（匯報(bào)出品方/領(lǐng)會(huì)師：國(guó)金證券 姚遙）

1、平價(jià)期間仍需降低成本增效，N 型干電池本領(lǐng)迭代加快 1.1 從財(cái)產(chǎn)鏈各別步驟的觀點(diǎn)對(duì)于提效的需要性

平價(jià)上鉤期間仍需關(guān)心光伏度電本錢(qián)的低沉。按照國(guó)際可復(fù)活動(dòng)力署（IRENA）頒布的《2020 年可復(fù)活動(dòng)力火力發(fā)電本錢(qián)匯報(bào)》，寰球晶硅光伏火力發(fā)電名目加權(quán)平衡火力發(fā)電本錢(qián)由 2010 年的約 0.381 美元/度大幅低沉至 2020 年 的約 0.057 美元/度，低沉幅度到達(dá) 85%，并估計(jì) 2022 年寰球太陽(yáng)能光伏火力發(fā)電的平衡本錢(qián)降至為 0.04 美元，較 2020 年低沉 30%，比燃煤火力發(fā)電低 27%之上。

度電本錢(qián)的趕快低沉靈驗(yàn)的激動(dòng)了光伏財(cái)產(chǎn)的興盛，光伏火力發(fā)電也漸漸變成新式風(fēng)力體例的要害構(gòu)成局部，然而須要精確的是度電本錢(qián)再有進(jìn)一步低沉的空間，光伏火力發(fā)電的位置也須要進(jìn)一步堅(jiān)韌。更加是在無(wú)補(bǔ)助期間，卑劣光伏發(fā)電站對(duì)于 IRR 的關(guān)心水平進(jìn)一步加深，督促其上流組件、干電池廠商對(duì)于經(jīng)過(guò)本領(lǐng)超過(guò)降低成本有著急迫需要。

從結(jié)尾收益率的觀點(diǎn)看：光伏本領(lǐng)興盛與革新的基礎(chǔ)目的是激動(dòng) LCOE 的貶低，對(duì)應(yīng)到典范的運(yùn)用場(chǎng)景，即是巨型大地發(fā)電站的的 LCOE 貶低。

以巨型大地發(fā)電站為例，用度重要囊括：火力發(fā)電擺設(shè)、興辦工程費(fèi)、其余用度、計(jì)劃費(fèi)、樹(shù)立期本錢(qián)等，那些用度較為恒定，難以大幅貶低。降低成本空間較大的主假如在組件端，組件在總本錢(qián)中占比到達(dá)一半安排，所以是降低成本的要害步驟。

組件功效的提高不妨經(jīng)過(guò)提高干電池變換功效、矯正組件端本領(lǐng)等來(lái)處置。

發(fā)電站經(jīng)營(yíng)期內(nèi)火力發(fā)電量的幾何對(duì)于 LCOE 的上下爆發(fā)要害感化。

干電池變換功效越高，對(duì)應(yīng)到溝通規(guī)格尺寸的組件，就會(huì)具有更高的功率。同聲，在一致功率下，具有更好火力發(fā)電個(gè)性（衰減率、溫升系數(shù)、雙面率、弱光效力等）的干電池本領(lǐng)具有更好的火力發(fā)電量展現(xiàn)。所以為了進(jìn)一步貶低光伏火力發(fā)電的度電本錢(qián)，必需要進(jìn)一步普及太陽(yáng)能干電池變換功效、連接提高干電池本能，進(jìn)而普及 IRR 程度。

從財(cái)產(chǎn)鏈中廠商的觀點(diǎn)看：光伏電價(jià)是卑劣發(fā)電站 IRR 的要害感化成分，而 IRR 徑直感化到卑劣對(duì)光伏產(chǎn)物的需要。

按照國(guó)度發(fā)改委統(tǒng)計(jì)，2020 年光伏火力發(fā)電平價(jià)上鉤名目裝機(jī)范圍 33.05GW，相較 2019 年的 14.8GW 有較大延長(zhǎng)。

對(duì)于組件、干電池廠商來(lái)說(shuō)，怎樣同聲面臨卑劣光伏發(fā)電站企業(yè)對(duì)于較低 LCOE 的追乞降上流各步驟對(duì)成本的擠壓是亟待處置的題目。暫時(shí)來(lái)看，經(jīng)過(guò)功效普及提高產(chǎn)物比賽上風(fēng)、攤薄本錢(qián)是破局最靈驗(yàn)的道路。

所以長(zhǎng)久來(lái)看，組件本領(lǐng)與新式干電池本領(lǐng)的貫串水平、干電池本領(lǐng)的進(jìn)步性分別大約率變成感化組件和干電池企業(yè)分裂水平的最要害成分。

1.2 光電變換功效的感化成分

光伏火力發(fā)電的興盛趨向是普及變化功效和貶低本錢(qián)，個(gè)中普及變化功效是貶低本錢(qián)的最要害辦法之一。光伏火力發(fā)電變化功效計(jì)劃如次所示：

太陽(yáng)能干電池變換功效 是最大輸入電功率與相映的輸出光功率之比，按照光伏火力發(fā)電變化功效計(jì)劃公式，能量變換功效 與開(kāi)路電壓（）、短路交流電（）或短路交流電密度（）、彌補(bǔ)因子（）關(guān)系最為出色，所以經(jīng)過(guò)本領(lǐng)研制和矯正普及上述三個(gè)參數(shù)的數(shù)值是普及太陽(yáng)能干電池變換功效的要害道路。

1.3 復(fù)盤(pán)：PERC 迭代 BSF 進(jìn)程中伴跟著多個(gè)要害步驟的共通超過(guò)

在光伏行業(yè)興盛前期，晶硅太陽(yáng)能干電池重要沿用了 AI-BSF 干電池本領(lǐng)，即慣例鋁背場(chǎng)干電池本領(lǐng)（Aluminium Back Surface Field）。

BSF 太陽(yáng)能干電池本領(lǐng)重要運(yùn)用在光伏興盛早期階段，固然 BSF 干電池本領(lǐng)本錢(qián)便宜，但變換 功效不高，且本領(lǐng)上有自然缺點(diǎn)。

跟著趕快拉晶、金剛線切片、裂片化等本領(lǐng)晉級(jí)的范圍運(yùn)用，單晶發(fā)端代替多晶變成合流，因?yàn)閱尉зY料自己的高品德特性、多晶資料自己沒(méi)轍克復(fù)的上位錯(cuò)密度和高雜質(zhì)缺點(diǎn)，所以單晶比擬多晶在變換功效上面具備天才上風(fēng)。

跟著 2017 年 PERC 本領(lǐng)的老練加上單晶本錢(qián)的趕快貶低，PERC 本領(lǐng)發(fā)端大范圍代替 BSF 本領(lǐng)變成太陽(yáng)能干電池合流本領(lǐng)。

回憶 PERC 趕快代替 BSF 的過(guò)程，不妨看到多個(gè)要害步驟的共通效率：

1、變換功效上面有明顯提高。

以 2017 年為例，按照 CPIA 統(tǒng)計(jì)，當(dāng) 年合流 BSF P 型多晶黑硅干電池平衡變換功效為 18.7%，而 PERC P 型 單晶干電池平衡變換功效可到達(dá) 21.3%，有 2.6%的功效提高。對(duì)應(yīng)到組 件端（以 60 片為例），有 27W 安排的功率提高。

2、擺設(shè)入股明顯低沉。

跟著干電池消費(fèi)線要害擺設(shè)的國(guó)產(chǎn)化過(guò)程連接加快，擺設(shè)入股本錢(qián)低沉速率超預(yù)期。按照 CPIA 統(tǒng)計(jì)，2017 年慣例 BSF 產(chǎn)線擺設(shè)入股仍為 5.35 億元/GW，但是加入 2018 年 PERC 產(chǎn)線擺設(shè)入股低沉至 4.2 億元/GW，2018 年興建干電池產(chǎn)線均為 PERC。

3、單晶與多晶實(shí)行性價(jià)比回轉(zhuǎn)。

金剛線切割本領(lǐng)的普遍使單多晶硅片本錢(qián)長(zhǎng)久性減少。按照 PV infoLink 統(tǒng)計(jì)，2017 年頭多晶漸漸導(dǎo)出金剛線切割本領(lǐng)，但降低成本幅度不如單晶。且單晶硅片在具有更好個(gè)性的普通上，2018 年頭與多晶硅片的價(jià)差進(jìn)一步減小，加快了單晶硅片的商場(chǎng)份額的趕快提高。

4、組件端本質(zhì)價(jià)差低于有理價(jià)差，督促商場(chǎng)痛快接收單晶 PERC 組件；干電池端仍有較大價(jià)差，督促 PERC 生產(chǎn)能力趕快蔓延。

