（匯報出品方/作家：興業(yè)證券，謝恒，李雙亮，王佩麟）

1、江豐電子：海內(nèi)濺射靶材龍頭，功績連接寧靜延長1.1、本領(lǐng)寰球超過的海內(nèi)靶材龍頭，有年寧靜供給頂尖存戶

江豐電子創(chuàng)造于 2005 年，創(chuàng)造此后重要從事高純?yōu)R射靶材交易，產(chǎn)物囊括鋁靶、 鈦靶、鉭靶、鎢鈦靶等百般濺射靶材，重要運用于半半導(dǎo)體、枯燥表露、太陽能等 范圍。公司是海內(nèi)濺射靶材龍頭，本領(lǐng)程度居于寰球超過位置，產(chǎn)物已在 IC 創(chuàng)造 范圍 7nm 節(jié)點批量供貨，5nm 節(jié)點局部產(chǎn)物也已評介經(jīng)過并量產(chǎn)，存戶掩蓋臺積 電、中芯國際、SK 海力士、京東方、華星光電等各范圍龍頭廠商。同聲，公司半 半導(dǎo)體用精細(xì)零元件交易漸漸著花截止，財產(chǎn)構(gòu)造進(jìn)一步完備。

公司收入占比擬大的靶材囊括鉭靶、鋁靶、鈦靶，2020 年辨別占 34.7%、18.1%、 13.5%，個中鉭靶、鈦靶重要用來 IC 范圍，鋁靶則各范圍均有所運用，近三年收 入均呈較快延長。同聲銅靶收入趕快延長，暫時重要用來面板范圍，占比從 2018 年的 4.3%提高至 2020 年的 6.4%，LCD 碳纖維維持產(chǎn)物收入對立寧靜，占比則從 10.8%低沉至 5.5%，而成績于 CMP 維持環(huán)、拋光墊等產(chǎn)物收入的趕快放量，其余 產(chǎn)物收入占比從 13.2%提高至 21.8%。

從卑劣運用來看，公司以半半導(dǎo)體用濺射靶材發(fā)跡，半半導(dǎo)體范圍從來是公司最重要 卑劣，2020 年收入占比 82%；而枯燥表露范圍也占領(lǐng)確定比率，2020 年約 16%， 同聲枯燥表露也是公司漸漸發(fā)端發(fā)力的又一中心范圍；而太陽能干電池連年占比整 體上呈低沉趨向，2020 年占比僅為 1.85%。

公司早在十有年前便已切入臺積電、中芯國際供給鏈，產(chǎn)生了長久寧靜的協(xié)作關(guān) 系，臺積電和中芯國際也是公司 2020 年度前兩大存戶，收入占比辨別為 16.52% 和 11.66%。公司 2020 年前中國共產(chǎn)黨第五次全國代表大會存戶還囊括三菱化學(xué)（阿曼存戶多沿用商社形式 購買，對應(yīng)結(jié)尾存戶如東芝、瑞薩、阿曼美光等）、SK 海力士、華星光電，五家 核計占比 46.11%。其余聯(lián)華電子、京東方等也都是公司要害存戶，各范圍龍頭客 戶的長久寧靜供給是公司產(chǎn)品德量及本領(lǐng)深受承認(rèn)的表明。

因為公司普遍掩蓋寰球優(yōu)質(zhì)存戶，其對外銷售收入占比擬高，重要囊括華夏臺灣地域、 阿曼、韓國、新加坡等地，辨別占比 22.2%、10.6%、5.3%、5.9%；同聲跟著海內(nèi) 存戶需要夸大及公司份額提高，外銷和境單位內(nèi)部的保衛(wèi)稅區(qū)出賣占比連年有所提高，2020 年核計到達(dá) 46.6%。

1.2、籌備處置品質(zhì)崇高，功績完全寧靜延長

江豐電子依附超過的本領(lǐng)水寬厚產(chǎn)品德量，穩(wěn)步籌備，產(chǎn)物品類連接充分、存戶 數(shù)目及份額完全上連接減少，實行收入范圍貫串有年寧靜延長，2014-2020 年復(fù)合 增長速度高達(dá) 30%，籌備情景崇高。

公司歸母凈成本完全上也呈延長態(tài)勢，2021 年前三季同期相比下滑主假如因為 2020 年同期公道價格變化收益金額較大，系公司 2020 年入股青島聚源芯星股權(quán)入股合 伙企業(yè)、介入中芯國際策略配售爆發(fā)。

公司成本率完全寧靜，連年厚利率完全維持在 30%安排，2020 年發(fā)端厚利率有所 下滑主假如由于公司實行新管帳規(guī)則、輸送費從出賣用度計入交易本錢，也所以 報表端出賣用度率有所貶低。公司處置用度率在 2016 年成績于范圍效力有鮮明改 善，2019 年此后則遭到了股權(quán)鼓勵用度的累贅，從而局部感化了公司凈稅率，此 外 2020 年凈稅率的革新則很大水平上是因為公道價格變化收益感化。

