（匯報(bào)出品方/作家：安信證券，李哲）

1. 檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè)貫串每一辦法的進(jìn)程工藝遏制，寰球商場(chǎng)空間超百億美元半半導(dǎo)體量檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè)重要用來(lái)在半導(dǎo)機(jī)制造進(jìn)程中檢驗(yàn)和測(cè)定芯片本能與缺點(diǎn)。簡(jiǎn)直每一步重要工藝 實(shí)行后都須要在所有消費(fèi)進(jìn)程中舉行及時(shí)的監(jiān)測(cè)，以保證產(chǎn)品德量的可控性，對(duì)保護(hù)產(chǎn)品德 量起到要害性的效率。前道量檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè)提防進(jìn)程工藝監(jiān)察和控制，簡(jiǎn)直應(yīng)用在每一起創(chuàng)造歲序中。 按照功效的各別分為兩種擺設(shè)：一是量測(cè)類，二是缺點(diǎn)檢驗(yàn)和測(cè)定類。1）量測(cè)類擺設(shè)：重要用來(lái) 丈量通明地膜厚薄、不通明地膜厚薄、膜應(yīng)力、摻雜濃淡、要害尺寸、套準(zhǔn)精度等目標(biāo)，對(duì) 應(yīng)的擺設(shè)分為橢偏儀、四探針、亞原子力顯微鏡、CD-SEM、OCD 擺設(shè)、地膜量測(cè)等。2）缺 陷檢驗(yàn)和測(cè)定類擺設(shè)：用來(lái)檢驗(yàn)和測(cè)定晶圓外表的缺點(diǎn)，分為明/暗場(chǎng)光學(xué)圖形圖片缺點(diǎn)檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè)、無(wú)圖形 外表檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè)、直觀缺點(diǎn)檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè)等。

1.1. 半半導(dǎo)體量測(cè)擺設(shè)：對(duì)各步驟工藝參數(shù)目標(biāo)舉行丈量

半半導(dǎo)體量測(cè)擺設(shè)重要功效：是在半半導(dǎo)體消費(fèi)進(jìn)程中，對(duì)過(guò)程每一起工藝的晶圓舉行定量 丈量，以保護(hù)工藝的要害物理參數(shù)滿意工藝目標(biāo)，如膜厚、要害尺寸（CD）、膜應(yīng)力、折 射率、參雜濃淡、套準(zhǔn)精度等。

地膜資料的厚薄和物理常數(shù)目測(cè)擺設(shè)：在半導(dǎo)機(jī)制造進(jìn)程中，晶圓要舉行屢次百般材料質(zhì)量的薄 膜堆積，所以地膜的厚薄及其本質(zhì)（如反射率和消光系數(shù)）須要精確地決定，以保證每一起 工藝均滿意安排規(guī)格。膜厚丈量不妨按照地膜資料分別為兩個(gè)基礎(chǔ)典型，即不通明地膜（金 屬類）和通明地膜。丈量不通明地膜厚薄的本領(lǐng)常常是經(jīng)過(guò)丈量方塊電阻，經(jīng)過(guò)其電阻與橫 截表面積獲得其膜厚，沿用的擺設(shè)普遍為四探針臺(tái)，將四根探針等隔絕放臵，經(jīng)過(guò)對(duì)最外兩根 探針強(qiáng)加交流電，進(jìn)而丈量其電勢(shì)差，計(jì)劃被測(cè)地膜的方塊電阻。暫時(shí)商場(chǎng)重要供給商為 KLA （Omni Map 系列）。

而通明地膜則常常鑒于長(zhǎng)圓偏振本領(lǐng)，對(duì)光譜范疇內(nèi)的偏振變革舉行領(lǐng)會(huì)，百般地膜層供給 高精度地膜丈量，因?yàn)槟?yīng)力、反射率等物理本質(zhì)同樣須要長(zhǎng)圓偏振及干預(yù)本領(lǐng)舉行丈量， 所以暫時(shí)合流的膜厚丈量擺設(shè)同聲集成了應(yīng)力丈量、反射率丈量等功效，暫時(shí)該類擺設(shè)商場(chǎng) 重要供給商為 KLA（Aleris 系列、SpectraFilm 系列）、上海精測(cè)（EFILM 系列）

要害尺寸掃描電子顯微鏡（CD-SEM）：要害尺寸即電極線條寬窄，常常是指咱們所說(shuō)的“線 寬”，任何過(guò)程光刻后的光刻膠線條寬窄或刻蝕后電極線條寬窄與安排尺寸的偏離城市徑直 感化最后器件的本能、制品率及真實(shí)性，以是進(jìn)步的工藝遏制都須要對(duì)線條寬窄舉行在線測(cè) 量。下圖所示為 SEM 成像道理圖，圖左側(cè)是待丈量圖形的切面圖，因?yàn)樵诙钙绿幦肷潆娮?靈驗(yàn)效率表面積最大，二次電子爆發(fā)率也相映最高變換為 SEM 圖像時(shí)，圖形邊際的亮度老是 最高的，所以就不妨據(jù)此計(jì)劃線寬，即 CD 值。暫時(shí)商場(chǎng)上的重要供給商為 Hitachi High-Tech 和運(yùn)用資料（VeritySEM5i）。

光學(xué)要害尺寸（OCD）丈量擺設(shè)：因?yàn)?CD-SEM 須要將待測(cè)晶圓臵于真空，所以檢驗(yàn)和測(cè)定速率 較慢，暫時(shí)鑒于衍射光學(xué)道理的非成像光學(xué)要害尺寸（OCD）丈量擺設(shè)已變成進(jìn)步半導(dǎo)機(jī)制 造了藝中的重要東西，它不妨實(shí)行對(duì)器件要害線條寬窄及其余形貌尺寸的透徹丈量，并具備 很好的反復(fù)性和長(zhǎng)久寧?kù)o性經(jīng)過(guò) OCD 丈量不妨一次性贏得諸多工藝尺寸參數(shù)，而在往日這 些參數(shù)常常須要運(yùn)用多種擺設(shè)（如掃描電子顯微鏡、亞原子力顯微鏡、光學(xué)地膜丈量?jī)x等）才 能實(shí)行。重要運(yùn)用于圓片在光刻膠暴光顯電影皇后、刻蝕后和 CMP 工藝后的要害尺寸和形貌結(jié) 構(gòu)的丈量。商場(chǎng)上該類擺設(shè)重要供給商為 KLA（Spectra Shape 系列）、NanoMetrics、上 海睿勵(lì)（TFX 3000）和上海精測(cè)（EPROFILE 300FD）