跟據(jù)咱們陰謀， 2016-2019 年，單晶 BSF 組件與單晶 PERC 組件有理價(jià)差該當(dāng)在 0.09-0.22 元，但是按照 PV infoLink 統(tǒng)計(jì)，2018 年頭單晶 PERC 組件的單 W 售價(jià)趕快貶低，而且在短功夫?qū)嵭辛吮举|(zhì)價(jià)差低于有理價(jià)差。

因?yàn)閱尉?PERC 組件具有更好的變換功效和個(gè)性，所以在同價(jià)程度下性價(jià)比溢出，進(jìn)而引導(dǎo)市占率趕快提高。

在干電池片端，跟據(jù) PV infoLink 統(tǒng)計(jì)，2017 年終至 2019 年中，單晶 PERC 干電池片從來(lái)與普遍單晶干電池片維持確定價(jià)差。這也引導(dǎo)干電池企業(yè)具有極大的關(guān)切去舉行 PERC 對(duì)于 BSF 的本領(lǐng)晉級(jí)和變革，所以 PERC 的市占率趕快提高，實(shí)行對(duì) BSF 的代替。

PERC(Passivated Emitter and Rear Cell)干電池本領(lǐng)，全稱為鈍化放射極和背后干電池本領(lǐng)。

與 BSF 比擬，PERC 太陽(yáng)干電池以背后局域點(diǎn)交戰(zhàn)的情勢(shì)代替了全鋁背場(chǎng),縮小了背外表復(fù)合速度,鞏固了背曲射本能,進(jìn)而提高了干電池的開(kāi)路電壓和短路交流電，從而普及了太陽(yáng)能干電池變換功效。

PERC 本領(lǐng)道路與 BSF 本領(lǐng)道路工藝過(guò)程的莫大普遍性也是 PERC 代替 BSF 如許之快的一個(gè)要害因?yàn)椤?/p>

與 BSF 本領(lǐng)比擬，PERC 本領(lǐng)僅需在原有的工藝過(guò)程中減少只需特殊減少鈍化膜堆積擺設(shè)(PECVD 擺設(shè)或 ALD 擺設(shè)) 和激光開(kāi)槽擺設(shè)，所以不妨對(duì)原有的 BSF 產(chǎn)線舉行晉級(jí)變革。大大貶低了單元入股本錢(qián)。

其余，因?yàn)楦呻姵財(cái)[設(shè)的國(guó)產(chǎn)化水平加快普及，單元入股本錢(qián)也居于連接低沉的階段。暫時(shí) PERC 本領(lǐng)產(chǎn)線的重要擺設(shè)均不妨實(shí)行國(guó)產(chǎn)化。

1.4 PERC 本領(lǐng)功效漸近極限，合流高效干電池本領(lǐng)行將發(fā)端財(cái)產(chǎn)化過(guò)程

截止 2021 年終，P 型 PERC 干電池本領(lǐng)仍是商場(chǎng)合流，合流 PERC 干電池片的變換功效約在 23%安排，暫時(shí) PERC 干電池變換功效寰球記錄為隆基創(chuàng)作的 24.05%，逼近 ISFH 24.5%的試驗(yàn)室功效極限。

所以因?yàn)樽儞Q功效的瓶頸，不管是保守干電池片步驟企業(yè)或是一體化廠商都在全力探求本領(lǐng)上的矯正和功效上的沖破。

半半導(dǎo)體按照摻雜時(shí)元素品種的分別分為 P 型和 N型，而 N 型晶硅太陽(yáng)能干電池更利于于干電池變換功效的進(jìn)一步?jīng)_破。

與摻硼(B)的 P 型晶體硅資料比擬， 摻磷(P)的 N型晶體硅資料具備四個(gè)上風(fēng)：

1）N 型晶硅資料的少子空穴復(fù)合要遠(yuǎn)低于 P 型，主假如由于 N 型資料中雜質(zhì)對(duì)少子空穴的捕獲本領(lǐng)和其少子空穴的外表復(fù)合速度均較低。

2）溝通非金屬傳染的情況下，具有較高非金屬傳染忍耐度的 N型硅片的少 子壽命要明顯高于 P 型硅片。

3）摻磷的 N型晶體硅簡(jiǎn)直不生存光致衰減效力，其極低的硼含量取消了硼氧對(duì)的感化，也就制止了 P 型摻硼晶硅干電池在普照下會(huì)爆發(fā)鮮明的電本能衰減的題目。

4）N 型硅片的少量載流子（空穴）壽命善于 P 型硅片，故 N 型干電池 較 P 型干電池具備更高的變換功效的后勁。

縱然 P 型硅片也可運(yùn)用于 TOPCon、IBC 本領(lǐng)，但這兩類本領(lǐng)對(duì)于 P 型硅片的品質(zhì)訴求極高，行行業(yè)內(nèi)部現(xiàn)有的硅片生產(chǎn)能力里供給比率較低，所以僅有極少量頭部廠商不妨經(jīng)過(guò)自己的硅片范圍、品質(zhì)上風(fēng)采用鑒于 P 型硅片的新本領(lǐng)道路。

因?yàn)闀簳r(shí)行行業(yè)內(nèi)部 N 型硅片價(jià)錢(qián)更高，以是這種高效太陽(yáng)能干電池本領(lǐng)道路具有更好的性價(jià)比，但因?yàn)楸绢I(lǐng)及硅片品質(zhì)壁壘的控制，估計(jì)較難以變成行業(yè)各家企業(yè)一致采用的本領(lǐng)道路。。

暫時(shí) N 型干電池大約率變成將來(lái)高變換功效的目標(biāo)，暫時(shí)囊括 PERT、 TOPCon（隧穿氧化鈍化交戰(zhàn)）、IBC（全背電極交戰(zhàn)）、HJT（異質(zhì)結(jié)）四種本領(lǐng)路途。

在 N 型干電池本領(lǐng)中，PERT 已被表明不完備財(cái)經(jīng)性，IBC 量 產(chǎn)難度大且擺設(shè)入股較高，所以暫時(shí)商場(chǎng)上合流的下一代本領(lǐng)是 TOPCon 和 HJT 本領(lǐng)。

2、TOPCon：現(xiàn)有產(chǎn)線兼容+極限功效高，PERC 晉級(jí)首要選擇 2.1 構(gòu)造更具上風(fēng)，功效提高鮮明

TOPCon 干電池本領(lǐng)具有的隧穿氧化層鈍化交戰(zhàn)（Tunnel Oxide Passivated Contact）鑒于采用性載流子道理。

TOPCon 本領(lǐng)構(gòu)造下的干電池以 N 型硅襯底，背后掩蓋了一層堆積在超薄隧穿氧化硅層上的摻雜多晶硅薄層，產(chǎn)生了較好的鈍化交戰(zhàn)構(gòu)造。

該構(gòu)造為硅片背后制造了一個(gè)杰出的界面鈍化，個(gè)中的超薄氧化層不妨遏制少子空穴復(fù)合，使多子電子隧穿加入多晶硅層，激動(dòng)電子在多晶硅層橫向傳輸時(shí)被非金屬搜集，進(jìn)而靈驗(yàn)地貶低了外表復(fù)合和非金屬交戰(zhàn)復(fù)合，普及開(kāi)路電壓和彌補(bǔ)因子，普及光電變換功效。

TOPCon 工藝的超過(guò)要害在乎制備隧穿氧化層和高摻雜的多晶硅薄層 ：

按照中國(guó)科學(xué)院微電子接洽所數(shù)據(jù)表露，氧化層對(duì)于干電池的要害性在對(duì)開(kāi)路電壓和復(fù)合速度的感化中極為鮮明。在無(wú)隧穿氧化層（tunnel oxide layer）/多 晶硅薄層（ +Poly-Si layer）的情景下，開(kāi)路電壓有所貶低，同聲復(fù)合速度趕快提高，由此引導(dǎo)變換功效大幅度低沉。

按照德國(guó)太陽(yáng)能接洽所 ISFH 試驗(yàn)室得出的論斷，雙面鈍化的 TOPCon 的極限功效不妨到達(dá) 28.7%，高 于 PERC 和 HJT，且最逼近晶體硅太陽(yáng)能干電池表面極限功效 29.43%。

2.2 工藝辦法與 PERC 相配合、可在原有產(chǎn)線晉級(jí)

TOPCon 干電池消費(fèi)工藝不妨最大水平保持和運(yùn)用現(xiàn)有 PERC 干電池?cái)[設(shè)工藝過(guò)程。

TOPCon 本領(lǐng)雖為 N 型本領(lǐng)，但與 P 型 PERC 本領(lǐng)的中心實(shí)質(zhì)均是背后鈍化交戰(zhàn)本領(lǐng)，所以中心擺設(shè)只需減少硼擴(kuò)和地膜堆積擺設(shè)（PECVD/LPCVD/PVD），極大的貶低了新增擺設(shè)的入股本錢(qián)，同聲簡(jiǎn)單實(shí)行量產(chǎn)化。