簡直來看，細(xì)分產(chǎn)物厚利率變革重要受上流原資料購買本錢及產(chǎn)物出賣構(gòu)造變化 感化。上流原資料上面，公司自產(chǎn)高純鋁供給比率漸漸普及，暫時自我供給比率仍舊 到達(dá)極高程度；高純鈦對于具備價錢上風(fēng)的國產(chǎn)廠商的購買比率也完全上到達(dá)較 高程度；高純鉭則仍較依附于海內(nèi)入口。同聲各別原資料的價錢振動對于產(chǎn)物的 厚利率也有較大感化。公司正主動促成高純鉭、高純銅等原資料的自產(chǎn)或國產(chǎn)替 代，對應(yīng)產(chǎn)物的比賽力和厚利率希望獲得革新。

1.3、公司遏制權(quán)寧靜，特出人才共青團(tuán)和少先隊修建本領(lǐng)比賽力

公司占優(yōu)股東及本質(zhì)遏制報酬股東長姚力軍教師，截至 2021 年三季報徑直持有股票比 例為 24.69%，并經(jīng)過江閣實業(yè)、宏德實業(yè)（兩家公司均為姚力軍控制實行工作合 伙人的職工持有股票平臺，與之為普遍動作人）轉(zhuǎn)彎抹角持有股票 6.46%，核計約 31%。公司 其余股東持有股票比率對立分別，遏制權(quán)會合。姚力軍教師動作公司處置共青團(tuán)和少先隊中心， 對于公司凡是籌備計劃一直具備較強(qiáng)遏制力。

姚力軍教師從事超高純非金屬接洽有年，曾在霍尼韋爾處事五年并任其電子資料事 業(yè)部華夏區(qū)總司理，是控制超高純非金屬資料及濺射靶材中心本領(lǐng)的少量華人大師 之一，率領(lǐng)公司在濺射靶材范圍連接沖破。其余，Jie Pan、王學(xué)澤、相原俊夫等 公司高管或中心本領(lǐng)職員也有有年行業(yè)關(guān)系在業(yè)體驗，修建起了公司的人才上風(fēng) 和本領(lǐng)普通。

公司按期實行鼓勵安置，以維持人才共青團(tuán)和少先隊寧靜。2019 年公司實行了第一期股票期 權(quán)鼓勵安置，掩蓋重要高管及 191 名中心本領(lǐng)/交易職員；2021 年終頒布第二期股 權(quán)鼓勵安置預(yù)案，擬賦予控制性股票，掩蓋中心本領(lǐng)/交易職員不勝過 317 人。股 權(quán)鼓勵安置的實行無助于于招引和留住人才，使職工便宜和公司便宜普遍。

公司處置和人才共青團(tuán)和少先隊崇高，同聲連接舉行大舉的研制加入，研制用度占營業(yè)收入比率 完全維持在 6%之上，控制了一系列具備自決常識產(chǎn)權(quán)的中心本領(lǐng)，涵蓋高純非金屬 提煉、晶粒晶向遏制、資料焊接、精細(xì)加工和蕩滌包裝等產(chǎn)物消費的所有過程， 普遍運用于產(chǎn)物的批量消費中。

咱們覺得，依附在半半導(dǎo)體濺射靶材范圍的超過位置，跟著公司大舉開辟枯燥表露 用靶材交易，以及在半半導(dǎo)體范圍受益于國產(chǎn)代替而實行進(jìn)一步的份額提高，公司 靶材交易將維持趕快延長。其余，公司在半半導(dǎo)體零元件交易的有年策略構(gòu)造也逐 漸著花截止，希望迎來成果期，變成公司新的要害延長點。（匯報根源：將來智庫）

2、濺射靶材：卑劣擴(kuò)大產(chǎn)量頂峰疊加國產(chǎn)化加快，靶材龍頭迎趕快生長2.1、PVD 堆積要害原資料，運用普遍空間大

濺射工藝是物理氣相堆積（PVD）本領(lǐng)的一種，是制備電子地膜資料的重要本領(lǐng) 之一，而濺射靶材恰是該工藝的要害原資料。以晶圓創(chuàng)造為例，須要重復(fù)反復(fù)薄 膜堆積工藝，用來導(dǎo)熱層、遏制層、交戰(zhàn)層、介電層等的制備，地膜堆積工藝通 常分為物理氣相堆積（PVD）本領(lǐng)和化學(xué)氣相堆積（CVD）本領(lǐng)，個中 PVD 常 用來成長鋁、銅、鈦、鉭等非金屬地膜，CVD 常用來制備氧化硅等絕緣地膜。

除鎢交戰(zhàn)層和銅互連層外的絕大普遍非金屬地膜都是用 PVD 本領(lǐng)天生，而濺射則是 暫時最合流的 PVD 本領(lǐng)。濺射是運用離子源爆發(fā)的離子，在真空間過程加快會合， 而產(chǎn)生高速率能得離子束流，轟擊液體外表，離子和液體外表亞原子發(fā)靈巧能調(diào)換，使液體外表的亞原子擺脫液體并堆積在基底外表，被轟擊的液體是制備濺射法堆積 地膜的原資料，稱為濺射靶材。一致地，除晶圓創(chuàng)造外，表露面板、地膜太陽能 干電池等的創(chuàng)造進(jìn)程中也城市用到濺射工藝以制備地膜資料。