套刻缺點(diǎn)瞄準(zhǔn)丈量：在半導(dǎo)機(jī)制造進(jìn)程中，要害層的光學(xué)套刻瞄準(zhǔn)徑直感化了器件的本能、 制品率及真實(shí)性，跟著芯片集成度的減少，線寬漸漸減少以及多重光刻工藝的運(yùn)用，套刻誤 差須要更莊重地被遏制，所以套刻缺點(diǎn)丈量也是進(jìn)程工藝遏制中最重本地辦法之一。其丈量 道理常常為經(jīng)過(guò)光學(xué)顯微成像體例贏得兩層刻套目的圖形的數(shù)字化圖像，而后鑒于數(shù)字圖象 算法，計(jì)劃每一層的重心位臵，進(jìn)而贏得套刻缺點(diǎn)。暫時(shí)商場(chǎng)上合流的供給商為 KLA（Archer 系列）和 ASML（Yield-Star 系列）。

1.2. 半半導(dǎo)體檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè)：分為光學(xué)與電子束本領(lǐng)，對(duì)圖形缺點(diǎn)舉行查看

半半導(dǎo)體檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè)重要用來(lái)檢驗(yàn)和測(cè)定晶圓上的物理缺點(diǎn)（稱為顆粒的異物）和圖案缺點(diǎn)，并獲得缺 陷的位臵坐標(biāo)（X，Y）。缺點(diǎn)可分為隨機(jī)缺點(diǎn)和擺設(shè)缺點(diǎn)，隨機(jī)缺點(diǎn)主假如由黏附在晶圓表 面包車型的士顆粒惹起的，所以沒(méi)轍猜測(cè)其位臵。晶圓缺點(diǎn)檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè)的重要效率是檢驗(yàn)和測(cè)定晶圓上的缺點(diǎn) 并找到其位臵（位臵坐標(biāo)）；擺設(shè)缺點(diǎn)則是由掩模和暴光工藝的前提惹起的，常常在一切投 射的管芯的通路圖案上的溝通位臵爆發(fā)。

依照檢驗(yàn)和測(cè)定本領(lǐng)分門(mén)別類，晶圓缺點(diǎn)檢驗(yàn)和測(cè)定本領(lǐng)分為光學(xué)和電子束本領(lǐng)。保守檢驗(yàn)和測(cè)定本領(lǐng)以光學(xué)檢驗(yàn)和測(cè)定為 主，經(jīng)過(guò)光學(xué)成像道理對(duì)相鄰的晶圓舉行比對(duì)，不妨在短功夫內(nèi)舉行大范疇檢驗(yàn)和測(cè)定。但跟著半 導(dǎo)機(jī)制程連接削減，光學(xué)檢驗(yàn)和測(cè)定在進(jìn)步工藝本領(lǐng)的圖像辨別的精巧度漸漸縮小，所以電子束檢 測(cè)本領(lǐng)在進(jìn)步工藝中運(yùn)用較多。電子束的道理為運(yùn)用電子束掃描待測(cè)元件，獲得二次電子成 像的印象，經(jīng)過(guò)對(duì)二次電子的搜集，以表露的圖像來(lái)領(lǐng)會(huì)晶圓在制造過(guò)程中的特殊處。

電子束檢驗(yàn)和測(cè)定的上風(fēng)為不妨不受某些外表物理本質(zhì)的感化，且不妨檢驗(yàn)和測(cè)定很小的外表缺點(diǎn)，如柵 極刻蝕遺棄物等，相較于光學(xué)檢驗(yàn)和測(cè)定本領(lǐng)，電子束檢驗(yàn)和測(cè)定本領(lǐng)精巧度較高，但檢驗(yàn)和測(cè)定速率較慢，因 此在對(duì)準(zhǔn)進(jìn)步制造過(guò)程芯片的消費(fèi)過(guò)程時(shí)，會(huì)同聲運(yùn)用光學(xué)檢驗(yàn)和測(cè)定與電子束檢兩種本領(lǐng)彼此扶助， 從而趕快找到晶圓消費(fèi)的缺點(diǎn)并遏制和革新。 光學(xué)圖形圓片缺點(diǎn)檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè)沿用高精度光學(xué)檢驗(yàn)和測(cè)定本領(lǐng)，對(duì)圓片上的 nm/μm 標(biāo)準(zhǔn)的缺點(diǎn)和污 染舉行檢驗(yàn)和測(cè)定和辨別，再不發(fā)此刻各別消費(fèi)節(jié)點(diǎn)中的圓片的產(chǎn)品德量題目，該擺設(shè)不妨進(jìn)一步 分為明/暗場(chǎng)圖形缺點(diǎn)檢驗(yàn)和測(cè)定、無(wú)圖形外表檢驗(yàn)和測(cè)定體例、直觀缺點(diǎn)檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè)。

明/暗場(chǎng)圖形缺點(diǎn)檢驗(yàn)和測(cè)定：該類檢驗(yàn)和測(cè)定是鑒于光學(xué)成像本領(lǐng)對(duì)圖形化的晶圓舉行檢驗(yàn)和測(cè)定，明場(chǎng)是指照 明光觀點(diǎn)和搜集光觀點(diǎn)實(shí)足溝通或局部溝通，在光口傳感器上最后產(chǎn)生的圖像是由照明光入 射晶圓外表并曲射回顧的光產(chǎn)生的；而暗場(chǎng)則是指照明光觀點(diǎn)和搜集光觀點(diǎn)實(shí)足各別，以是 在光口傳感器上最后產(chǎn)生的圖像是由照明光入射晶圓外表并被圖形外表的 3D 構(gòu)造散射回顧 的光產(chǎn)生的。膚淺來(lái)說(shuō)，明場(chǎng)普遍是指照明光路和搜集光路在鄰近晶圓端共用同一個(gè)顯微物 鏡，而暗場(chǎng)是指照明光路和搜集光路在物理空間上是實(shí)足辨別的。其皆經(jīng)過(guò)對(duì)晶圓上的圖形 舉行成像后與相鄰圖像比較來(lái)檢驗(yàn)和測(cè)定缺點(diǎn)并記載其位臵坐標(biāo)。