按照擺設(shè)公司拉普拉斯的調(diào)查研究拜訪，市情上的 TOPCon 本領(lǐng)重要有三種道路，囊括了本征+磷擴(kuò)、原位摻雜、離子注入（徑直摻雜）本領(lǐng)，暫時(shí)可采用的路途較多，每一種路途都有不錯(cuò)的展現(xiàn)。

1）本征+磷擴(kuò)。

沿用 LPCVD 制備多晶硅薄層并貫串保守的全分散工藝。須要較 PERC 減少 LPCVD、分散爐、刻蝕擺設(shè)，工藝便宜是老練且耗費(fèi)時(shí)間短（從硅片加入爐管到降溫之后出來(lái)），消費(fèi)功效高，已實(shí)行范圍化量產(chǎn)，但生存繞鍍和成膜速率慢的題目，暫時(shí) TOPCon 廠商構(gòu)造的合流道路。

2）離子注入（徑直摻雜）。

沿用 LPCVD 制備多晶硅薄層并貫串?dāng)U硼及離子注入磷工藝。須要較 PERC 減少 LPCVD、離子注入機(jī)、退火爐、刻蝕擺設(shè)，本領(lǐng)便宜是無(wú)繞鍍危害，且良率更高，不及之處在乎工藝難度大，且須要更多的分散爐和兩倍的 LPCVD。

3）原位摻雜。

沿用 PECVD 制備多晶硅薄層并貫串原位摻雜工藝。須要較 PERC 減少 PECVD、退火爐擺設(shè)。該本領(lǐng)不妨簡(jiǎn)化過(guò)程、降低成本提效，不只堆積速率快、堆積溫度低，還能用 PECVD 制備多晶硅層。但暫時(shí)因氣體爆膜局面而引導(dǎo)的良率較低題目還未能處置，本領(lǐng)寧?kù)o性有待于矯正。

暫時(shí)控制 TOPCon 本領(lǐng)進(jìn)一步實(shí)行財(cái)產(chǎn)化的成分重要有兩上面，一是本領(lǐng)難點(diǎn)并沒(méi)有實(shí)足克復(fù)且創(chuàng)造工藝攙雜，形成本領(lǐng)道路沒(méi)有實(shí)足定型，從而引導(dǎo)良率和產(chǎn)量情景不如 PERC，變換功效后勁并沒(méi)有實(shí)足開(kāi)釋;第二是雙面用銀引導(dǎo)本錢(qián)稍高，進(jìn)而貶低了 TOPCon 干電池的性價(jià)比。

2.3 工藝過(guò)程對(duì)立攙雜、本領(lǐng)道路詳細(xì)定型難度高

本領(lǐng)難點(diǎn)上面，較為攙雜的工藝辦法重要囊括隧穿氧化層的成長(zhǎng)辦法；摻雜多晶硅薄層制備辦法；硼擴(kuò)本領(lǐng)采用。

難點(diǎn)一 隧穿氧化層成長(zhǎng)辦法：

隧穿氧化層的鈍化交戰(zhàn)提效道理如次圖所示，摻雜的多晶硅薄層和 n 型硅基體在交戰(zhàn)爆發(fā)反遏制層，使準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)分割（普及），對(duì)空穴產(chǎn)生勢(shì)壘，遏制少子空穴進(jìn)一步達(dá)到氧化硅/n 型硅基體的界面，而多子不妨經(jīng)過(guò)隧穿道理（承諾一種載流子經(jīng)過(guò)，遏止另一種載流子輸運(yùn)）最后遏制了空穴達(dá)到非金屬半半導(dǎo)體交戰(zhàn)的界面舉行復(fù)合。

這種載流子采用性交戰(zhàn)構(gòu)造靈驗(yàn)處置了晶硅太陽(yáng)能干電池外表鈍化和交戰(zhàn)的沖突，使干電池的變換功效有大幅提高。所以隧穿氧化層的成長(zhǎng)辦法和厚薄遏制對(duì)于普及鈍化功效極為要害。

制備隧穿氧化層時(shí)怎樣遏制氧化層的品質(zhì)、厚薄、和平均性是一個(gè)本領(lǐng)性困難，當(dāng)厚薄大于 2nm 時(shí)，位壘太高，隧穿將難以實(shí)行，所以量產(chǎn)的氧化層厚薄普遍都1.4-1.6nm。暫時(shí)制備隧穿氧化層的本領(lǐng)百般化，百般本領(lǐng)道路優(yōu)缺陷鮮明，尚需功夫檢查。

難點(diǎn)二 摻雜多晶硅薄層制備辦法：

對(duì)于摻雜多晶硅薄層的制備，暫時(shí)商場(chǎng)中重要有三種制備辦法，辨別為 LPCVD(工業(yè)氣壓化學(xué)氣相堆積法)，管式 PECVD(等離子體增加強(qiáng)學(xué)氣相堆積法）及板式 PECVD。

其余再有 PVD （物理氣相堆積）、PEALD（等離子體體鞏固亞原子層堆積）、APCVD（常壓 化學(xué)氣相堆積）法，但未實(shí)行貿(mào)易化運(yùn)用。

暫時(shí)貿(mào)易化過(guò)程最老練的是 LPCVD 制備摻雜多晶硅薄層，PECVD 則是新本領(lǐng)興盛目標(biāo)。

LPCVD 工藝的基礎(chǔ)道理是將制備多晶硅地膜所需的氣態(tài)物資攙和，在較工業(yè)氣壓力下，用熱量激活，使其爆發(fā)熱領(lǐng)會(huì)大概化學(xué)反饋，借助氣相效率最后堆積產(chǎn)生多晶硅地膜，在進(jìn)程中堆積溫度、反饋壓力、硅烷流量等堆積參數(shù)會(huì)對(duì)地膜的品質(zhì)和成長(zhǎng)速度爆發(fā)較大的感化，須要較好的參數(shù)遏制。

PECVD 則是在工業(yè)氣壓前提下運(yùn)用輝光尖端放電將反饋氣體水解，產(chǎn)生具備較強(qiáng)活性的離子化的氣體，過(guò)程一系列化學(xué)反饋后在基片外表淀積產(chǎn)生寧?kù)o固態(tài)地膜。

在鍍膜工藝進(jìn)程中，硅片因?yàn)槭軣岜l(fā)伸展，不許從來(lái)維持與石墨壁貼合狀況，此時(shí)反饋氣體須要堆積的目的膜層會(huì)由于硅片受熱伸展的啟事堆積在硅片與石墨壁之間的裂縫之間，那些特殊堆積的膜層重要散布在與目的堆積面包車型的士相當(dāng)面的邊際場(chǎng)所，引導(dǎo)下一歲序?qū)杵聿糠皱兡r(shí)展示局部硅片邊際較厚的情景，這種局面稱為繞鍍。

繞鍍題目在 LPCVD 鍍膜工藝中尤為重要，即使繞鍍不許實(shí)足去除，則會(huì)展示表面良率低、泄電比率高、本能貶低等題目。

暫時(shí) LPCVD 擺設(shè)制備摻雜多晶硅薄層是行業(yè)里最老練的道路，LPCVD 裝片多、產(chǎn)量大，然而生存繞鍍表面積大、摻雜功夫長(zhǎng)、平均性差、石英件耗費(fèi)大、鍍厚膜簡(jiǎn)單爆膜的缺陷。

PECVD擺設(shè)不妨制止爆發(fā)繞鍍的題目，然而產(chǎn)量小、保護(hù)本錢(qián)高，平均性和功效略差。所以，對(duì)于鍍膜擺設(shè)的采用的不決定性也是引導(dǎo) TOPCon 良率較低的要害因?yàn)橹弧?