濺射靶材品種和規(guī)格稠密，按形勢不妨分為長靶、方靶、圓靶等；按化學(xué)因素又 不妨分為非金屬靶材、合金靶材、復(fù)合物靶材等，用以堆積各別的地膜資料；而按 照卑劣結(jié)尾運用則又不妨分為半半導(dǎo)體用、枯燥表露用、太陽能干電池用、消息保存 用、元器件用等多品種。

各別運用范圍對于濺射靶材的資料和本能訴求生存確定分別。如半半導(dǎo)體芯片對于 靶材的純度和精度訴求最高，本領(lǐng)難度也最高，常常為圓靶；而面板則訴求資料表面積大、平均性好，本領(lǐng)難度不如芯片但訴求也很高，形勢常為長靶。

據(jù)華經(jīng)財產(chǎn)接洽院數(shù)據(jù)，2020 年寰球濺射靶材商場范圍約 196 億美元，個中以平 板表露范圍商場范圍最大，2020 年在 70 億美元安排。而半半導(dǎo)體范圍商場范圍約 在 10 多億美元。其余記載媒介和光伏干電池范圍占比也較大，2018 年辨別在 28.6% 和 18.5%安排。

2.2、海內(nèi)卑劣財產(chǎn)興起，國產(chǎn)代替加快下優(yōu)質(zhì)龍頭迎興盛生機(jī)

2.2.1、半半導(dǎo)體：本能訴求最高，海內(nèi)晶圓廠擴(kuò)大產(chǎn)量頂峰啟發(fā)靶材需要

半半導(dǎo)體芯片是對濺射靶材的因素、構(gòu)造和本能訴求的最高的范圍。簡直來講，半 半導(dǎo)體芯片的創(chuàng)造進(jìn)程可分為硅片創(chuàng)造、晶圓創(chuàng)造和芯片封裝等三大步驟，個中， 在晶圓創(chuàng)造和芯片封裝這兩個步驟中都須要用到非金屬濺射靶材。

簡直來看，半半導(dǎo)體范圍用量較多的濺射靶材重要有鉭靶、銅靶、鋁靶、鈦靶等，個中銅靶和鉭靶多共同起來運用，辨別用來天生銅導(dǎo)熱層和鉭遏制層，在 110nm 以次本領(lǐng)節(jié)點中洪量運用；鋁靶和鈦靶則重要用來 8 英尺晶圓 110nm 之上本領(lǐng)節(jié) 點中導(dǎo)熱層和遏制層的制備。跟著芯片制造過程連接微縮，銅靶和鉭靶需要希望連接 延長，而公共汽車芯片等仍普遍運用老練制造過程，鋁靶和鈦靶仍有洪量運用。

公共汽車電子、HPC 等需要振奮，寰球重要晶圓廠大幅擴(kuò)大產(chǎn)量。成績于 5G、公共汽車電子、 HPC、物聯(lián)網(wǎng)等需要振奮，半半導(dǎo)體行業(yè)景氣派較高，寰球重要晶圓廠都紛繁建廠 擴(kuò)大產(chǎn)量。以臺積電為例，看好 5G、HPC 的長久大趨向，擴(kuò)大產(chǎn)量主動，2021 年本質(zhì)資 本開銷為 300 億美金，2022 年引導(dǎo)為 400-440 億美元，本錢開銷連接革新高。

跟著寰球重要 IC 創(chuàng)造廠紛繁大幅擴(kuò)大產(chǎn)量，硅晶圓出貨量估計也將寧靜減少，從而拉 動對半半導(dǎo)體資料的用量需要。各別于入股建廠時對于擺設(shè)的會合購買，資料的消 耗更多在乎晶圓產(chǎn)量減少后的長久連接性減少，跟著晶圓廠生產(chǎn)能力連接開釋，估計 半半導(dǎo)體用濺射靶材商場將來將連接較快延長。

海內(nèi)晶圓廠/保存廠加入擴(kuò)大產(chǎn)量頂峰期，為國產(chǎn)資料廠商供給豐富的生長泥土。海內(nèi) 的中芯國際、長江保存、長鑫保存、華虹團(tuán)體等晶圓廠/保存廠在本領(lǐng)工藝上實行 沖破后，正加入加快擴(kuò)分娩期，跟著晶圓生產(chǎn)能力的漸漸開釋，對濕電子化學(xué)品等半導(dǎo) 體資料的需要量也將有鮮明且長久可連接的拉動，進(jìn)一步翻開了國產(chǎn)資料廠商的 成漫空間。

所以，咱們覺得，在新動力、IoT、HPC 等強(qiáng)勁需要啟發(fā)下，晶圓創(chuàng)造希望連接 高景氣，重要晶圓廠紛繁主動擴(kuò)大產(chǎn)量，生產(chǎn)能力的開出將連接性啟發(fā)半半導(dǎo)體用濺射靶材 商場生長，更加是海內(nèi)晶圓廠正居于擴(kuò)大產(chǎn)量頂峰期，生產(chǎn)能力高速延長，啟發(fā)海內(nèi)商場 更快延長。

