蝕刻

蝕刻的效率：線路成型。

蝕刻分為干蝕刻與濕蝕刻，其辨別如次：

干蝕刻：運(yùn)用不易被物理、化學(xué)效率妨害的物資光阻來遏制不欲去除的局部，運(yùn)用電漿的離子轟擊效力和化學(xué)反 應(yīng)去掉 想去除的局部，進(jìn)而將所須要的 線路圖形留在玻璃基板上。干蝕刻等向性蝕刻與異向性蝕刻同聲生存。

濕蝕刻：運(yùn)用化學(xué)藥液將須要蝕刻掉的物資蝕刻掉。濕蝕刻為等向性蝕刻。濕蝕刻機(jī)臺(tái)廉價(jià)，蝕刻速率快，但難以透徹遏制線寬和 贏得極端精致的圖形而且須要洪量用水，傳染大 ；干蝕刻機(jī)臺(tái)價(jià)錢高貴，蝕刻速率速率慢，但不妨透徹遏制線寬能贏得極端精致的圖形，并且 不須要用水，傳染小。

Etching process in Array

Dry etching ：

特性：1.異向性較強(qiáng)的蝕刻

　 2.能舉行渺小加工

3.對(duì)panel形成的damage較大

Wet etching：

特性：1.等向性蝕刻

2.擺設(shè)本錢較低且易保護(hù)

DET制造過程引見

Dry etching（干蝕刻）

將一定氣體置于工業(yè)氣壓狀況下施以電壓，將其激勵(lì)成百般各別的帶電荷離子、亞原子團(tuán)、分子以及電子（這種物資狀況稱為Plasma）并運(yùn)用那些解離后帶能量的反饋性的離子及亞原子團(tuán)，對(duì)一定層膜加以化學(xué)性的蝕刻及離子轟擊，到達(dá)膜層去除的一種蝕刻辦法。

Dry etching中起效率的主假如radical和ion。Radical是電中性，由于化學(xué)本質(zhì)很絢爛，以是和膜外表分子爆發(fā)反饋，可到達(dá)膜層去除的效率。反饋天生物動(dòng)作gas被排氣。

帶陽電的ion被selfbias的陰電位招引簡直筆直撞向基板，轟擊膜層外表的分子鍵合，激動(dòng)radical的化學(xué)反饋，并使外表爆發(fā)的反饋物零落。

Etching是以radical為主，仍舊以ion為主。按照運(yùn)用的各別，Dry etching分為2種：

Physicaland Chemical etching

Plasma在干蝕刻中的運(yùn)用

在高周波磁場中央電影企業(yè)股份有限公司子被往返加快，加快后的電子轟擊氣體分子或亞原子，使分子或粒子解離出新的電子(α效率) 而爆發(fā)Ion，大概使分子解離為高活性的自在基。高活性的自在基會(huì)和玻璃基板外表所鍍的地膜物資舉行反饋。

所以Plasma被用在半半導(dǎo)體，LCD行業(yè)中Etching的工藝中，多用在硅和硅的復(fù)合物（SiNx、SiOx 等）的蝕刻工藝，跟著擺設(shè)的矯正，也可用來非金屬鋁的蝕刻。

Plasma蝕刻擺設(shè)高貴，但消費(fèi)進(jìn)程中奢侈的Material特殊少， Plasma蝕刻的便宜在乎：蝕刻的透徹度很好,速率快，蝕刻均一性好，化學(xué)品耗費(fèi)低（較酸液蝕刻）。

干蝕刻：

電漿的構(gòu)成：電子、離子、亞原子團(tuán)、百般中性亞原子和分子。

電子的效率：保護(hù)電漿的生存；

離子的效率：舉行物理性蝕刻；

亞原子團(tuán)的效率:舉行化學(xué)性蝕刻。

物理性蝕刻：運(yùn)用輝光尖端放電爆發(fā)的陽離子轟擊膜層，形成非等向性蝕刻。

化學(xué)性功夫：運(yùn)用Plasma中的反饋性粒子與膜層爆發(fā)化學(xué)反饋，形成等向性蝕刻。

Physical and Chemical etching

Dry etcher的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)

板滯本體制統(tǒng)

1.Process Chamber ：電極板（外表批覆氧化學(xué)物理）(PC)

2.Load and Lock chamber (L/L)

3.Transfer Chamber (T/M)

進(jìn)排氣體例

1．進(jìn)氣壓力遏制

MFC（mass Flow controller）

APC（AdapativePressure Controller）

ISO Value

2.排氣體例

Pump：Dry Pump

MBP：Mechanical Booster Pump

TMP：Turbo Molecular Pump

About 壓力計(jì)

1.capacitance manometer （CM）

按照隔閡的弧度，靜電含量來測定壓力。

特性：與gas 品種無干，精確度高；交戰(zhàn)大氣會(huì)爆發(fā)damage，有valve的養(yǎng)護(hù)。

2.B-Agague（ion gauge）

把Gas ion化后測定分子密度，能測定10ˉ9pa。超真空范圍，也稱為熱負(fù)極水解真空計(jì)。

特性：filament有確定的壽命，功夫會(huì)因process各別而有所各別；按照gas的品種各別，精巧度也各別。交戰(zhàn)大氣會(huì)爆發(fā)damage，有valve的養(yǎng)護(hù)。

3.convectron gauge （pirangauge）

能測定從1pa安排直至大氣壓力為止的壓力。

Dry etch chamber transfer construction

This just the a part of action of the arm in P/M chamber

This just the first lifter pin’s action in the P/C

Dry ETCH mode

PE mode

PE=Plasma etch (電漿蝕刻)

uChemical (radical F＊)