暫時(shí)商場(chǎng)上明場(chǎng)光學(xué)圖形缺點(diǎn)檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè)的供給商重要為 KLA（39xx 系列及 29xx 系列）以及 運(yùn)用資料（UVision 系列），暗場(chǎng)光學(xué)圖形缺點(diǎn)檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè)的供給商重要為 KLA（Puma 系列） 和 Hitachi High-Tech（IS 系列）。

無(wú)圖形圓片外表檢驗(yàn)和測(cè)定體例：該擺設(shè)是一種用來(lái)檢驗(yàn)和測(cè)定圓片外表品德和創(chuàng)造圓片外表缺點(diǎn)的光學(xué) 檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè)。因?yàn)榫A尚未產(chǎn)生圖案，所以無(wú)需圖像比擬即可徑直檢驗(yàn)和測(cè)定缺點(diǎn)。其處事道理是將 激光映照在圓片外表，經(jīng)過(guò)多通道搜集散射光，過(guò)程外表后臺(tái)噪聲控制后，經(jīng)過(guò)算法索取和 比擬多通道的外表缺點(diǎn)旗號(hào)，最后贏得缺點(diǎn)的尺寸和辨別。無(wú)圖形圓片外表檢驗(yàn)和測(cè)定體例不妨檢 測(cè)的缺點(diǎn)典型囊括顆粒傳染、凹坑、火印、劃傷、淺坑、外延堆垛（Epi Stacking)、CMP 突 起（CMP Protrusion)等。暫時(shí)商場(chǎng)上重要供給商為 KLA （Surfscan 系列）和 Hitachi High-Tech（LS 系列）。

直觀缺點(diǎn)檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè)：鑒于光學(xué)圖像檢驗(yàn)和測(cè)定本領(lǐng)，貫串多種光學(xué)量測(cè)本領(lǐng)，不妨實(shí)行標(biāo)準(zhǔn)大于 0.5 μm 的圓片缺點(diǎn)檢驗(yàn)和測(cè)定。直觀缺點(diǎn)檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè)沿用的檢驗(yàn)和測(cè)定辦法有兩種，一種辦法為全圓片外表成 像，光學(xué)體例不妨實(shí)行所有 300mm 圓片外表的一次性成像探測(cè)，檢驗(yàn)和測(cè)定速率較快；另一種方 式為限制圓片外表成像，具備更高的空間辨別率，嘗試中經(jīng)過(guò)對(duì)圓片外表的定位或貫串掃描， 拍攝圓片外表的完備圖像消息，經(jīng)過(guò)“Die-to-Die”比平等圖像計(jì)劃本領(lǐng)贏得檢驗(yàn)和測(cè)定截止。

直觀缺點(diǎn)檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè)普遍用來(lái)光刻、CMP、刻蝕、地膜堆積后的出貨檢查（OQC）以及入廠 檢查（IQC）中，囊括反面檢驗(yàn)和測(cè)定、背后檢驗(yàn)和測(cè)定、邊際檢驗(yàn)和測(cè)定、晶圓好多形勢(shì)檢驗(yàn)和測(cè)定等，可高速掃描 硅片的全外表，機(jī)動(dòng)保存硅片全景圖像、缺點(diǎn)分門(mén)別類，和輸入缺點(diǎn)檢驗(yàn)和測(cè)定截止。其重要供給商為KLA（CIRCL 系列）、Nanometrics（Spark 系列）、Rudolph（NSX 系列）、上海睿勵(lì)（FSD 系列）以及中國(guó)科學(xué)院飛測(cè)（SPRUCE）。

電子束圖形圓片缺點(diǎn)檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè)是一種運(yùn)用掃描電子顯微鏡在前道歲序中對(duì)半半導(dǎo)體圓片上的 刻蝕圖形徑直舉行缺點(diǎn)檢驗(yàn)和測(cè)定的工藝檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè)。其道理為經(jīng)過(guò)聚焦電子束對(duì)圓片外表舉行掃描， 接收曲射回顧的二次電子和背散射電子，從而將其變換成對(duì)應(yīng)的圓片外表形貌的灰度圖像。 經(jīng)過(guò)比對(duì)圓片上各別芯片（Die）同一位臵的圖像，大概經(jīng)過(guò)圖像和芯片安排圖形的徑直 比對(duì)，不妨找到刻蝕或安排上的缺點(diǎn)。暫時(shí)商場(chǎng)上重要供給商為 KLA（eDR7XXX 系列、eSL10 系列）和 AMAT（SEM VISION 系列）。

1.3. 前道嘗試擺設(shè)商場(chǎng)空間超百億美元，將來(lái)購(gòu)買需要希望大幅上修

前道嘗試擺設(shè)占半半導(dǎo)體擺設(shè)入股額的 11%~13%。按照科磊及 Semi 統(tǒng)計(jì)，前道嘗試擺設(shè)占 比在 11%~13%，咱們?nèi)“氚雽?dǎo)體前道嘗試擺設(shè)占比 12%。1）寰球：依照 Semi 最新估計(jì) 2021 年半半導(dǎo)體擺設(shè)總商場(chǎng)辨別為 953 億美元預(yù)算，咱們猜測(cè) 2021 年年寰球半半導(dǎo)體前道檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè) 商場(chǎng)空間辨別到達(dá) 114.4 億美元。2）海內(nèi)：按照 Semi 數(shù)據(jù)，2020 年海內(nèi)半半導(dǎo)體擺設(shè)商場(chǎng) 范圍達(dá) 187.2 億美元，2021 年約同期相比延長(zhǎng) 10%，估測(cè)計(jì)算 2021 年海內(nèi)半半導(dǎo)體前道檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè)市 場(chǎng)辨別到達(dá) 24.7 億美元，約為 160.6 億元群眾幣。