2.2.2、枯燥表露：國產(chǎn)面板廠趕快興起，海內(nèi)商場希望實行更快延長

枯燥表露重要囊括液晶表露（LCD）、等離子體表露（PDP）、有機(jī)發(fā)亮二極管表露 （OLED）等，多由非金屬電極、通明導(dǎo)熱極、涂層、發(fā)亮層構(gòu)成，為了保護(hù)大 表面積膜層的平均性，普及消費率和貶低本錢，濺射本領(lǐng)越來越多地被用來制備這 些膜層?？菰锉砺跺兡び脼R射靶材重要種類有：鉬靶、鋁靶、鋁合金靶、鉻靶、 銅靶、銅合金靶、硅靶、鈦靶、鈮靶和氧化銦錫（ITO）靶材等。

暫時地膜晶體管液晶表露（TFT-LCD）是最為合流的表露面板本領(lǐng)，據(jù)隆華高科技 公布，用來創(chuàng)造 TFT-LCD 面板的非金屬靶材，以鋁靶、銅靶、鉬靶和鉬鈮合金靶為 主，局部枯燥表露企業(yè)也會用到鈦靶、鉭靶、鈮靶、鉻靶以及銀靶等。但因為各 家企業(yè)所沿用的濺射工藝各別，其所選的濺射靶材也有辨別，比方，京東方用銅 靶、鋁靶、鉬靶和鉬鈮靶；韓國三星用鉬靶、鉭靶、鈦靶，但不必鉬鈮靶；中央電影企業(yè)股份有限公司 貓熊用銅靶、鈦靶，但不必鉬靶、鉭靶等。

跟著電視大尺寸化趨向促成，以及 IT、公共汽車電子等需要拉動，面板商場需要希望 連接延長。面板最重要卑劣為電視范圍，2020 年以需要表面積計，TV 面板占總商場的七成安排。寰球商場來看 TV 出貨量總體上較為寧靜，而在高世代線的助力 下 TV 大尺寸化趨向漸漸鮮明，據(jù) Omdia 數(shù)據(jù)，2018 年發(fā)端 60 英尺之上的電視 面板需要連接延長，同聲奧維云網(wǎng)數(shù)據(jù)也表露結(jié)尾電視零賣商場連接向大尺寸化 目標(biāo)歪斜。

疫情常態(tài)化啟發(fā) IT 類面板范圍延長，公共汽車智能化激動車載表露商場趕快延長。新 冠疫情對于人們的生存和處事辦法爆發(fā)了深刻感化，在線辦公室/培養(yǎng)需要明顯提 升，且疫情常態(tài)化下長途辦公室的上風(fēng)被暴露、將來希望被持久保持，條記本電腦、 枯燥電腦和液晶表露器需要提高鮮明，希望變成新增的常態(tài)化需要；同聲，公共汽車 智能化電動化趨向鮮明，中央控制表露屏要害性突顯，樣式革新和多聯(lián)屏幕大概性顯 著夸大，將來跟著公共汽車智能化加快，車載表露商場希望連接趕快延長。

面板行業(yè)格式演進(jìn)，國產(chǎn)廠商連接興起。我國 LCD 面板廠商本領(lǐng)和財產(chǎn)鏈已格外 老練，同聲在策略、資本等扶助下，不妨舉行逆周期入股并制止周期底部不足， 而原有龍頭韓國三星、LG 因為偶爾接受高額不足以及 OLED 面板結(jié)余性更好的 因為，漸漸退出 LCD 生產(chǎn)能力，而國產(chǎn)廠商如京東方、TCL 華星等，跟著前些年生產(chǎn)能力連接開釋以及合并采購，已漸漸在 LCD 行業(yè)吞噬主宰位置。

海內(nèi)廠商在 LCD 面板范圍吞噬主宰，并主動構(gòu)造新式表露本領(lǐng)，在 OLED、Mini LED/Micro LED 等表露本領(lǐng)等已產(chǎn)生完備的本領(lǐng)和生產(chǎn)能力構(gòu)造，在表露面板行業(yè)持 續(xù)興起，將來海內(nèi)面板商場估計將維持杰出延長，并啟發(fā)枯燥表露用濺射靶材市 場范圍穩(wěn)步延長。

2.3、海內(nèi)龍頭把持，國產(chǎn)代替空間宏大

高純?yōu)R射靶材動作 PVD 堆積的要害原資料，其純度、密度、品德等對最后的電子 器件或光學(xué)元器件的品質(zhì)和本能起著要害效率。暫時高端鍍膜資料產(chǎn)物純度普遍 在 99.99%-99.9999%（即 4-6N），如純度訴求最高的 IC 范圍常常要到達(dá) 5N5 （99.9995%）之上，枯燥表露和太陽能干電池也辨別訴求到達(dá) 5N、4N5 之上。濺射 靶材品質(zhì)對膜層本能有很大的感化，同聲會感化到鍍膜的消費功效和本錢，具備 較高的加入壁壘。

從財產(chǎn)鏈步驟來看，濺射靶材上流原資料為高純非金屬，若非金屬雜質(zhì)含量過高，則 產(chǎn)生的地膜沒轍到達(dá)運用所訴求的電本能，且在濺射進(jìn)程中易在晶圓上產(chǎn)生微粒， 引導(dǎo)通路短路或破壞，重要感化地膜的本能。而這對非金屬提煉的訴求極高，且提 純后往交易需配比其余非金屬元素本領(lǐng)加入運用，這個進(jìn)程中需過程熔煉、合金化 和鍛造等辦法，對配比和工藝遏制都有極高訴求，所以暫時高純銅、高純鉭等原 資料都很大水平上由海內(nèi)廠商把控，海內(nèi)靶材廠商的購買簡單遭到控制。