難點(diǎn)三 硼分散：

在 N 型干電池所有工藝過(guò)程中，PN 結(jié)制備的品質(zhì)是確定干電池功效的要害辦法。工業(yè)氣壓管式 BBr3、BCI3 分散、旋涂硼源+分散、常壓管 式 BBr3 分散、離子注入+退火是暫時(shí)重要的四種 N 型的 PN 結(jié)制備本領(lǐng)。

按照拉普拉斯統(tǒng)計(jì)，工業(yè)氣壓管式 BBr3 在擺設(shè)商場(chǎng)上的占領(lǐng)率較高，更加是在光伏范圍。硼分散的難點(diǎn)在乎硼和硅之間融化度的較大分別引導(dǎo)分散速度較低；對(duì)分散溫度的訴求較高，須要到達(dá)10000；平均性不好遏制。

2.4 較 PERC 本錢(qián)稍高，但降低成本路途明顯

本錢(qián)較高展現(xiàn)在：與 PERC 比擬，TOPCon 的較高的本錢(qián)重要來(lái)自于非硅本錢(qián)上面，暫時(shí)較 PERC 每 W 高出 0.08-0.09 元。

個(gè)中漿料是個(gè)中本錢(qián)最高的步驟，TOPCon 暫時(shí)用量 150-180mg，比較之下 PERC 用量?jī)H有 70mg 安排。其余，TOPCon 與 PERC 在良率上的差異也引導(dǎo)了單元本錢(qián)的飛騰。

按照調(diào)查研究，TOPCon 暫時(shí)量產(chǎn)的良率在 93%-95%，而 PERC 的良率到達(dá)了 98%。本領(lǐng)工藝道路的不決定以及要害步驟的少許工藝難點(diǎn)尚未被克復(fù)是 TOPCon 良率較低的重要因?yàn)椤?/p>

TOPCon 銀耗較高的因?yàn)樵诤蹼p面運(yùn)用銀漿。

晶硅干電池由光伏本領(lǐng)道理的各別，可分為 P 型和 N 型。

P 型晶硅干電池是由摻硼 P 型硅基體摻雜磷元素產(chǎn)生 N 型放射極實(shí)行 PN 結(jié)，而 N 型晶硅干電池由摻磷 N 型硅基體摻雜硼元素產(chǎn)生 P 型放射極實(shí)行 PN 結(jié)。

這會(huì)讓 P 型和 N型的非金屬化歐姆交戰(zhàn)道理與處事體制有所辨別。N 型比擬于 P 型，放射極上須要更多的銀漿本領(lǐng)到達(dá)可量產(chǎn)的電學(xué)本能；N 型晶硅干電池雙面率高，背后經(jīng)過(guò)銀漿絲網(wǎng)印 刷實(shí)行的電極構(gòu)造一致于 P 型晶硅干電池的反面電極構(gòu)造，那些都使得 N 型 干電池對(duì)反面銀漿單元耗費(fèi)更高。

N 型銀漿用量及本錢(qián)生存鮮明的低沉空間，重要實(shí)行本領(lǐng)囊括：

多主柵本領(lǐng)的運(yùn)用，銀漿的用量不妨獲得最大水平的儉樸；銀鋁漿的運(yùn)用不妨激動(dòng)銀漿本錢(qián)低沉；暫時(shí) TOPCon 銀漿國(guó)產(chǎn)化率較低，跟著海內(nèi)漿料企業(yè)的研制和超過(guò)，國(guó)產(chǎn) TOPCon 銀漿浸透率的提高無(wú)助于于貶低本錢(qián)。

除去在銀漿上面有低沉空間外，硅片裂片化和巨型化、擺設(shè)生產(chǎn)能力的提高（比方雙面、三合一鍍膜擺設(shè)）、良率的提高（攤薄本錢(qián)）和變換功效的普及（最后貶低 LCOE）都是 TOPCon 本錢(qián)低沉的可行性路途。

暫時(shí) TOPCon 單 GW 擺設(shè)入股額為 2 億元，PERC 產(chǎn)線晉級(jí)為 TOPCon 產(chǎn)線單 GW 擺設(shè)入股額為 0.5-0.8 億元，跟著降低成本道路的連接促成，TOPCon 將會(huì)極具性價(jià)比。

2.5 良率與功效有待于進(jìn)一步提高

暫時(shí) TOPCon 財(cái)產(chǎn)化過(guò)程連接提速，變換功效記載連接革新。2021 年 6 月 1 日，過(guò)程德國(guó)哈梅林太陽(yáng)能接洽所（ISFH）認(rèn)證，隆基在 N 型 TOPCon 的變換功效到達(dá)了 25.21%；2021 年 10 月 13 日，晶科動(dòng)力 N型 TOPCon 干電池功效到達(dá) 25.4%，再次沖破寰球記錄。

財(cái)產(chǎn)化上面，因?yàn)?TOPCon 本領(lǐng)與 PERC 本領(lǐng)的工藝兼容度較高，所以更受保守干電池廠商的喜愛(ài)。2019 年后新增 PERC 生產(chǎn)能力基礎(chǔ)都做出 TOPCon 本領(lǐng)晉級(jí)的預(yù)留空間。然而按照局部光伏干電池企業(yè)、一體化企業(yè) 2021 年中報(bào)的表露消息，暫時(shí)本質(zhì)落地的生產(chǎn)能力較少，生產(chǎn)能力提高仍舊須要本領(lǐng)道路的進(jìn)一步精確。

量產(chǎn)功效上面，TOPCon 較 PERC 未有明顯上風(fēng)。按照 PV Infolink 統(tǒng)計(jì)，暫時(shí) TOPCon 合流干電池量產(chǎn)功效約 23.7-24.0%。2021 年 8 月，天合的 210mm PERC 干電池量產(chǎn)功效到達(dá) 23.56%，且還未到變換功效極限，TOPCon 與 PERC 本質(zhì)量產(chǎn)功效仍未拉開(kāi)較大隔絕。

3、HJT：工藝辦法簡(jiǎn)略+功效高，備受財(cái)產(chǎn)喜愛(ài) 3.1 構(gòu)造上兼具晶硅與地膜干電池上風(fēng)

異質(zhì)結(jié)（Heterojunction with Intrinsic Thin-layer = HJT）是一種高效晶硅太陽(yáng)能干電池構(gòu)造,由 N 型晶體硅基板和非晶硅地膜攙和制成，構(gòu)造如圖 34 所示，在背后順序?yàn)橥鲗?dǎo)熱氧化學(xué)物理膜（TCO）、P 型非晶硅地膜，和氫化非晶硅地膜；在干電池反面順序?yàn)?TCO 通明導(dǎo)熱氧化學(xué)物理膜，N 型非晶硅地膜和本征非晶硅膜。

成績(jī)于非晶硅地膜的引入，異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能干電池兼具晶硅與地膜太陽(yáng)能上風(fēng)，外表鈍化功效更好，其晶硅襯底的前后外表均實(shí)行了杰出的鈍化，而且中斷了非金屬電極和硅資料的徑直交戰(zhàn)，進(jìn)一步貶低了載流子復(fù)合丟失，提高了干電池變化功效。

德國(guó)哈梅林太陽(yáng)能接洽所表面模仿計(jì)劃截止表露，雙面實(shí)足鈍化的 TOPCon 的表面極限功效略高于 HJT，然而因?yàn)楣に囘^(guò)程上比擬攙雜、本領(lǐng)道路采用性較多，暫時(shí) TOPCon 產(chǎn)線上導(dǎo)出的都是單面鈍化本領(lǐng)，良率上僅有 93%安排，且變換功效暫時(shí)稍低于 HJT。

固然 HJT 本領(lǐng)的工藝難度較高，然而因?yàn)楣に囖k法的簡(jiǎn)化，良率暫時(shí)在 98%安排（RPD 鍍膜良率 93%安排），更符合大范圍量產(chǎn)。且因?yàn)樯虉?chǎng)關(guān)心度較高，所以財(cái)產(chǎn)化過(guò)程速率快。

HJT 更適合硅片裂片化趨向。

PERC 干電池工藝中，所用的硅片合流厚薄為 170μm-180μm，進(jìn)一步減薄后對(duì)于干電池和組件的工藝均會(huì)產(chǎn)生挑撥，且惹起變換功效的低沉，以至爆發(fā)重要的翹曲、作廢局面。

因?yàn)?HJT 干電池構(gòu)造對(duì)稱、且沿用低溫工藝過(guò)程，所以硅片不簡(jiǎn)單翹曲，硅片更簡(jiǎn)單適合薄 片化降低成本趨向。HJT 在硅片變薄的情景下，開(kāi)路電壓（）飛騰，短路交流電（）低沉，彌補(bǔ)因子（）基礎(chǔ)寧?kù)o，所以變換功效基礎(chǔ)不妨維持靜止。

HJT 可實(shí)行向下一代高效干電池本領(lǐng)的過(guò)度。HJT 干電池更簡(jiǎn)單實(shí)行與一代本領(lǐng)的融洽。暫時(shí)貫串 IBC 構(gòu)造的 HBC 干電池已實(shí)行試驗(yàn)室 26.63%的變換功效，與鈣鈦礦構(gòu)成的疊層干電池變換功效希望提高至 30%之上。

HJT 具備崇高的干電池個(gè)性。

與 PERC 干電池比擬，HJT 干電池生存衰減率低、溫升系數(shù)低、雙面率高、弱光效力好的個(gè)性。

3.2 工藝辦法簡(jiǎn)略、量產(chǎn)化道路明顯

HJT 工藝辦法簡(jiǎn)略：比擬于 PERC 與 TOPCon，HJT 干電池的工藝過(guò)程簡(jiǎn)略，僅需四步便可實(shí)行，所以良率大大普及，也更適合大范圍量產(chǎn)趨向，暫時(shí)財(cái)產(chǎn)中 HJT 量產(chǎn)功效高達(dá) 98%，在良率上與 PERC 出入無(wú)幾，遠(yuǎn)勝似 TOPCon。