RF generator接在上電極,基板坐落下電極上。在蝕刻中運(yùn)用中性基(radical) 與基板的的化學(xué)反饋舉行etching，是等向性蝕刻(isotropic) ,低ion bombardment效力

lower etch rate

Lower uniformity

對(duì)panel形成的damage很少

RIE mode

RIE=Reactive ion etch（激勵(lì)態(tài)離子蝕刻）

Reactive ion etching

Chemical +physical (ion)

RF接到安置基板的下電極，(因電子品質(zhì)<<ion品質(zhì)，在逼近RF端會(huì)爆發(fā)一自我感觸負(fù)偏壓)使帶陽電的粒子遭到負(fù)偏壓的招引而加快，簡直筆直對(duì)基板舉行粒子轟擊(ion-bombardment)，激動(dòng) radical的化學(xué)反饋。

工業(yè)氣壓舉行process

非等向性蝕刻

ICP mode

ICP=Inductively Coupled Plasma（電子感應(yīng)嚙合等離子體體蝕刻）

Chemical +physical (ion)

上部是coil狀的開辟電極，下部是bias電源。在線圈狀電極的磁場效率下，plasma中的電子和ion會(huì)做程度目標(biāo)的電鉆疏通，所以惟有小批的電子被電極接收，水解率比其余的type高2倍，下部的bias電機(jī)招引ion轟擊基板，舉行etching，能到達(dá)高密度plasma及高etch rate

非等向性蝕刻

普遍會(huì)爆發(fā)particle

ECCP mode

ECCP=Enhanced Capacitance Coupled Plasma（鞏固型庫容嚙合等離子體體蝕刻）

Chemical +physical (ion)

鄙人極板接有兩個(gè)power.個(gè)中source power重要用來解離gas以爆發(fā)plasma; bias power重要用來安排plasma的狀況 ，以鞏固離子的轟擊效力，以是Plasma的密度雖不是很高，但仍舊能到達(dá)較高的蝕刻速度。

非等向性蝕刻

高etch rate

DET 辦法

干蝕刻于制造過程上的運(yùn)用

EPD (End Point Detector)

手段：運(yùn)用etching從發(fā)端到中斷一定射程光強(qiáng)度的變革，檢驗(yàn)和測定出最好蝕刻盡頭， EPD丈量的光的強(qiáng)度的變革有兩種。

EPD的丈量道路有兩種：丈量天生物（低沉型）和丈量反饋物（飛騰型）。

Dry Etching制造過程評(píng)介

普通評(píng)介

1、 蝕刻速度 (Etching Rate )

2、 蝕刻均一性 (Uniform):表白1枚panel內(nèi)幾何點(diǎn)之間E/R 的缺點(diǎn)： Uni.=(Max-Min)/(Max + Min)

3、 采用性 (Selectivity): 被etching的膜和基層膜的E/R的比率

S=E.R.(a-Si)/E.R.(SiNx)

形勢評(píng)介

1、斷面形勢(Taper )

2、CD Loss (Critical Dimension Loss): etching前的resist線寬減去etching后膜的線寬的差值

Dry Etching形勢評(píng)介

斷面形勢(Taper)

Taper系指蝕刻后的斷面歪斜度，是蝕刻制造過程中十分要害的訴求，與后續(xù)堆積之地膜掩蓋性有十分出色的聯(lián)系。

CD Loss

CD Loss (Critical Dimension Loss)普遍又分為單邊（Single side）和雙邊（Both side）CD loss。

干蝕刻制造過程

便宜：

1.側(cè)蝕量小(CD Loss小) 2.形勢加工遏制簡單 3.無廢水處置題目

缺陷：

1.制造過程參數(shù)攙雜 2.耗材本錢高 3.特氣傷害性高

WET制造過程引見

Wet Etchant

What is wet etching ？

濕蝕刻是借符合的侵蝕性溶液對(duì)所欲去除的膜層運(yùn)用化學(xué)反饋往返除的制造過程。

便宜：擺設(shè)用度便宜，制造過程簡單且量產(chǎn)速率快等。

缺陷：CD loss較大，不易將線寬遏制得極為精準(zhǔn)等。易有under cut局面。

比擬之下，干蝕刻異向性強(qiáng)，線寬寧靜性容易遏制，缺陷為機(jī)臺(tái)擺設(shè)及保護(hù)用度高，量產(chǎn)速率慢。

Procedure in wet etching

濕蝕刻反饋進(jìn)程大約不妨分為三個(gè)階段：

（1）反饋物資分散到欲被蝕刻材料質(zhì)量的外表

（2）反饋物與被蝕苛刻膜反饋

（3）反饋物的產(chǎn)品從蝕刻外表分散到溶液中，并隨溶液排出。

在此三個(gè)階段中，反饋?zhàn)盥呒词俏g刻速度的遏制要害，即是說，該階段的舉行速度即是反饋速度。

Etching mode

Taper control

Taper：指蝕刻后的斷面歪斜度，感化后續(xù)堆積地膜的掩蓋性。

對(duì)非金屬膜層及ITO膜層，沿用濕蝕刻容易蝕刻速度及Taper等的遏制，且擺設(shè)便宜。

Process control從蝕刻速度、均一性、CD loss普通評(píng)介，及蝕刻殘留、mura、taper等動(dòng)身，商量制造過程本領(lǐng)。

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