繼上流高純非金屬原資料步驟后，在濺射靶材創(chuàng)造步驟，須要舉行重復(fù)的塑性別變化形、 熱處置，須要透徹地遏制晶粒、晶向等要害目標(biāo)，再過程焊接、板滯加工、蕩滌 枯燥、真空包裝等歲序，歲序稠密且精致，歲序過程處置及創(chuàng)造工藝程度將徑直 感化到濺射靶材的品質(zhì)和良品率。

暫時寰球濺射靶材具備范圍化消費本領(lǐng)的企業(yè)較少，主假如日礦非金屬、霍尼韋爾、 東曹、普萊克斯等日美廠商主宰，那些龍頭廠商較早涉足該范圍，本領(lǐng)積聚深沉、 專利構(gòu)造完備，且連接舉行筆直調(diào)整和橫向蔓延，同聲控制非金屬提煉和濺射靶材 創(chuàng)造本領(lǐng)。而韓國、新加坡、華夏臺灣地域等在磁記載和光學(xué)地膜范圍有所善于， 但大多缺乏中心本領(lǐng)及裝置，中心資料靶坯依附美日入口。我國濺射靶材財產(chǎn)起 步較晚，完全本領(lǐng)和范圍與寰球龍頭比擬仍有較大差異，更加是在半半導(dǎo)體、枯燥 表露等中高端范圍有著宏大的代替空間。

海內(nèi)已有局部優(yōu)質(zhì)供給商在細(xì)分范圍博得沖破，如江豐電子在半半導(dǎo)體范圍打進(jìn)臺 積電產(chǎn)線，阿石創(chuàng)和隆華高科技等在枯燥表露范圍有所樹立，固然很大水平上同樣 生存著中心資料和裝置依附海內(nèi)廠商、財產(chǎn)化簡單受人控制的情景，但跟著本領(lǐng) 提高和生產(chǎn)能力夸大，完全上面對著宏大的份額提高時機(jī)。

卑劣存戶紛繁加快促成自決可控，國產(chǎn)供給商迎興盛生機(jī)。在暫時外部情況謬誤 定的后臺下，各范圍自決可控的要害性明顯提高，更加是 IC 范圍極具代辦性，終 端廠商紛繁發(fā)端加快促成國產(chǎn)代替，對國產(chǎn)供給商的沿用志愿鮮明鞏固，為之提 供珍貴的考證與試錯時機(jī)。而面板范圍京東方和華星光電等國產(chǎn)廠商行業(yè)位置快 速興起，同樣有國產(chǎn)代替以及降本錢和外鄉(xiāng)化供給要求，國產(chǎn)廠商正面對著杰出 的興盛機(jī)會，細(xì)分龍頭希望實行份額趕快提高。

2.4、江豐電子：國產(chǎn)代替三好生，連接完備上流原資料構(gòu)造

江豐電子動作本領(lǐng)積聚深沉的海內(nèi)濺射靶材龍頭，本領(lǐng)程度居于寰球超過位置。 從本領(lǐng)壁壘最高的半半導(dǎo)體范圍來看，公司 300mm 晶圓用鋁、鈦、鉭、銅等靶材產(chǎn) 品已批量運用于 90-7nm 本領(lǐng)節(jié)點，個中鉭靶材及環(huán)件在臺積電 7nm 量產(chǎn)，且應(yīng) 用來 5nm 節(jié)點的局部產(chǎn)物也已獲存戶評介經(jīng)過并量產(chǎn)，完全上與卑劣 IC 創(chuàng)造最 進(jìn)步節(jié)點的演進(jìn)維持同步，在寰球范疇內(nèi)能實行這點的廠商也是百里挑一。

而在面板范圍，公司 LCD 用平面鋁靶、銅靶、鉬靶及管狀銅靶在 G4.5-G11 世代 線經(jīng)過存戶考證并實行量產(chǎn)，實行了對最高世代 LCD 面板產(chǎn)線的掩蓋。所以公司 在半半導(dǎo)體和面板等范圍都完備了基礎(chǔ)不妨實行國產(chǎn)代替的本領(lǐng)，希望充溢受益、 實行份額趕快提高。

同聲，因為上流高純非金屬資料對于濺射靶材產(chǎn)物至關(guān)要害，假如依附于海內(nèi)入口， 對應(yīng)濺射靶材的財產(chǎn)化及生產(chǎn)能力范圍城市受人掣肘。公司很早便對高純非金屬舉行布 局，經(jīng)過子公司/聯(lián)合經(jīng)營公司等辦法連接促成自決可控，暫時高純鋁、高純鈦的入口 依附水平仍舊很低，鉭資料的自決化也已實行鮮明沖破，結(jié)余本領(lǐng)估計會漸漸改 善，銅資料自行研制也在無序霸占中，將靈驗處置此前銅靶受制于原資料而范圍較小 的題目，將來三年希望迎來趕快放量。原資料的自決化是公司的要害比賽力地方， 靈驗處置了被海內(nèi)廠商卡脖子的題目，同聲能維持杰出的本錢上風(fēng)。