量測(cè)擺設(shè)約占前道量測(cè)擺設(shè)的 34%。前道量測(cè)擺設(shè)進(jìn)一步細(xì)分為量測(cè)擺設(shè)、缺點(diǎn)檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè)以 及進(jìn)程遏制軟硬件，按照智研接洽數(shù)據(jù)，個(gè)中缺點(diǎn)檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè)約占前道檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè)的 55%，量測(cè)設(shè) 備占前道量測(cè)擺設(shè)的34%，進(jìn)程遏制軟硬件占11%。進(jìn)一步按產(chǎn)物細(xì)分，膜厚丈量占比約12%、 OCD 丈量擺設(shè)占比 10%、形貌丈量占比約 6%、套刻缺點(diǎn)丈量占比 9%、CD-SEM 丈量占比 約 12%；缺點(diǎn)檢驗(yàn)和測(cè)定中有圖形晶圓檢驗(yàn)和測(cè)定占比 32%、無(wú)圖形晶圓檢驗(yàn)和測(cè)定占比 5%、電子束檢驗(yàn)和測(cè)定占比 11%、直觀缺點(diǎn)檢驗(yàn)和測(cè)定占比 6%。

同聲按照中芯國(guó)際/長(zhǎng)江保存/合肥長(zhǎng)鑫籌備，本年中芯國(guó)際先后公布入股 76 億美元于北京亦 莊樹(shù)立每月約 10 萬(wàn)片的 12 英尺晶圓生產(chǎn)能力、入股 23.5 億美元于深圳樹(shù)立每月約 4 萬(wàn)片的 12 英尺晶圓生產(chǎn)能力、入股 88.7 億美元于上海臨港樹(shù)立每月約 10 萬(wàn)片的 12 英尺晶圓生產(chǎn)能力。核計(jì) 籌備生產(chǎn)能力 24 萬(wàn)片，入股額超 1200 億群眾幣，同聲加上合肥長(zhǎng)鑫、長(zhǎng)江保存籌備未竣工生產(chǎn)能力， 核計(jì)未擴(kuò)大建設(shè)生產(chǎn)能力超 60 萬(wàn)片，咱們依照 1 萬(wàn)片 50 億群眾幣入股額估測(cè)計(jì)算，將來(lái)晶圓廠入股額將 超 3000 億元，按照 Gartner 統(tǒng)計(jì)，晶圓廠擺設(shè)購(gòu)買額占總?cè)牍深~的 80%，個(gè)中 11%~13% 為量測(cè)擺設(shè)，僅長(zhǎng)江保存、中芯國(guó)際、合肥長(zhǎng)鑫對(duì)量測(cè)擺設(shè)的購(gòu)買范圍達(dá) 300 億元，分 3~4 年開(kāi)釋；其余如華虹華力、士蘭微、積塔半半導(dǎo)體、華虹北京燕東、格科微等本年辨別籌備擴(kuò) 建或興建晶圓廠，按照 Semi 統(tǒng)計(jì)，2020 年華夏大大陸區(qū)生產(chǎn)能力核計(jì)達(dá) 400 萬(wàn)片/月（折合 8 寸晶圓） ，本年將到達(dá) 460 萬(wàn)片/月， 2020 年至 2024 年寰球?qū)⑵鸫a新增 38 座 12 英尺晶 圓廠，個(gè)中華夏陸地奉獻(xiàn)重要夸大能源，將來(lái)海內(nèi)擺設(shè)購(gòu)買需要希望大幅上修。

2. 科磊市占率高達(dá) 52%，是國(guó)產(chǎn)代替路上的最大阻礙之一2.1. 科磊是寰球量測(cè)范圍龍頭，產(chǎn)物貫串前道工藝進(jìn)程遏制全過(guò)程

科磊是 IC 范圍最洪量檢驗(yàn)和測(cè)定公司，半半導(dǎo)體工藝遏制是最重要收入根源。經(jīng)過(guò) 20 余年的興盛， 截至 2021 財(cái)政年度，KLA 的營(yíng)業(yè)收入已到達(dá) 69.2 億美元（YoY+19.2%），變成集成通路范圍范圍 最大、掩蓋面最廣的量檢驗(yàn)和測(cè)定公司。按交易拆分，公司收入不妨分為三大局部：1）半半導(dǎo)體工 藝遏制：2021FY 收入 57.3 億美元（YoY+20.8%），占比 82.9%，相較 2019FY 的 89.3% 有所下滑，然奉獻(xiàn)率仍保護(hù)上位；2）特出半導(dǎo)機(jī)制造擺設(shè)：2021FY 收入 3.7 億美元 （YoY+12.0%），占比 5.3%；3）PCB、面板和零元件查看：2021FY 收入 8.1 億美元 （YoY+11.7%），占比 11.7%。

科磊產(chǎn)物線貫串前道工藝進(jìn)程遏制全過(guò)程。從產(chǎn)物線來(lái)看，公司卑劣運(yùn)用于晶圓、光罩創(chuàng)造、 半半導(dǎo)體、封裝、PCB 和 LED 等產(chǎn)業(yè)本領(lǐng)范圍，產(chǎn)物貫串前道工藝進(jìn)程遏制全過(guò)程，囊括 Surfscan 無(wú)圖案晶圓缺點(diǎn)檢驗(yàn)和測(cè)定體例、eDR7xxx 電子束晶圓缺點(diǎn)檢驗(yàn)和測(cè)定體例、eSL10 圖案晶圓 檢驗(yàn)和測(cè)定、39xx 系列超辨別率寬光譜等離子體圖案晶圓缺點(diǎn)檢驗(yàn)和測(cè)定體例、29xx 寬光譜等離子體圖案晶 圓缺點(diǎn)檢驗(yàn)和測(cè)定體例、Puma 激光掃描圖案晶圓缺點(diǎn)檢驗(yàn)和測(cè)定體例、Teron 光罩缺點(diǎn)檢驗(yàn)和測(cè)定體例、Archer ?套刻量測(cè)體例等，并在缺點(diǎn)檢驗(yàn)和測(cè)定范圍市占率較高。