蕩滌制絨：HJT 工藝的重要辦法為制絨蕩滌，純潔的硅片外表和有理的織構(gòu)化處置利于于贏得高。制絨蕩滌工藝的重要手段為運(yùn)用制備的絨面爆發(fā)陷光局面，縮小光的曲射率、減少光接收、最后提高光電變換功效。

重要辦法囊括：運(yùn)用 KOH 溶液對(duì) N 型硅片舉行各向異性侵蝕，產(chǎn)生絨面構(gòu)造，進(jìn)而貶低外表曲射率、爆發(fā)更多載流子；產(chǎn)生純潔硅片外表，去除無(wú)機(jī)物和非金屬雜質(zhì)（SC1、CP、SC2、DHF），進(jìn)而制止不純潔引進(jìn)的缺點(diǎn)和雜質(zhì)而帶來(lái)的結(jié)界面處載流子的復(fù)合。

蕩滌制絨步驟重要囊括 RCA 與 O3 兩種本領(lǐng)道路，暫時(shí)多沿用二者貫串的辦法。

RCA 蕩滌常常是運(yùn)用堿性侵蝕液對(duì)硅片舉行各向異性侵蝕。這種本領(lǐng)處置之后，硅片的界面非金屬雜質(zhì)較低。但氫氧化銨會(huì)引導(dǎo)硅片外表較為精細(xì)，同聲化學(xué)品耗量較大，廢液處置本錢(qián)較高。

行行業(yè)內(nèi)部仍舊發(fā)端運(yùn)用臭氧超純水來(lái)包辦 RCA ，臭氧的氧化恢復(fù)功效高于 H2O2，在靈驗(yàn)去除非金屬、顆粒和無(wú)機(jī)物的同聲，不會(huì)減少外表微精細(xì)度。臭氧蕩滌既能滿意工藝需要的同聲，又不妨貶低化學(xué)品耗量及運(yùn)轉(zhuǎn)本錢(qián)量，貶低廢液處置本錢(qián)，更有興盛遠(yuǎn)景。

非晶硅堆積：非晶硅地膜堆積為中心工藝，暫時(shí)運(yùn)用 PECVD 堆積非晶硅地膜是商場(chǎng)合流。因?yàn)?P-N 異質(zhì)結(jié)制備的位臵是在 N 型晶硅襯底外表，且堆積層感化到鈍化的功效，所以確定了 HJT 的干電池本能。

暫時(shí)商場(chǎng)上 常用的 RF（發(fā)射電波頻率） -PECVD 鍍膜擺設(shè)，頻次重要分為 13.56MHz 和 40.68MHz。個(gè)中 40.68MHz 居于甚高常常段（VHF：30-300MHz）。處事頻次是 PECVD 工藝的要害目標(biāo)之一，其對(duì)地膜堆積速度和品質(zhì)等都有感化：

經(jīng)過(guò)安排交流電頻次的巨細(xì)，遏制天生等離子體體的數(shù)目，不妨起到遏制地膜堆積速度的效率。處事頻次越高，等離子體體的離化度越高，離子轟擊效力更鮮明，地膜堆積速率更快。

基板在 PECVD 擺設(shè)中，邊際局部的磁場(chǎng)較重心地區(qū)弱，會(huì)感化局域的組分堆積速度。比擬廣播段處事，高頻時(shí)兩個(gè)地區(qū)磁場(chǎng)強(qiáng)度分辨較小，堆積速度分辨較小，地膜平均性就更好。

處事頻次高，等離子體體帶領(lǐng)的電能減少，轟擊效率強(qiáng)，達(dá)到基板的速率較大，易形成較大傷害，對(duì)其壽命爆發(fā)感化。

VHF-PECVD 因?yàn)殡娫搭l次高，地膜堆積品質(zhì)高，更利于成長(zhǎng)微晶硅。微晶硅是一種晶粒巨細(xì)為忽米數(shù)目級(jí)的介于單晶硅和多晶硅之間的資料。鍍微晶的長(zhǎng)處表此刻：

微晶硅具備更好的構(gòu)造程序性，使得載流子遷徙率較高，利于于電極對(duì)光生電子、空穴的搜集，大大普及微晶硅資料的電導(dǎo)率。

非晶硅地膜在受長(zhǎng)功夫普照后本能會(huì)有所低沉，即 S-W 效力。而微晶硅中因?yàn)榫Я６际墙Y(jié)晶狀況，具備更好的寧?kù)o性，光致沒(méi)落效力簡(jiǎn)直不生存。

暫時(shí)行行業(yè)內(nèi)部多沿用分層鍍膜工藝舉行提效。對(duì)于異質(zhì)結(jié)干電池，要想普及變換功效，就要提高非晶硅地膜的鈍化功效，而雜質(zhì)過(guò)多，會(huì)對(duì)鈍化功效爆發(fā)反面感化。

保守的分層鍍膜工藝沿用 IN-IP 程序，即在硅片反面順序堆積本征（i）和 N 型非晶硅地膜，再在背后以此堆積本征（i）和 P 型非晶硅地膜。

暫時(shí)基礎(chǔ)沿用 IINP 制造過(guò)程工藝，普及功效 0.15%安排。p 型硅中的硼在鍍膜后殘留在腔體或托盤(pán)外表，會(huì)感化本征層的鈍化功效。所以將非晶 p 晶歲序獨(dú)力，不妨靈驗(yàn)縮小硼分散，普及干電池功效。

TCO 鍍膜： HJT 相較于晶體硅太陽(yáng)能干電池最超過(guò)的特性即是須要制備 TCO 地膜。制備 TCO 膜的本領(lǐng)有兩種，保守的 PVD 本領(lǐng)是應(yīng)用 SPUTTER 磁控濺射，運(yùn)用 ITO（氧化銦錫）靶材；RPD 本領(lǐng)則是運(yùn)用一定的磁場(chǎng)爆發(fā)寧?kù)o、平均、高密度的等離子體體，運(yùn)用 IWO（氧化銦摻鎢）靶材。不足 TCO 地膜的氫化非晶硅地膜的導(dǎo)熱性較弱。

TCO 地膜不妨搜集光生載流子并將其輸送非金屬電極上，具備杰出導(dǎo)熱性。同聲，TCO 地膜 還需完備減曲射的功效以保護(hù)干電池具有較低的外表光曲射丟失，具備高透過(guò)率。

普遍的導(dǎo)熱資料大概通明氧化學(xué)物理只能滿意強(qiáng)導(dǎo)熱性和高透過(guò)率的一種，而 TCO 卻能統(tǒng)籌這兩個(gè)功效，是一種理念資料。

暫時(shí)合流本領(lǐng)道路是用 PVD 的辦法制備前后外表的 TCO 膜，重要擺設(shè)供給商有梅耶博格、馮阿登納、Singulus、邁為股子等。

RPD 本領(lǐng)創(chuàng)造出來(lái)的 TCO 膜功效較高，然而暫時(shí)有諸多難點(diǎn)：從靶材濺射出的離子呈球狀散布，為了平均鍍膜，須要多靶同聲濺射，還須要在硅片與濺射源之間設(shè)臵勻流板，大幅控制了鍍膜的生產(chǎn)能力。

靶材運(yùn)用率低，且供給商較少。

RPD 自下往上鍍膜，須要沿用兩臺(tái)擺設(shè)舉行鍍膜，感化生產(chǎn)能力。受制于阿曼住友專利本領(lǐng)，中心元件依附入口,擺設(shè)價(jià)錢(qián)較高。RPD 的擺設(shè)供給商僅有 Sumitomo（阿曼住友,專利一切者）和捷佳偉創(chuàng)（贏得專利受權(quán)），沒(méi)轍產(chǎn)生靈驗(yàn)比賽。

絲網(wǎng)印刷、固化、嘗試分選：絲網(wǎng)印刷本領(lǐng)是 HJT 干電池電極非金屬化步驟合流工藝，本領(lǐng)老練度較高。暫時(shí) HJT 重要的挑撥是低溫銀漿的本錢(qián)較高，規(guī)范了 HJT 本錢(qián)的進(jìn)一步低沉。處置計(jì)劃囊括：銀包銅本領(lǐng)與無(wú)主柵本領(lǐng)（SmartWire）相貫串等。

Meyer Burger 的 SmartWire 智能網(wǎng)柵本領(lǐng)不妨在保護(hù)絲網(wǎng)印刷功效的基礎(chǔ)下大大貶低本錢(qián)。該本領(lǐng)一上面去掉了正背后 5 根主柵，將印刷頭從 4 個(gè) 減至 2 個(gè)，本錢(qián)貶低 200-300 萬(wàn)元，另一上面徑直沿用非金屬絲貫穿余下的細(xì)柵，儉樸了細(xì)柵銀漿 90-100mg。