公司此前收入構(gòu)造中半半導(dǎo)體范圍占比高達(dá) 80%之上，這與公司戰(zhàn)略相關(guān)，在早期 資本和研制資源有限的情景下，先行采用本領(lǐng)壁壘最高的半半導(dǎo)體范圍舉行沖破， 彌補(bǔ)海內(nèi)空缺，而后再向商場范圍更大、本領(lǐng)難度對立更低的面板范圍拓展，目 前已實行鋁靶、銅靶、鉬靶等產(chǎn)物量產(chǎn)，存戶也已實行對京東方、華星光電等國 內(nèi)龍頭的掩蓋，但完全份額還對立較小。

公司 2020 年枯燥表露用靶材產(chǎn)量約 1134.7 噸，2021 年擬募資 5.2 億元舉行惠州 出發(fā)地和武漢出發(fā)地名目樹立舉行擴(kuò)大產(chǎn)量。兩大出發(fā)地可就近配系鄰近面板產(chǎn)線，達(dá)到規(guī)定的產(chǎn)量后 估計將辨別新增 1847.1 噸和 2102.8 噸，按公司公布的工日生產(chǎn)能力算則是在原有 6.48 萬工日普通上減少 24.3 萬工日，同期相比延長 375%。達(dá)到規(guī)定的產(chǎn)量后估計公司此前生產(chǎn)能力瓶頸 的題目將獲得靈驗處置，將來在面板范圍的份額希望趕快提高。

同聲，動作國產(chǎn)代替前衛(wèi)，公司在半半導(dǎo)體用濺射靶材生產(chǎn)能力上也將大幅夸大，實行 份額提高。暫時半半導(dǎo)體范圍自決可控要害性突顯，IC 創(chuàng)造存戶紛繁加快沿用國產(chǎn) 供給商的產(chǎn)物，而公司動作產(chǎn)物打進(jìn)臺積電進(jìn)步節(jié)點產(chǎn)線的海內(nèi)廠商，毫無疑義 是半半導(dǎo)體用濺射靶材國產(chǎn)代替的首要選擇。公司擬訂增募資不勝過 16.52 億元，用來 IC 用濺射靶材擴(kuò)大產(chǎn)量，建交后將實行年產(chǎn)鋁、鈦、鉭等靶材 5.2 萬個以及銅靶 1.8 萬個，沖破原有生產(chǎn)能力瓶頸、實行份額趕快提高。（匯報根源：將來智庫）

3、半半導(dǎo)體用零元件國產(chǎn)化得宜時，江豐電子迎來成果期3.1、半半導(dǎo)體擺設(shè)要害構(gòu)成局部，品類多、空間大

半半導(dǎo)體用精細(xì)零元件，望文生義，指的是半半導(dǎo)體擺設(shè)中所用到的上流精細(xì)零元件， 是半半導(dǎo)體擺設(shè)的要害構(gòu)成局部，簡直囊括百般 Pump（泵）、Valve（閥門）、O Ring （墊圈）、ESC（靜電吸盤）、Shower Head（氣體噴淋頭）等。因為半半導(dǎo)體擺設(shè) 自己具備多種類、小批量、定制化的特性，所以其精細(xì)零元件也具備一致特性， 細(xì)分品種極多、數(shù)以千計。

據(jù)接洽組織 VLSI Research 設(shè)置，半半導(dǎo)體子體例及零元件分為幾大類，囊括流體 處置體例、集成進(jìn)程確診體例、光學(xué)體例、電源與反饋氣體制統(tǒng)、熱處置體例、 真空體例、晶圓處置體例、集成體例等，個中又以真空體例、電源體例、晶圓處 理體例和流體處置體例為主，核計占比約七成安排。

而依照半半導(dǎo)體零元件的重要資料和運用功效來分，又不妨將其分為六大類，包 括硅/碳化硅件、石英件、陶瓷件、非金屬件、石墨件、塑料件、真空件、密封件、 過濾元件、疏通元件、電氣控制元件以及其余元件。個中各大類零元件還囊括幾何細(xì) 分產(chǎn)物，比方在真空件里就囊括真空計（丈量工藝真空）、真空壓力計、氣體流量 計（MFC）、真空閥件、真空泵等多種要害零元件。

同聲，依照半半導(dǎo)體零元件效勞東西來分，半半導(dǎo)體中心零元件不妨分為兩種，即精 密機(jī)加件和通用外購件。精細(xì)機(jī)加件常常由各個半半導(dǎo)體擺設(shè)公司的工程師自行設(shè) 計，而后委附加工，只會用來本人公司的擺設(shè)上，如工藝腔室、傳輸腔室等，國 產(chǎn)化對立簡單，普遍對其外表處置、精細(xì)機(jī)加工等工藝本領(lǐng)的訴求較高；通用外 購件則是少許過程長功夫考證，獲得稠密擺設(shè)廠和創(chuàng)造廠普遍承認(rèn)的通用零元件， 越發(fā)具備規(guī)范化，會被各別的擺設(shè)公司運用，也會被動作產(chǎn)線上的附件耗材來使 用，比方硅構(gòu)造件、O-Ring 墊圈、閥門、計（Gauge）、泵、Face plate、氣體噴 淋頭 Shower head 等，因為這類元件完備較強(qiáng)的通用性和普遍性，而且須要獲得 擺設(shè)、創(chuàng)造產(chǎn)線上的認(rèn)證，所以國產(chǎn)化難度較高。