科磊的前道檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè)市占率達(dá)52%，在局部細(xì)分范圍具備一致把持上風(fēng)。按照Gartner 數(shù)據(jù)， 前道檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè)范圍，科磊獨(dú)吞 52%的份額，運(yùn)用資料、日立高新技術(shù)則辨別占比 12%、11%， CR3 核計(jì)占比逼近 80%，商場(chǎng)會(huì)合度較高，且基礎(chǔ)被海內(nèi)公司所把持，海內(nèi)企業(yè)商場(chǎng)份額 不及 1%，個(gè)中科磊在檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè)范圍市占率有一致上風(fēng)，在晶圓形貌檢驗(yàn)和測(cè)定、無(wú)圖形晶圓檢驗(yàn)和測(cè)定、 有圖形晶圓檢驗(yàn)和測(cè)定范圍市占率辨別到達(dá) 85%、78%、72%，具備一致把持上風(fēng)。

科磊在量測(cè)擺設(shè)范圍的重要比賽敵手。量測(cè)范圍除科磊外其余比賽敵手重要為運(yùn)用資料、日 立高新技術(shù)、Onto 等，辨別吞噬 12%、11%及 4%，個(gè)中：1）日立高新技術(shù)為日立團(tuán)體下的子公司， 重要構(gòu)造半導(dǎo)機(jī)制造和檢驗(yàn)和測(cè)定、科學(xué)調(diào)理體例、風(fēng)度體例和其余產(chǎn)業(yè)零元件，半半導(dǎo)體嘗試范圍 產(chǎn)物為 CD-SEM、暗場(chǎng)檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè)、直觀檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè)、缺點(diǎn)復(fù)查顯微鏡等，重要構(gòu)造量測(cè)類擺設(shè)； 2）運(yùn)用資料為寰球半半導(dǎo)體擺設(shè)龍頭公司，其產(chǎn)物線貫串半導(dǎo)機(jī)制造消費(fèi)所有過(guò)程，其在半 半導(dǎo)體檢驗(yàn)和測(cè)定范圍產(chǎn)物線重要為晶圓檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè)和 CD-SEM，重要構(gòu)造量測(cè)類擺設(shè)；3）Onto （Rudolph 與 Nanometrics 兼并），產(chǎn)物重要囊括機(jī)動(dòng)缺點(diǎn)檢驗(yàn)和測(cè)定和量測(cè)體例，探針卡嘗試和 領(lǐng)會(huì)體例。

2.2. 海內(nèi)量檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè)廠已漸漸實(shí)行出貨，細(xì)分范圍吹響國(guó)產(chǎn)代替軍號(hào)

海內(nèi)量檢驗(yàn)和測(cè)定范圍暫時(shí)重要介入公司有上海精測(cè)、上海睿勵(lì)、中國(guó)科學(xué)院飛測(cè)、東方晶圓等，暫時(shí)正 在主動(dòng)推出其產(chǎn)物線，激動(dòng)國(guó)產(chǎn)量測(cè)擺設(shè)興盛。精測(cè)與睿勵(lì)重要聚焦于膜厚及 OCD 量測(cè)， 已獲海內(nèi)一線保存廠商反復(fù)訂單，中國(guó)科學(xué)院飛測(cè)產(chǎn)物以形貌嘗試為主，已加入海內(nèi)多家消費(fèi)線， 如中芯國(guó)際、長(zhǎng)江保存、士蘭微等，東方晶源重要霸占 EBI 和 CD-SEM，暫時(shí)產(chǎn)物也已實(shí)行 托付，彌補(bǔ)了我國(guó)空白的要害范圍。

2.2.1. 上海精測(cè)：量檢驗(yàn)和測(cè)定范圍均有波及，產(chǎn)物線掩蓋面較廣

公司現(xiàn)已產(chǎn)生了膜厚/OCD 量測(cè)擺設(shè)、電子束量測(cè)擺設(shè)、泛半半導(dǎo)體擺設(shè)三大產(chǎn)物系列。公司 產(chǎn)物線囊括 EFIM 系列膜厚丈量機(jī)、EPROFILE 系列膜厚及 OCD 丈量機(jī)、eView 系列電子 束檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè)，量測(cè)范圍掩蓋了實(shí)用范疇最廣的膜厚及 OCD 丈量擺設(shè)，檢驗(yàn)和測(cè)定范圍掩蓋了電子 束檢驗(yàn)和測(cè)定及缺點(diǎn)復(fù)查擺設(shè)，產(chǎn)物掩蓋范圍較為完備。個(gè)中，上海精測(cè)膜厚產(chǎn)物（含獨(dú)力式膜厚 擺設(shè)）已博得海內(nèi)一線存戶的批量反復(fù)訂單，上半年公司實(shí)行首臺(tái) 12 寸晶圓表面缺點(diǎn)檢驗(yàn)和測(cè)定 擺設(shè)托付，首臺(tái)獨(dú)力式 OCD 擺設(shè)與 Review SEM 出機(jī)。

2.2.2. 上海睿勵(lì)：重要掩蓋膜厚及 OCD 量測(cè)，漸漸向缺點(diǎn)檢驗(yàn)和測(cè)定范圍拓展

公司產(chǎn)物深耕量測(cè)范圍，重要產(chǎn)物囊括 TFX3000 系列膜厚量測(cè)擺設(shè)，TFX3000 OCD 光學(xué) 要害尺寸（OCD）和形貌丈量體例，F(xiàn)SD300 機(jī)動(dòng)直觀缺點(diǎn)檢驗(yàn)和測(cè)定體例及 WSD200 光學(xué)缺點(diǎn) 檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè).本年上半年，公司新一代光學(xué)膜厚量測(cè)擺設(shè)（TFX4000i）正式托付海內(nèi)要害存戶， 高精度光學(xué)缺點(diǎn)檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè)（WSD200）也托付海內(nèi)著名存戶，暫時(shí)睿勵(lì)自決研制的 12 英尺 光學(xué)丈量擺設(shè) TFX3000 系列產(chǎn)物，已運(yùn)用在 65/55/40/28 納米芯片消費(fèi)線并在舉行了 14 納 米工藝考證，在3D保存芯片產(chǎn)線扶助64層3DNAND芯片的消費(fèi)，并正在考證96層3DNAND 芯片的丈量本能，現(xiàn)正在開(kāi)拓下一代可扶助更高階芯片制造過(guò)程工藝的膜厚和 OCD 丈量擺設(shè)以 及缺點(diǎn)檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè)，公司股東囊括中微公司（20.45%）、浦東科創(chuàng)（15.04%）、張江科投（11.13%）、 國(guó)度大基金（8.78%）、上海創(chuàng)投（4.95%）、上海國(guó)盛（3.35%）等一眾著名財(cái)產(chǎn)入股機(jī) 構(gòu)。