暫時(shí)，鈞石動(dòng)力沿用的嶄新的濺射鍍膜辦法貫串網(wǎng)版安排和新式漿料開(kāi)拓，采用部分用銀部分用銅的辦法，單片銀漿耗量低沉 50%，使 G1 硅片創(chuàng)造的異質(zhì)結(jié)干電池銀漿單位產(chǎn)品物資實(shí)際消耗量從 150mg 大幅降至 80mg。

跟著 HJT 財(cái)產(chǎn)化過(guò)程的加快，銀漿本錢(qián)與用量低沉速率希望超預(yù)期。

3.3 擺設(shè)與耗材國(guó)產(chǎn)代替快、后續(xù)降低成本增效空間大

跟據(jù)估測(cè)計(jì)算，暫時(shí) HJT 的單瓦消費(fèi)本錢(qián)比 PERC 高出 0.2 元，主假如在非硅本錢(qián)上的分別。在暫時(shí)功夫點(diǎn)，異質(zhì)結(jié)本領(lǐng)的降低成本道路較為明顯，重要有兩條路途：一是原資料端的徑直降低成本。

重要經(jīng)過(guò)硅片裂片化（厚薄低于 120um）、銀包銅本領(lǐng)的導(dǎo)出（銀含量低于 45%）、切片良率的普及（大于 95%）、低溫銀漿的國(guó)產(chǎn)化、擺設(shè)入股（低沉到 3.5 億元/GW 以次）的低沉實(shí)行。

二是功效的提高，帶來(lái)更好的火力發(fā)電量增值價(jià)格、進(jìn)而帶來(lái)更鮮明的矯正本錢(qián)上風(fēng)。重要不妨經(jīng)過(guò)微晶硅本領(lǐng)的導(dǎo)出、退火吸雜本領(lǐng)的運(yùn)用、工藝與靶材的優(yōu)化等本領(lǐng)實(shí)行。

HJT 降低成本線路之一，微晶硅本領(lǐng)：運(yùn)用摻雜微晶硅代替暫時(shí)的摻雜非晶硅是 HJT 太陽(yáng)能干電池功效的要害提高目標(biāo)，不妨進(jìn)一步普及摻雜濃淡、減少透光本能，同聲減低摻雜層的電阻，并最后增大 HJT 干電池的交流電密度。

微晶硅地膜由納米級(jí)的晶硅顆粒鑲嵌在非晶硅地膜構(gòu)成，是介于非晶硅和單晶硅之間的攙和相無(wú)序半半導(dǎo)體資料。

微晶硅地膜干電池同聲完備非晶硅和單晶硅的便宜：

微晶硅地膜干電池創(chuàng)造本錢(qián)低。

構(gòu)造程序性使載流子遷徙率高，電導(dǎo)率、接收系數(shù)高，簡(jiǎn)直沒(méi)有沒(méi)落效力。

簡(jiǎn)單量產(chǎn)，可大表面積制備。

光電變換功效高，且在各別的太陽(yáng)光譜波段與非晶硅產(chǎn)生互補(bǔ)。

微晶硅中文大學(xué)局部顆粒巨細(xì)在忽米量級(jí)，本質(zhì)上即是精致顆粒多晶硅。

普遍覺(jué)得，多晶硅的晶粒尺寸在 100um 之上時(shí)具備崇高的本能和高變化功效，但大晶粒、高品質(zhì)的多晶硅地膜消費(fèi)工藝攙雜。微晶硅晶粒尺寸固然較小，但制備多在T<600℃下舉行，易實(shí)行對(duì)微晶硅地膜中氧亞原子的鈍化和晶界的鈍化，所以低溫工藝制備的微晶硅地膜太陽(yáng)干電池具備較為可觀的變化功效。

HJT 降低成本線路之二，退火吸雜：晶硅太陽(yáng)干電池在創(chuàng)造進(jìn)程易受非金屬雜質(zhì)的沾污，非金屬在硅中是深能級(jí)，復(fù)合活性大，加快載流子的復(fù)合，深能級(jí)的非金屬雜質(zhì)重要感化硅片的少子壽命，對(duì)提高干電池的變換功效倒霉，所以雜質(zhì)的去除對(duì)于功效的提高尤為要害。

吸雜是將非金屬雜質(zhì)從器件有源區(qū)變化到硅片預(yù)安排地區(qū)大概將其揮發(fā)。吸雜本領(lǐng)的三個(gè)物理進(jìn)程：1）雜質(zhì)的開(kāi)釋；2）雜質(zhì)向俘獲區(qū)分散；3）雜質(zhì)在缺點(diǎn)重心被俘獲。

暫時(shí)沿用的吸雜本領(lǐng)可分為：內(nèi)吸雜、外吸雜、化學(xué)吸雜。

個(gè)中內(nèi)吸雜是運(yùn)用符合的熱處置工藝辦法，經(jīng)過(guò)遏制硅片的氧濃淡及氧積淀在硅片里面產(chǎn)生靈驗(yàn)的吸雜點(diǎn)，進(jìn)而到達(dá)去除雜質(zhì)的手段。內(nèi)吸雜的熱處置工藝普遍沿用高溫-低溫-高溫三步式退火，可與原有器件工藝相貫串，具備更普遍的運(yùn)用遠(yuǎn)景。

跟著 HJT 干電池被普遍接收和量產(chǎn)，退火吸雜將變成 HJT 干電池消費(fèi)的必備歲序。

HJT 降低成本線路之三，銀包銅： HJT 銀漿占干電池非硅局部勝過(guò) 50%，沿用銀包銅漿料是在非金屬化層面貶低異質(zhì)結(jié)本錢(qián)的道路之一。

銀包銅粉即在銅粉外表包覆一層非金屬銀，贏得具有核-殼構(gòu)造。銀包銅與純銀比擬，消費(fèi)成 本明顯低沉，同聲又完備熱寧?kù)o性、高導(dǎo)熱性、抗氧化、抗遷徙等上風(fēng)，實(shí)行高本能低本錢(qián)，可用來(lái)局部以至十足代替純銀或純銅。

2008 年安排,泰西及阿曼發(fā)端對(duì)銀包銅粉舉行開(kāi)拓和商場(chǎng)化消費(fèi),而我國(guó)在這上面的接洽從來(lái)居于前期階段。此刻國(guó)際上消費(fèi)銀包銅粉的重要有美利堅(jiān)合眾國(guó) SCM、德國(guó) Ecka、比利時(shí) Nano 以及阿曼 Fukuda 等企業(yè)，且產(chǎn)品德量較海內(nèi)更好，品種更多。

暫時(shí)低溫銀漿國(guó)產(chǎn)化過(guò)程正在加快舉行中，華晟、邁為等多個(gè)企業(yè)都將在本年將銀包銅本領(lǐng)運(yùn)用于 HJT 干電池量年中，估計(jì)華夏將在本年實(shí)行銀包銅漿料的國(guó)產(chǎn)化，正式發(fā)端 HJT 本領(lǐng)的低本錢(qián)期間。

3.4 生產(chǎn)能力籌備有待于進(jìn)一步落地

2021 年此后 HJT 生產(chǎn)能力構(gòu)造較多，但本質(zhì)性落土地資產(chǎn)能較少。截止 2021 年 8 月，HJT 年內(nèi)精確籌備生產(chǎn)能力已超 50GW。然而因?yàn)閿[設(shè)入股較高、非硅本錢(qián)難以趕快低沉的題目，本質(zhì)落土地資產(chǎn)能較少，2020 年終于今，重要 HJT 產(chǎn)線招標(biāo)僅有 11GW。

跟著微晶硅本領(lǐng)的導(dǎo)出和老練、新式非金屬化等本領(lǐng)的浸透，HJT 在本錢(qián)端及功效端均希望獲得進(jìn)一步優(yōu)化，2023 年及之后 HJT 本領(lǐng)希望迎來(lái)生產(chǎn)能力落地的暴發(fā)期。

4、將來(lái)已來(lái)，靜候 N 型量產(chǎn)喜訊 2021 年年內(nèi) N 型 TOPCon 與 HJT 本領(lǐng)功效連接博得沖破，量產(chǎn)功效與試驗(yàn)室功效實(shí)行“雙著花”，進(jìn)一步拉大與單晶 PERC 干電池的功效差。

暫時(shí) N 型 TOPCon 與 HJT 本領(lǐng)的平衡變換功效仍舊與 PERC 有 1.5%安排的的分別。

暫時(shí)各大擺設(shè)商簡(jiǎn)直都已入局 N 型關(guān)系擺設(shè)的研制、消費(fèi)，發(fā)達(dá)比擬快的企業(yè)囊括邁為股子、捷佳偉創(chuàng)、拉普拉斯、金辰股子等，將來(lái)倡導(dǎo)關(guān)心關(guān)系量產(chǎn)訂單落地及實(shí)證運(yùn)轉(zhuǎn)數(shù)據(jù)的考證。

咱們鑒于如次假如，對(duì)新式干電池本領(lǐng)擺設(shè)商場(chǎng)空間舉行了估測(cè)計(jì)算，按照陰謀 2021-2023 年 TOPCon、HJT 商場(chǎng)空間希望辨別到達(dá) 220/221 億元。

