單。

G1N65R150PB和G0N65R070PB仍舊正式量產(chǎn)，而且在330W量產(chǎn)計劃上實(shí)行了最高96.4%的變換功效。

有需要的搭檔不妨與鎵將來高科技接洽，獲得更多產(chǎn)物精細(xì)消息。

郵箱地方sales@ganext.com

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