2.2.3. 中國(guó)科學(xué)院飛測(cè)：產(chǎn)物已加入海內(nèi)多條消費(fèi)線

公司產(chǎn)物波及量檢驗(yàn)和測(cè)定范圍，簡(jiǎn)直辨別為 SKYVERSE-900 三維封裝量測(cè)體例、SPRUCE-600 晶圓外表缺點(diǎn)檢驗(yàn)和測(cè)定系列和智能視覺(jué)檢驗(yàn)和測(cè)定體例，個(gè)中公司的晶圓外表顆粒檢驗(yàn)和測(cè)定機(jī)勝利加入中芯 國(guó)際消費(fèi)線，智能視覺(jué)檢驗(yàn)和測(cè)定體例勝利加入長(zhǎng)江保存消費(fèi)線，橢偏膜厚量測(cè)儀加入士蘭微消費(fèi) 線。

2.2.4. 東方晶源：EBI 和 CD-SEM 范圍彌補(bǔ)海內(nèi)要害空白

公司產(chǎn)物重要掩蓋三大范圍即 OPC（計(jì)劃光刻產(chǎn)物）、EBI（電子束缺點(diǎn)檢驗(yàn)和測(cè)定）及 CD-SEM （要害尺寸量測(cè)），暫時(shí)公司已實(shí)行海內(nèi)首臺(tái)套 EBI 擺設(shè)在存戶合流制造過(guò)程的考證，實(shí)行海內(nèi) 首臺(tái) CD-SEM 的研制并至今年托付中芯國(guó)際，為暫時(shí) EBI 與 CD-SEM 范圍彌補(bǔ)要害空白。

2.3. 局部細(xì)分范圍海內(nèi)廠商已實(shí)行沖破，科磊仍吞噬把持位置

咱們進(jìn)一步對(duì)海內(nèi)廠商招標(biāo)數(shù)據(jù)舉行了整治，以長(zhǎng)江保存 2017 年于今的招標(biāo)數(shù)據(jù)為例，量 測(cè)擺設(shè)中購(gòu)買量較大的為集成式膜厚光學(xué)要害尺寸量測(cè)體例（膜厚+OCD）62 臺(tái)，個(gè)中用來(lái) 淺槽分隔的 34 臺(tái)，十足購(gòu)買自 Onto，用來(lái)介質(zhì)層如氧化硅、多晶硅等的 28 臺(tái)，個(gè)中 21 臺(tái) 購(gòu)買于 Onto，6 臺(tái)購(gòu)買自上海精測(cè)，地膜厚薄丈量?jī)x購(gòu)買共 24 臺(tái)，個(gè)中向 onto 購(gòu)買 11 臺(tái)， 向 KLA 購(gòu)買 10 臺(tái)，光學(xué)特性尺寸量測(cè)體例（OCD）擺設(shè)購(gòu)買 21 臺(tái)，個(gè)中 KLA 占 3 臺(tái)， Onto 購(gòu)買 18 臺(tái)，由此看來(lái)海內(nèi)廠商在購(gòu)買 OCD 及膜厚擺設(shè)時(shí) Onto 的占比量最大；在掃描 電子顯微鏡要害尺寸量測(cè)體例上面，所有購(gòu)買 40 臺(tái)，個(gè)中 AMAT 和日立高新技術(shù)各占 20 臺(tái)，而在電阻 丈量?jī)x、晶圓應(yīng)力丈量體例、套刻瞄準(zhǔn)等范圍科磊簡(jiǎn)直吞噬把持位置；犯得著一提的是，在光 學(xué)外表三維形貌量測(cè)擺設(shè)范圍，5 臺(tái)擺設(shè)十足購(gòu)買于中國(guó)科學(xué)院飛測(cè)。

檢驗(yàn)和測(cè)定范圍，購(gòu)買數(shù)目較大的為電子束缺點(diǎn)掃描儀（EBI），核計(jì) 17 臺(tái)，個(gè)中漢民微占 13 臺(tái)， AMAT 及 Onto 各占 2 臺(tái)，光學(xué)直觀缺點(diǎn)掃描儀購(gòu)買 14 臺(tái)，個(gè)中 Onto 占 11 臺(tái)，Nikon 占 2 臺(tái)，KLA 1 臺(tái)，聚焦離子束及透射電子顯微鏡范圍共購(gòu)買 15 臺(tái)，個(gè)中賽默飛（FEI）占 14 臺(tái)，而在明場(chǎng)及暗場(chǎng)缺點(diǎn)檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè)共購(gòu)買 12 臺(tái)，個(gè)中 KLA 占 10 臺(tái)，在光罩查看體例、晶 圓微粒缺點(diǎn)檢驗(yàn)和測(cè)定儀、無(wú)圖形外表缺點(diǎn)檢驗(yàn)和測(cè)定范圍 KLA 簡(jiǎn)直占把持位置，而晶圓外表凹下檢驗(yàn)和測(cè)定系 全部購(gòu)買 1 臺(tái)，為中國(guó)科學(xué)院飛測(cè)供給。