1、光伏裝機(jī)與組件的容配比為 1：1.2；組件與干電池生產(chǎn)能力 1:1 對(duì)應(yīng)；

2、2021 年寰球光伏干電池生產(chǎn)能力運(yùn)用率為 65%，與 2020 年保持平衡；

3、2019 年后新增 PERC 生產(chǎn)能力均有 TOPCon 晉級(jí)空間。

按照公然消息表露，年內(nèi)暫時(shí)已有多個(gè) N 型組件招標(biāo)名目。

比較有理價(jià)差的估測(cè)計(jì)算截止，N 型組件浸透率進(jìn)一步提高仍需進(jìn)一步降低成本增效，在拉開(kāi)與 P 型組件的功率差的同聲，進(jìn)一步在價(jià)錢(qián)上有所低沉。

經(jīng)過(guò) 2021 年 SNEC 展會(huì)上對(duì)于商場(chǎng)上重要組件廠商品展覽出組件的統(tǒng)計(jì)，不妨看到 N 型組件的到來(lái)仍舊加入倒計(jì)時(shí)。咱們估計(jì) 2022 年中，商場(chǎng)上不妨連接看到 N性組件的范圍出貨及運(yùn)用。

5、關(guān)系目標(biāo)1）在新式干電池本領(lǐng)范圍研制及量產(chǎn)構(gòu)造超過(guò)的一體化組件龍頭：隆基股子、晶科動(dòng)力，晶澳高科技、天合光能（二者均希望在年內(nèi)舉行新式高效干電池生產(chǎn)能力樹(shù)立）。

2）?？苹呻姵貜S商：通威股子、愛(ài)旭股子（ABC 本領(lǐng)門(mén)坎高，生產(chǎn)能力構(gòu)造大），中來(lái)股子（TOPCon 量產(chǎn)功效達(dá) 24.5%，變換功效及生產(chǎn)能力籌備行業(yè)超過(guò)），鈞達(dá)股子。

3）受益于 N 型本領(lǐng)變化的擺設(shè)公司：邁為股子、金辰股子、捷佳偉創(chuàng)、奧特維（串焊機(jī)已貯存 TOPCon 與 HJT 本領(lǐng)工藝，已辨別導(dǎo)出晶科、華晟），拉普拉斯（TOPCon 中心擺設(shè) LPCVD 行業(yè)最大供給商），帝爾激光（激光本領(lǐng)行業(yè)超過(guò)，同聲開(kāi)拓出激光轉(zhuǎn)印本領(lǐng)），京山輕機(jī)（與金石動(dòng)力強(qiáng)強(qiáng)協(xié)作，加碼異質(zhì)結(jié)干電池?cái)[設(shè)）。

4）新式本領(lǐng)產(chǎn)線進(jìn)度及生產(chǎn)能力范圍超過(guò)的新加入者：華晟新動(dòng)力（已有三期 HJT 生產(chǎn)能力構(gòu)造，生產(chǎn)能力范圍及量產(chǎn)功效行業(yè)超過(guò)），金剛玻璃（暫時(shí)產(chǎn)線仍舊發(fā)端流片，功效、本錢(qián)參數(shù)具備莫大參考價(jià)格）。

隆基股子：

光伏一體化龍頭：公司是海內(nèi)硅片及組件雙龍頭，2020年寰球組件出貨量排行第一。

公司有研制本領(lǐng)充分的干電池本領(lǐng)共青團(tuán)和少先隊(duì)，而且在 TOPCon、HJT、IBC 等下一代 N 型高效干電池以及鈣鈦礦、疊層等新 100%型干電池等本領(lǐng)上面貯存了洪量研制功效。

過(guò)程德國(guó)哈梅林太陽(yáng)能接洽所（ISFH）認(rèn)證，2021 年 6 月 1 日，隆基在 N 型 TOPCon、P 型 TOPCon、N 型 HJT 本領(lǐng)的變換功效辨別到達(dá)了 25.21%、25.02%、25.26%，一舉斬獲三項(xiàng)貿(mào)易化尺寸單晶太陽(yáng)干電池變換功效寰球記錄。

2021年 10 月，隆基在一周內(nèi)兩次創(chuàng)作 M6 全尺寸的 HJT 變換功效記載，辨別為 25.82%、26.30%，同聲 26.30%也是暫時(shí)為止寰球晶硅 FBC 構(gòu)造干電池的最高功效。

硅片上風(fēng)外溢，新本領(lǐng)希望實(shí)行差變化低本錢(qián)比賽：

公司在干電池新本領(lǐng)研制構(gòu)造的廣度和深度行業(yè)超過(guò)，除屢次革新 TOPCon、HJT 等各條高效本領(lǐng)道路的研制功效記錄外，公司或依附自己硅片本領(lǐng)上風(fēng)，實(shí)行越發(fā)差變化、更具性價(jià)比的高效干電池本領(lǐng)量產(chǎn)。

晶科動(dòng)力

前瞻構(gòu)造 N 型 TOPCon 干電池，變換功效冠領(lǐng)行業(yè)。近幾年公司連接加大對(duì) N 型產(chǎn)物的研制加入，屢次革新 TOPCon 干電池功效寰球記錄。2021年 10 月公司公布 182 尺寸 N 型單晶 TOPCon 干電池變換功效到達(dá) 25.4%，再次登上頂峰變換功效寰球榜首。

按照募股書(shū)，公司 2020 年終 TOPCon 干電池生產(chǎn)能力到達(dá) 0.8GW，量產(chǎn)平衡變換功效到達(dá) 24.2%，消費(fèi)良率仍舊逼近 PERC 干電池，在行業(yè)內(nèi)部居于超過(guò)程度。

2022年 1 月合肥 TOPCon 干電池名目投入生產(chǎn)，搶占 N 型商場(chǎng)先機(jī)。在 0.8GW TOPCon 產(chǎn)線的勝利體味普通上，公司趕快擴(kuò)大產(chǎn)量堅(jiān)韌 N 型本領(lǐng)上風(fēng)。

2021年 9 月 8 日公司合肥 16GW TOPCon 干電池名目正式動(dòng)工，12 月 10 日托付擺設(shè)進(jìn)場(chǎng)，2022年 1 月 4 日一期 8GW 投入生產(chǎn)，估計(jì) 2022Q2 將到達(dá)滿產(chǎn)；二期 8GW 安置 2022 年上半年投入生產(chǎn)，到年中公司 TOPCon 生產(chǎn)能力將到達(dá) 16.8GW，N 型范圍位居行業(yè)之首。

估計(jì)公司2021-2023E年凈成本辨別為 8.6、26.8、41.4 億元，對(duì)應(yīng) EPS 辨別為 0.11、0.34、0.52 元。

通威股子：

一線干電池片廠商、本錢(qián)+本領(lǐng)雙上風(fēng)：按照 PV Infolink 統(tǒng)計(jì)，2020 年通威干電池片出貨量排名寰球第一。截止 2020 年終，公司太陽(yáng)能干電池年生產(chǎn)能力 27.5GW，個(gè)中，單晶干電池年生產(chǎn)能力 24.5GW，多晶干電池年生產(chǎn)能力 3GW，干電池片生產(chǎn)能力市占率 13%，處行業(yè)一線程度，估計(jì) 2021 年終公司干電池生產(chǎn)能力范圍勝過(guò) 55GW。公司暫時(shí)單晶 PERC 干電池產(chǎn)物非硅本錢(qián)已到達(dá) 0.2 元/w以內(nèi)，本錢(qián)上風(fēng)希望進(jìn)一步提高。

公司暫時(shí)加快促成 HJT、TOPCON 等新本領(lǐng)研制過(guò)程，2021Q1 通威(合肥)200MWHJT 中間試驗(yàn)線批量消費(fèi)的干電池片以 24.3%的變換功效為主，平衡良率達(dá) 97.84%，單日最高良率達(dá) 98.44%，同聲通威成都 1GW 產(chǎn)線已于 2021 年 7 月尾投入生產(chǎn)。

2021 年 7 月 8 日，通威與江蘇微導(dǎo)于眉山出發(fā)地就 TOPCon 名目關(guān)系協(xié)作的本領(lǐng)實(shí)質(zhì)舉行洽商，在 GW 級(jí) HJT 產(chǎn)線落地的同一功夫段加碼 TOPCon 本領(lǐng)，進(jìn)一步完備干電池本領(lǐng)道路構(gòu)造，提高干電池片步驟的比賽力。

猜測(cè)公司 2021-2023E 年凈成本猜測(cè)辨別為 83、143、153 億元，對(duì) 應(yīng) EPS 辨別為 1.85、3.18、3.39 元。