其余，從卑劣半半導(dǎo)體擺設(shè)廠商的購買原資料來看，以沈陽拓荊為例，其購買重要 囊括板滯類、機(jī)電一體類、電氣類、氣體保送體例類、真空體例類、隸屬擺設(shè)等， 個中板滯類、電氣類、機(jī)電一體類等占比擬高。

半半導(dǎo)體用零元件品類極多、分別度高，咱們參考富創(chuàng)精細(xì)募股書中的本領(lǐng)估測計算其 商場范圍。半半導(dǎo)體擺設(shè)廠商本錢形成中，徑直資料占比約在 80%-90%，而擺設(shè)廠 商厚利率多在 40%-50%，所以徑直資料占擺設(shè)廠商出賣額約在 40%-55%；而精細(xì) 零元件占原資料購買比率較高，按照零元件設(shè)置各別，最少也在 70%之上。貫串 起來估測計算，半半導(dǎo)體零元件占半半導(dǎo)體擺設(shè)商場范圍的比率頑固估量在三成之上，而 2020、2021 年 WFE 范圍辨別為 712 億、1030 億美元，對應(yīng)半半導(dǎo)體零元件商場規(guī) 模估計在兩第三百貨億美元之上。

而據(jù)前文已述論理，暫時半半導(dǎo)體行業(yè)景氣派高，臺積電等重要晶圓廠都主動擴(kuò)大產(chǎn)量， 高本錢開銷下半半導(dǎo)體擺設(shè)商場及其上流零元件商場都希望再革新高；更加是陸地 商場，在海內(nèi)晶圓廠趕快興起的擴(kuò)大產(chǎn)量頂峰期下，希望實行更高延長。

3.2、國產(chǎn)化水平低，代替元年仍舊打開

半半導(dǎo)體零元件具備本領(lǐng)聚集特性，對精度和真實性等訴求高。半半導(dǎo)體擺設(shè)的要害 中心本領(lǐng)很多都以精細(xì)零元件動作載體來實行，其晉級迭代很大水平上也依附于 精細(xì)零元件本領(lǐng)開始沖破。因為需用來精細(xì)的半導(dǎo)機(jī)制造，零元件有著精度高、 工藝攙雜、訴求嚴(yán)苛等特性，常須要統(tǒng)籌強(qiáng)度、抗侵蝕、電子個性、資料純度等 復(fù)合功效訴求，消費難度較高，且在大量量消費時，對于廠商消費加工的普遍性、 真實性、寧靜性訴求極高。

半半導(dǎo)體零元件品類多、批量小、格式分別。因為精細(xì)零元件品類極多，批量小， 其商場碎片化特性鮮明，單個產(chǎn)物商場空間并不大，所以少許國際龍頭采用跨行 業(yè)跨品類興盛，如 MKS 儀器公司，在氣體壓力計、發(fā)射電波頻率/直流電電源、真空產(chǎn)物、 板滯手臂等產(chǎn)物線均吞噬重要商場份額，且除去半半導(dǎo)體行業(yè)外，還普遍地運用于 產(chǎn)業(yè)創(chuàng)造、人命與安康科學(xué)等范圍；蔡司光學(xué)畫面也普遍運用于各個范圍。

同聲也因為商場極為碎片化，且本領(lǐng)壁壘高，行行業(yè)內(nèi)部企業(yè)較難實行全品類掩蓋， 商場格式較為分別。據(jù) VLSI 數(shù)據(jù)，近 10 年里，前十大供給商的商場份額總和趨 于寧靜在 50%安排。但因為半半導(dǎo)體零元件對精度和品德的莊重訴求，就簡單半導(dǎo) 體零元件而言，寰球普遍僅有少量幾家供給商不妨供給產(chǎn)物，這也引導(dǎo)了細(xì)分品類的會合度常常在 80%-90%之上，把持效力比擬鮮明。

暫時半半導(dǎo)體零元件供給格式以海內(nèi)廠商為主，海內(nèi)自給率較低，既因財產(chǎn)壁壘高、 商場碎片化，也由于海內(nèi)卑劣半半導(dǎo)體擺設(shè)財產(chǎn)不昌盛，海內(nèi)零元件廠商不足本領(lǐng) 普通、興盛性價比不高。據(jù)芯謀接洽統(tǒng)計，石英件、邊際環(huán)、Shower Head 等部 件自給率勝過 10%，而泵、板滯臂、閥等元件自給率都極低。

而跟著卑劣晶圓創(chuàng)造廠及擺設(shè)廠商迎來高速發(fā)延期，且在外部情況不決定后臺下 各步驟自決可控過程加快，零元件步驟已在 2021 年打開代替元年，將來三年恰是 代替頂峰期。在少許細(xì)分品類實行本領(lǐng)和存戶沖破的優(yōu)質(zhì)廠商，如江豐電子、富 創(chuàng)精細(xì)、靖江前衛(wèi)等企業(yè)的訂單和出賣希望加快開釋。