按照上述長(zhǎng)江保存招標(biāo)消息來(lái)看，海內(nèi)量檢驗(yàn)和測(cè)定商場(chǎng)局部細(xì)分范圍縱然已沿用 Onto、日立高新技術(shù) 代替，但科磊在局部范圍的市占率仍較高，更加在量測(cè)范圍的電阻丈量?jī)x、晶圓應(yīng)力丈量系 統(tǒng)、套刻瞄準(zhǔn)體例以及檢驗(yàn)和測(cè)定體例的明暗場(chǎng)檢驗(yàn)和測(cè)定、光罩檢驗(yàn)和測(cè)定、無(wú)圖形外表檢驗(yàn)和測(cè)定等范圍簡(jiǎn)直呈壟 斷位置。即使量檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè)不博得沖破，我國(guó)半半導(dǎo)體擺設(shè)仍有被卡脖子之虞。海內(nèi)各廠商已在 各細(xì)分范圍有所沖破，如精測(cè)及睿勵(lì)在集成式膜厚要害尺寸量測(cè)范圍已贏得反復(fù)訂單，中國(guó)科學(xué)院 飛測(cè)在三維形貌量測(cè)擺設(shè)范圍及晶圓外表凹下檢驗(yàn)和測(cè)定體例已獲得該品類十足訂單。估計(jì)在國(guó)產(chǎn) 化需要急迫、研制加入連接提高、卑劣 Fab 廠主動(dòng)共同的大情況下，量檢驗(yàn)和測(cè)定范圍希望加快實(shí) 現(xiàn)國(guó)產(chǎn)代替。

3. 從科磊興盛路途看對(duì)海內(nèi)半半導(dǎo)體檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè)企業(yè)的模仿意旨3.1. 第一階段（1977~1990）：發(fā)掘商場(chǎng)需要，趕快加入量測(cè)商場(chǎng)

科磊半半導(dǎo)體于 1977 年在美利堅(jiān)合眾國(guó)加利福尼亞州創(chuàng)造。1970s 芯片創(chuàng)造工藝較為不可熟，芯片制 造廠常用人眼和對(duì)立低高科技的視覺(jué)扶助東西對(duì)良率舉行審定，引導(dǎo)消費(fèi)良率較低，局部以至 良率不到 50%，極地面減少了晶圓廠的制形成本，控制了晶圓廠的生產(chǎn)能力，跟著制造過(guò)程工藝的不 斷超過(guò)，這種局面將進(jìn)一步被夸大，科磊的創(chuàng)造將進(jìn)步的光學(xué)本領(lǐng)與定制的高速數(shù)字電子技 術(shù)和私有軟硬件相貫串，代替了保守的人為檢驗(yàn)和測(cè)定，使晶圓廠更簡(jiǎn)單的找到缺點(diǎn)，在其時(shí)大幅地 普及芯片消費(fèi)的良率并儉樸了卑劣本錢。1978 年科磊推出了第一款產(chǎn)物 KLA RAPID 100， 該革新產(chǎn)物機(jī)動(dòng)檢驗(yàn)和測(cè)定了設(shè)置集成通路創(chuàng)造圖案層的光罩，運(yùn)用進(jìn)步的光學(xué)和圖像處置本領(lǐng)測(cè) 試用來(lái)在硅片上印刷通路安排的“沙盤(pán)”，因?yàn)橛腥秉c(diǎn)的光罩板大概引導(dǎo)數(shù)百萬(wàn)的芯片破壞， 所以該系列推出后收到了商場(chǎng)的極大微詞；1984 年公司推出第二個(gè)產(chǎn)物 KLA WISARD 2000 系列機(jī)動(dòng)化晶圓檢驗(yàn)和測(cè)定體例，該體例對(duì)準(zhǔn)于檢驗(yàn)和測(cè)定晶圓中生存的缺點(diǎn)，并在光罩圖案投影到晶圓后創(chuàng)造通路缺點(diǎn)。1980 歲月末，公司推出了機(jī)動(dòng)嘗試擺設(shè)，該擺設(shè)貫串了晶圓探測(cè)體例和 微光顯微鏡，用來(lái)在切割和封裝之前對(duì)實(shí)行的芯片舉行電氣嘗試。受益于美利堅(jiān)合眾國(guó)半半導(dǎo)體商場(chǎng)的 興盛，科磊趕快生長(zhǎng)，按照彭博數(shù)據(jù)，至 1990 年科磊營(yíng)業(yè)收入已提高至 1.61 億美元。

3.2. 第二階段（1990~1997）：經(jīng)營(yíng)進(jìn)一步細(xì)化，產(chǎn)物放量加快

1990 歲月前期，因?yàn)閷?duì)頂端半導(dǎo)機(jī)制造本領(lǐng)的關(guān)心，美利堅(jiān)合眾國(guó)半半導(dǎo)體財(cái)產(chǎn)發(fā)端加溫，加上半導(dǎo) 體變得越來(lái)越攙雜，進(jìn)而激動(dòng)了對(duì)機(jī)動(dòng)化、高高科技擺設(shè)的需要，以滿意檢驗(yàn)和測(cè)定到最微弱的缺點(diǎn)。 1990 年 10 月，KLA 頒布了第二代晶圓檢驗(yàn)和測(cè)定體例 WISARD 2100 系列。新體例安排具備在線 功效，對(duì)缺點(diǎn)供給了更高的精巧度，運(yùn)轉(zhuǎn)速率比第一代的 WISARD 2000 系列快 100 倍之上； 1992 年，KLA 推出了新的在線光罩檢驗(yàn)和測(cè)定體例 RAPID 300 系列，該系列將光罩檢驗(yàn)和測(cè)定體例與計(jì) 算機(jī)相貫串，除去革新其中心 WISARD 和 RAPID 產(chǎn)物系列外，還矯正了 KLA 5000 系列， 用來(lái)普及集成通路器件的良率和本能。 其余，科磊還將其經(jīng)營(yíng)共青團(tuán)和少先隊(duì)進(jìn)一步細(xì)化，將公司重組為五個(gè)經(jīng)營(yíng)部分：WRING（囊括 WISARD 和 RAPID 部分）、機(jī)動(dòng)嘗試體例部分、Watcher 部分（包括運(yùn)用進(jìn)步光學(xué)字符辨別本領(lǐng)的 新圖像處置體例）、計(jì)量部分和 SEMSpec 部分，同聲創(chuàng)造了存戶效勞部分?？评诘慕灰资?入也由 1990 年的 1.61 億元延長(zhǎng)至 10.32 億美元，CAGR 達(dá) 30.4%，凈成本也大幅延長(zhǎng)至 1.05 億美元。