邁為股子

絲網(wǎng)印刷擺設(shè)領(lǐng)軍者：公司是太陽(yáng)能干電池絲網(wǎng)印刷擺設(shè)龍頭企業(yè)，2019 年絲網(wǎng)印刷擺設(shè)海內(nèi)市占率達(dá) 78%，國(guó)際市占率達(dá) 55%。公司在絲網(wǎng)印刷范圍的上風(fēng)為構(gòu)造 HJT 本領(lǐng)奠定了杰出普通。

HJT 擺設(shè)本領(lǐng)開(kāi)辟者：公司前瞻性的舉行了 HJT 高效干電池?cái)[設(shè)的構(gòu)造，自決研制消費(fèi) HJT 高效干電池大表面積枯燥式 PECVD 非晶硅鍍膜擺設(shè)， 而且贏得 7 項(xiàng)專利受權(quán)。

其余，邁為在蕩滌制絨步驟引入阿曼 YAC 本領(lǐng)并實(shí)行國(guó)產(chǎn)化，進(jìn)一步普及了制絨步驟的本領(lǐng)品質(zhì)。

2020 年 10 月13 號(hào)關(guān)系買賣公布表露了向參預(yù)公司江蘇啟威星（公司持有股票 30%）購(gòu)置蕩滌制絨擺設(shè)，即以協(xié)作的辦法贏得蕩滌制絨擺設(shè)，標(biāo)記著邁為異質(zhì)結(jié)整線正式產(chǎn)生。

2020 年 12 月，邁為共同華晟頒布 SMBB 本領(lǐng)（SuperMBB），經(jīng)過(guò)柵 線安排及焊清點(diǎn)的優(yōu)化，實(shí)行 HJT 銀耗進(jìn)一步貶低，大大加速了 HJT 財(cái)產(chǎn)化過(guò)程。

自 2019年 1 月啟用 HJT PECVD 及其配系擺設(shè)，邁為先后創(chuàng)辦性地研制了第一代生產(chǎn)能力 200MW、第二代生產(chǎn)能力 400MW 的 PECVD 擺設(shè)，近期貨資金剛玻璃 1.2GW 的異質(zhì)結(jié)產(chǎn)線中，邁為的異質(zhì)結(jié)擺設(shè)生產(chǎn)能力仍舊到達(dá) 600MW。

截止 2021 年 12 月，公司 HJT 高線干電池?cái)[設(shè)存戶涵蓋通威、華晟、阿特斯、金剛玻璃等，年內(nèi)共獲得 6.9 GW HJT 整線擺設(shè)訂單，市占率勝過(guò) 70%，居于行業(yè)超過(guò)位置。

2022 年 3 月，經(jīng)德國(guó)哈梅林太陽(yáng)能接洽所(ISFH)認(rèn)證，邁為股子共同澳門(mén)大學(xué)利亞非金屬化本領(lǐng)公司 SunDrive 運(yùn)用可量產(chǎn)工藝在全尺寸(M6 尺寸，274.3cm2)單晶異質(zhì)結(jié)干電池上變換功效到達(dá) 26.07%，進(jìn)一步考證了異質(zhì)結(jié)干電池量產(chǎn)功效在將來(lái)超過(guò) 26%大關(guān)的可行性。

按照咱們對(duì)公司訂單構(gòu)造及 HJT 財(cái)產(chǎn)化過(guò)程的最新確定，猜測(cè)公司 2022-2024E 凈成本辨別為 9.00、12.65、18.62 億元，對(duì)應(yīng) EPS 辨別 為 8.73、12.27、18.06 元。

金辰股子：

組件擺設(shè)與高效干電池?cái)[設(shè)共同興盛：金辰股子專營(yíng)交易為光伏組件擺設(shè)，可供給光伏組件“全鏈條”供給本領(lǐng)，掩蓋慣例組件、雙玻組件、半片組件、疊瓦組件等新本領(lǐng)產(chǎn)物典型，寰球市占率達(dá) 35%-40%。

連年來(lái)，公司在高效干電池范圍同聲發(fā)力，與中國(guó)科學(xué)院寧波資料所發(fā)展深刻協(xié)作，并博得主動(dòng)功效。TOPCON 用 PECVD 實(shí)行工藝考證，已加入商場(chǎng)拓展階段。暫時(shí)公司的 PECVD 擺設(shè)贏得頭部組件廠晶科、晶澳、東方日升的引入。

個(gè)中，與晶澳過(guò)程一年半的協(xié)作，功效逼近 24%，現(xiàn)已加入中間試驗(yàn)提效階段；與東方日升協(xié)作僅半年，就博得了≥ 24%+的平衡功效。

HJT PECVD 擺設(shè)與德國(guó) H2GEMINI 公司主動(dòng)協(xié)作，潛心研制運(yùn)用于 HJT 用 PECVD 工藝與擺設(shè)，研制消費(fèi)的 PECVD 擺設(shè)具備生產(chǎn)能力大、本錢(qián)低等便宜。

2021 年 6 月尾，首臺(tái)由金辰自決研制的 HJT 干電池 PECVD 非晶硅地膜擺設(shè)運(yùn)抵晉能高科技，暫時(shí)量產(chǎn)平衡功效已達(dá) 24.38%，最優(yōu)批次功效可達(dá) 24.55%，且功效在多批次干電池片中功效散布平均，展現(xiàn)較為崇高。

與此同聲，公司也在主動(dòng)貯存雙面微晶 HJT 本領(lǐng)及新式非金屬化本領(lǐng)，2022 年 3 月，公司嶄新的微晶 HJT PECVD 擺設(shè)已發(fā)往晉能嘗試，將來(lái)在功效與本錢(qián)上希望進(jìn)一步提高比賽力。

捷佳偉創(chuàng)

干電池片擺設(shè)中心供給商：捷佳偉創(chuàng)自創(chuàng)造此后，已為寰球 200 多家光伏干電池消費(fèi)企業(yè)、近 1300 條干電池消費(fèi)線供給擺設(shè)和效勞，依附管式 PECVD 二合一擺設(shè)、堿拋光擺設(shè)的出貨，捷佳偉創(chuàng)已生長(zhǎng)為 PERC 擺設(shè)的龍頭，產(chǎn)物掩蓋 PERC 擺設(shè)整線，是寰球超過(guò)的晶體硅太陽(yáng)能干電池?cái)[設(shè)供給商。

TOPCon + HJT 雙構(gòu)造：公司同聲涉足 TOPCon 和 HJT 本領(lǐng)，自決研制的高效蕩滌擺設(shè)（HIT、TOPCON）研制勝利并到達(dá)量產(chǎn)，210 大尺寸絲網(wǎng)印刷整線已研制實(shí)行并出貨一條單軌線。

TOPCon 上面，氣態(tài)源（BCl3）210 硅片硼分散工藝已研制勝利，現(xiàn)居于行業(yè)超過(guò)場(chǎng)所； HJT 上面，自決研制的首臺(tái)國(guó)產(chǎn)大產(chǎn)量 RPD5500A 擺設(shè)和異質(zhì)結(jié)要害擺設(shè)板式/管式 PECVD 先后出廠托付，具有行業(yè)內(nèi)部首條全自決、智能化 的整線消費(fèi)線。

在 HJT 的 TCO 步驟，捷佳同聲構(gòu)造 PVD 及 RPD（具有專利養(yǎng)護(hù)），并革新推出 PAR（PVD and RPD 一體機(jī)）。

由于擺設(shè)道理和靶材道理的上風(fēng)，PAR、RPD 已證明不妨贏得對(duì)立于保守 TCO 地膜更高的變換功效與更好的電本能。

2021 年 10 月份，公司 RPD 產(chǎn)物助力隆基，一周兩次創(chuàng)作 25.82%、26.30%兩個(gè)寰球記錄，同聲量產(chǎn)功效目標(biāo)居于行業(yè)超過(guò)程度。

6、危害提醒 新本領(lǐng)興盛不迭預(yù)期：TOPCon 與 HJT 等新式高效光伏干電池本領(lǐng)難度較大，若行業(yè)內(nèi)涵新本領(lǐng)量產(chǎn)良率、功效等上面不許博得進(jìn)一步?jīng)_破，則會(huì)引導(dǎo)新本領(lǐng)興盛不迭預(yù)期。

降低成本速率不迭預(yù)期：暫時(shí) TOPCon 與 HJT 較 PERC 消費(fèi)本錢(qián)較高，若降低成本道路遲遲沒(méi)轍博得沖破，則會(huì)引導(dǎo)新本領(lǐng)在卑劣浸透速率變慢。

量產(chǎn)速率不迭估計(jì)：暫時(shí)行行業(yè)內(nèi)部本質(zhì)的 TOPCon 與 HJT 生產(chǎn)能力較小，即使行行業(yè)內(nèi)部新本領(lǐng)生產(chǎn)能力沒(méi)有產(chǎn)生范圍，則會(huì)引導(dǎo)量產(chǎn)速率不迭預(yù)期。

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