3.3、江豐電子：半半導(dǎo)體零元件交易著花截止，迎來高速延長期

公司較早便打開了零元件交易的策略構(gòu)造，半半導(dǎo)體精細(xì)零元件和高純?yōu)R射靶材有 較多本領(lǐng)溝通之處，更加展現(xiàn)在非金屬資料和精細(xì)加工等上面，而公司依附有年從事高純?yōu)R射靶材交易的本領(lǐng)積聚以及連接的研制加入，勝利量產(chǎn)多種精細(xì)零元件 產(chǎn)物，而順著暫時卑劣存戶加快促成零元件自決可控的生機(jī)，其半半導(dǎo)體零元件業(yè) 務(wù)已漸漸迎來成果期。

公司構(gòu)造半半導(dǎo)體零元件品類稠密，波及 PVD、CVD、蕩滌等多個步驟，產(chǎn)物囊括 PVD 機(jī)臺用 Clamp Ring、Collimator，CVD 及 etching 機(jī)臺用 face plate、shower head 等，CMP 用金剛石研磨片、Retaining Ring 等，其余 CVD 腔室等產(chǎn)物也已量產(chǎn)。

存戶上面，公司產(chǎn)物重要面向半半導(dǎo)體擺設(shè)創(chuàng)造廠商和 IC 創(chuàng)造企業(yè)兩大類存戶，憑 借宏大的產(chǎn)品行能和與原有交易溝通的存戶圈積聚，公司已實行產(chǎn)物在諸多優(yōu)質(zhì) 存戶的量產(chǎn)，交易在 2021 年實行趕快延長，公布稱 2021 上半年出賣額已勝過上 年終年程度，產(chǎn)品德量和寧靜性獲得充溢承認(rèn)。

暫時海內(nèi)半半導(dǎo)體零元件完全居于國產(chǎn)化水平極低的狀況，且零元件品種稠密，國 內(nèi)供給商常常環(huán)繞本人已有本領(lǐng)積聚舉行產(chǎn)物開辟，掩蓋品類生存差變化，對于 國產(chǎn)廠商來說比賽格式杰出。公司已實行較多零元件產(chǎn)物量產(chǎn)并切入數(shù)家優(yōu)質(zhì)客 戶，跟著公司實行更多存戶及份額沖破，估計將來三年公司半半導(dǎo)體零元件交易有 望實行高速延長。

4、結(jié)余猜測與入股領(lǐng)會中心假如

鉭靶：跟著卑劣晶圓生產(chǎn)能力減少啟發(fā)需要延長，同聲公司募投生產(chǎn)能力漸漸減少、份額 提高，估計公司鉭靶 2021-2023 年收入辨別為 5.0 億、6.5 億、8.0 億元。而跟著公 司上流高純鉭自我供給比率的提高，估計其厚利率有所提高。

鋁靶：跟著公司在面板和半半導(dǎo)體范圍鋁靶生產(chǎn)能力均漸漸開釋，估計公司鋁靶 2021-2023 年收入辨別為 3.0 億、5.0 億、7.0 億元，厚利率完全寧靜。

鈦靶：跟著卑劣晶圓生產(chǎn)能力減少啟發(fā)需要延長，同聲公司募投生產(chǎn)能力漸漸減少、份額 提高，估計公司鈦靶 2021-2023 年收入辨別為 2.2 億、3.0 億、4.0 億元，厚利率整 體寧靜。

銅靶：公司要害原資料博得沖破，半半導(dǎo)體銅靶生產(chǎn)能力希望趕快放量，估計公司銅靶 2021-2023 年收入辨別為 0.8 億、1.6 億、2.5 億元，因為半半導(dǎo)體范圍占比的提高預(yù) 計 2022、2023 年厚利率較前期更高。

LCD 用碳纖維維持：估計將來三年公司該交易收入和厚利率完全維持寧靜。

其余交易：公司產(chǎn)物構(gòu)造漸漸普遍，半半導(dǎo)體精細(xì)零元件和 CMP 關(guān)系產(chǎn)物都居于 趕快放量期。以半半導(dǎo)體精細(xì)零元件為例，其國產(chǎn)化得宜時，公司動作稀缺的在多 種零元件產(chǎn)物實行沖破的國產(chǎn)供給商，與海內(nèi)卑劣存戶精細(xì)協(xié)作，希望進(jìn)一步增 添公司延長能源。

海內(nèi)晶圓廠正居于擴(kuò)大產(chǎn)量頂峰，啟發(fā)濺射靶材商場生長，疊加國產(chǎn)代替加快，公司 動作濺射靶材寰球超過廠商，跟著生產(chǎn)能力開釋，希望維持較快延長；同聲，半半導(dǎo)體 精細(xì)零元件交易構(gòu)造變成公司新的延長極，在零元件國產(chǎn)化過程打開的后臺下， 公司實行多種產(chǎn)物量產(chǎn)并切入海內(nèi)著名半半導(dǎo)體擺設(shè)廠商和 IC 創(chuàng)造存戶供給鏈，業(yè) 務(wù)迎來放量。

（正文僅供參考，不代辦咱們的任何入股倡導(dǎo)。如需運用關(guān)系消息，請參見匯報原文。）

精選匯報根源：【將來智庫】。

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