3.3. 第三階段（1997~2021）：大幅舉行并購(gòu)，外延內(nèi)生共同興盛

1997 年 KLA 與 Tencor 舉行兼并，變成 KLA-Tencor（科天半半導(dǎo)體），從產(chǎn)物范圍來(lái)看，Tencor 重要控制半半導(dǎo)體量測(cè)范圍產(chǎn)物研制，其代辦產(chǎn)物為丈量膜層厚薄參數(shù)的 Alpha-Step、激光掃 描本領(lǐng)的粒子和傳染物檢驗(yàn)和測(cè)定體例 Surfscan 以及缺點(diǎn)查看和數(shù)據(jù)領(lǐng)會(huì)東西，而 KLA 聚焦缺點(diǎn) 檢驗(yàn)和測(cè)定范圍產(chǎn)物，如高端機(jī)動(dòng)光學(xué)晶圓檢驗(yàn)和測(cè)定、光罩檢驗(yàn)和測(cè)定和其余良率東西，兩者的貫串進(jìn)一步完 善了對(duì)半半導(dǎo)體前道工藝遏制的產(chǎn)物線，變成了其時(shí)為數(shù)不多的量檢驗(yàn)和測(cè)定全范圍掩蓋的公司，合 并后的 KLA-Tencor 依附其杰出的現(xiàn)款流以及較大的范圍對(duì)其時(shí)量檢驗(yàn)和測(cè)定范圍的小公司舉行收 購(gòu)，夸大其在量檢驗(yàn)和測(cè)定范圍的產(chǎn)物掩蓋面，進(jìn)一步堅(jiān)韌公司的龍頭位置。

按照芯思維統(tǒng)計(jì)及半半導(dǎo)體行業(yè)查看網(wǎng)，KLA 自 1998 年于今共并購(gòu) 24 家企業(yè)，辨別對(duì)集成 通路、PCB、FPC 等范圍的要害量檢驗(yàn)和測(cè)定本領(lǐng)及細(xì)分范圍產(chǎn)物舉行了采購(gòu)，進(jìn)一步拓展了其在 量測(cè)范圍的產(chǎn)物線及中心本領(lǐng)，并經(jīng)過(guò) 20 余年的興盛，變成集成通路范圍范圍最大、掩蓋 面最廣的量檢驗(yàn)和測(cè)定公司。

科磊興盛的三個(gè)階段不妨歸結(jié)為從 0~1 階段：適合商場(chǎng)需要趕快推出產(chǎn)物；從 1~10 階段： 經(jīng)營(yíng)進(jìn)一步細(xì)化，產(chǎn)物加快放量；從 10~N 階段：連接合并采購(gòu)，外延內(nèi)生興盛，對(duì)海內(nèi)量 檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè)有以次模仿意旨：

1）暫時(shí)我國(guó)量檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè)一致居于第一階段，現(xiàn)階段商場(chǎng)需要為盡早實(shí)行國(guó)產(chǎn)化代替，縱然 已有局部廠商實(shí)行工藝上的沖破，但離正真在卑劣量產(chǎn)仍有確定隔絕，所以各擺設(shè)廠商該當(dāng) 將研制中心放在其中心產(chǎn)物線上，對(duì)已實(shí)行沖破的產(chǎn)物舉行工藝上的調(diào)節(jié)和測(cè)試、矯正，進(jìn)一步縮 小與科磊的差異，把該品類的擺設(shè)做專做精；

2）因?yàn)榱繖z驗(yàn)和測(cè)定范圍波及到的擺設(shè)品類較多，擺設(shè)廠不妨在各自范圍小幅拓展產(chǎn)物品類，如 局部廠商若已實(shí)行光學(xué)量測(cè)范圍產(chǎn)物的研制，則其不妨采用在有本領(lǐng)共同性的產(chǎn)物范圍長(zhǎng)進(jìn) 前進(jìn)一步拓展，如其余光學(xué)量檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè)，對(duì)局部難以霸占的產(chǎn)物與本領(lǐng)不妨采用并購(gòu)海表里 優(yōu)質(zhì)企業(yè)或本領(lǐng)共青團(tuán)和少先隊(duì)；

3）進(jìn)一步細(xì)化經(jīng)營(yíng)處置共青團(tuán)和少先隊(duì)，將每個(gè)產(chǎn)物線的研制及出賣共青團(tuán)和少先隊(duì)舉行細(xì)化并獨(dú)力處置，進(jìn)一 步鞏固經(jīng)營(yíng)處置體制，同聲也利于于對(duì)已有產(chǎn)物的矯正和數(shù)據(jù)搜集，提高完全研制功效。

暫時(shí)我國(guó)量檢驗(yàn)和測(cè)定擺設(shè)基礎(chǔ)已實(shí)行從 0-1 的階段，已吹響國(guó)產(chǎn)代替軍號(hào)，希望步入國(guó)產(chǎn)代替的 慢車道。所以，將來(lái)須要鞏固對(duì)已有產(chǎn)物進(jìn)前進(jìn)一步深刻研制，對(duì)上風(fēng)產(chǎn)物舉行連接迭代升 級(jí)；在有本領(lǐng)共同性的基礎(chǔ)下拓展產(chǎn)物線，對(duì)難以霸占的本領(lǐng)不妨采用并購(gòu)海表里優(yōu)質(zhì)企業(yè) 與本領(lǐng)共青團(tuán)和少先隊(duì)；同聲細(xì)化經(jīng)營(yíng)處置共青團(tuán)和少先隊(duì)，提高共青團(tuán)和少先隊(duì)研制經(jīng)營(yíng)功效。

4. 危害提醒研制不迭預(yù)期；國(guó)產(chǎn)化代替需要不迭預(yù)期；卑劣擴(kuò)大產(chǎn)量不迭預(yù)期。

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